专利名称：一种基于注入距离的电流源模型的建立方法
技术领域：
本发明属于 微电子的集成电路设计技术领域，如航空电子的中的辐照加效应仿真技木，特别涉及航空专用集成电路设计评估方法。
背景技术：
太空中的高能粒子包括重粒子、质子、α粒子、中子等。它们能导致半导体器件发生单粒子效应，严重影响到航天器的可靠性和寿命。单粒子效应是指辐射中的高能带电粒子在穿过电子器件敏感区时，能量沉积，产生大量的电子-空穴对，并在漂移过程中分别被η区和P区所收集，从而产生瞬时脉冲电流，使器件敏感节点的逻辑状态受到影响的现象。其中，造成器件节点产生电平错误翻转的单粒子效应称为为(Single Event Upset, SEU)。因此如何用电流源表征该瞬时脉冲电流，对于评估器件的单粒子翻转效应敏感性非常重要。现在采用的电流源注入模型是G. C. Messenger于文献“Collection of charge onjunction nodes fromion tracks, ” IEEE Trans. Nuc1. Sc1. , vol. NS-29, no. 6, pp. 2024 -2031，Dec. 1982.中提出的双指数模型，如下
权利要求
1.一种基于注入距离的电流源模型的建立方法，具体步骤如下 51.根据注入离子的种类，确定注入离子的线性传输能量； 52.设定需要评估的注入距离； 53.根据步骤SI得到的注入离子的线性传输能量和S2中设定的注入距离，得到注入电流表示式。
2.根据权利要求1所述的电流源模型的建立方法，其特征在于，步骤S3所述的注入电流表示式具体为
3.一种基于注入距离的电流源注入模型，其特征在于，所述电流源注入模型具体表达式为
4.一种电流源注入模型与NMOS电路结合注入模型，具体包括NM0S晶体管和电流源注入模型，其中，电流源模型跨接在NMOS晶体管的漏极和基极之间，电流方向为从晶体管的漏极流向晶体管的基极，所述电流源注入模型具体表达式为
5.一种电流源注入模型与PMOS电路结合注入模型，具体包括PM0S晶体管和电流源注入模型，其中，电流源注入模型跨接在PMOS晶体管的漏极和基极之间，电流方向为从晶体管的基极流向晶体管的漏极，所述电流源注入模型具体表达式为
全文摘要
本发明公开了一种基于注入距离的电流源模型的建立方法，具体步骤如下根据注入离子的种类，确定注入离子的线性传输能量；设定需要评估的注入距离；根据得到的注入离子的线性传输能量和设定的注入距离，得到注入电流表示式。本发明的电流源模型的建立方法引入了注入距离，可以有效地表征在一定距离下单粒子对器件的影响，进而可以方便的对于粒子对周围器件的影响进行分析。
文档编号G06F17/50GK102982216SQ20121055177
公开日2013年3月20日 申请日期2012年12月18日 优先权日2012年12月18日
发明者李磊, 周婉婷 申请人:电子科技大学