基于rfid系统应用的ic卡的制作方法

文档序号:6504783阅读:227来源:国知局
基于rfid系统应用的ic卡的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于RFID系统应用的IC卡,包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一非极性电容、第二非极性电容、第三非极性电容、第四非极性电容、第五非极性电容、第一极性电容、第二极性电容、稳压器、单片机、晶振、电阻和三极管。本发明实现了运用RFID技术的无源式应答器到阅读器的数据传输,智能IC卡靠阅读器提供的能量,将自身携带的数据反馈给阅读器,阅读器根据收到的信息进行相应操作。
【专利说明】基于RFID系统应用的IC卡

【技术领域】
[0001]本发明涉及一种RFID技术,尤其涉及一种基于RFID系统应用的IC卡。

【背景技术】
[0002]智能卡的发展历史并不久远,而且全球各地发展不均衡,其中欧洲发展得最早、最好。智能IC卡源于七十年代的欧洲和日本,后来由法国人提出的将处理器置入IC卡卡片中的思想得到了广泛接受,由于其具有完善的密码功能从而有效的解决了智能卡的舞弊行为。随后智能卡在1977-1998年得到了迅速发展。九十年代初期,智能卡开始应用于GSM数字移动通讯、有线电视的收费等领域。在美国,智能卡发展相对迟缓,但随着智能卡在欧洲的成功使用,其在美国产生巨大影响,尽管如此,美国在智能卡技术等领域仍处于世界领先地位。目前在我国,随着政府管理和支持力度的不断加大、技术研发水平的提升,IC市场竞争格局将发生深刻的变化。今后的几年,是我国IC卡系统应用向纵深发展的时期,我国IC卡系统市场格局必将由无序走向有序,市场竞争必将由有限走向无限,IC卡系统市场将逐步走向成熟。但是对于尖端的CPU卡及非接触式IC卡智能射频卡制卡技术及其相应的读、写卡设备技术,仍处于落后状态。这极大地制约了 IC卡行业的发展,特别是在要求有极高安全性和保密性的金融行业中,制约了我国金卡工程的实施和发展。


【发明内容】

[0003]本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单,功能强大的基于RFID系统应用的IC卡。
[0004]本发明通过以下技术方案来实现上述目的:
[0005]本发明包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一非极性电容、第二非极性电容、第三非极性电容、第四非极性电容、第五非极性电容、第一极性电容、第二极性电容、稳压器、单片机、晶振、电阻和三极管,所述三极管的集电极通过电感同时与所述第一二极管的正极输入端和所述第三二极管的负极输出端连接,所述第二二极管的正极输入端与所述第四二极管的负极输出端连接,所述第三二极管的正极输入端、所述第四二极管的正极输入端和所述第一非极性电容的一端均接地,所述第一非极性电容的另一端同时与所述第一二极管的负极输出端、所述第二二极管的负极输出端、所述第二非极性电容的一端和所述稳压器的输入端连接,所述第二非极性电容的另一端同时与所述第三非极性电容的一端和所述第一极性电容的负极输出端连接,所述稳压器的输出端同时与所述第三非极性电容的另一端、所述第一极性电容的正极输入端、所述第二极性电容的正极输入端和所述单片机的第二十端连接,所述稳压器的接地端接地,所述单片机的第一端同时与所述第二极性电容的负极输出端和所述电阻的一端连接,所述单片机的第三端与所述三极管的基极连接,所述单片机的第五端同时与所述第四非极性电容的一端和所述晶振的一端连接,所述单片机的第六端同时与所述晶振的另一端和所述第五非极性电容的一端连接,所述单片机的第十端接地,所述电阻的另一端同时与所述第四非极性电容的另一端和所述第五非极性电容的另一端连接,所述三极管的发射极接地。
[0006]进一步地,所述电阻大小为10千欧,所述第二非极性电容和所述第三非极性电容的大小为0.luf,所述第一极性电容的大小为10uf,所述第四非极性电容和所述第五非极性电容的大小为20pf。
[0007]本发明的有益效果在于:
[0008]本发明实现了运用RFID技术的无源式应答器到阅读器的数据传输,智能IC卡靠阅读器提供的能量,将自身携带的数据反馈给阅读器,阅读器根据收到的信息进行相应操作。

【专利附图】

【附图说明】
[0009]图1是本发明的电路原理图。
[0010]图中:D1_第一二极管,D2-第二二极管,D3-第三二极管,D4-第四二极管,Cl-第一非极性电容,C2-第二非极性电容,C3-第三非极性电容,C6-第四非极性电容,C7-第五非极性电容,C4-第一极性电容,C5-第二极性电容,ZD-稳压器,U-单片机,Z-晶振,R-电阻,VT-三极管。

【具体实施方式】
[0011]下面结合附图对本发明作进一步说明:
[0012]如图1所示,本发明包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一非极性电容Cl、第二非极性电容C2、第三非极性电容C3、第四非极性电容C6、第五非极性电容C7、第一极性电容C4、第二极性电容C5、稳压器ZD、单片机U、晶振Z、电阻R和三极管VT,三极管VT的集电极通过电感同时与第一二极管Dl的正极输入端和第三二极管D3的负极输出端连接,第二二极管D2的正极输入端与第四二极管D4的负极输出端连接,第三二极管D3的正极输入端、第四二极管D4的正极输入端和第一非极性电容Cl的一端均接地,第一非极性电容Cl的另一端同时与第一二极管Dl的负极输出端、第二二极管D2的负极输出端、第二非极性电容C2的一端和稳压器ZD的输入端连接,第二非极性电容C2的另一端同时与第三非极性电容C3的一端和第一极性电容C4的负极输出端连接,稳压器ZD的输出端同时与第三非极性电容C3的另一端、第一极性电容C4的正极输入端、第二极性电容C5的正极输入端和单片机U的第二十端连接,稳压器ZD的接地端接地,单片机U的第一端同时与第二极性电容C5的负极输出端和电阻R的一端连接,单片机U的第三端与三极管VT的基极连接,单片机U的第五端同时与第四非极性电容C6的一端和晶振Z的一端连接,单片机U的第六端同时与晶振Z的另一端和第五非极性电容C7的一端连接,单片机U的第十端接地,电阻R的另一端同时与第四非极性电容的另一端C6和第五非极性电容C7的另一端连接,三极管VT的发射极接地,电阻R大小为10千欧,第二非极性电容C2和第三非极性电容C3的大小为0.1uf,第一极性电容C4的大小为1uf,第四非极性电容C6和第五非极性电容C7的大小为20pf,电路中的整流电路为标准的桥式整流电路,为了减小功率损耗,第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4选择导通压降为0.3V的锗二极管,第一非极性电容Cl可以滤除整流后电流中可能含有的高频成分,也有一定的稳压作用,交流电经整流后输出的电流具有较好的平滑程度,一般说来可以充当电路的电源,但是此时的电压值还是受到天线电压波动及负载变化的影响,即经整流后输出的电压由于各种因素的影响往往是不稳定的,为了使输出电压稳定,这里用到了稳压电路部分,稳压电路的作用就是自动稳定输出电压,使输出电压不受其它因素的影响,这里的稳压器ZD内部电流限制和热关断特性要较好,使之特别适用于过载的情况,本发明采用的是20个引脚端封装的单片机,所用到的端口中,第二十端为低端固定电源电压端,第一端为复位输入端,第三端为串行输出口,第五端为振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端,第六端为外中断端,第十端为接地端,本电路中三极管VT采用的是NPN型。
【权利要求】
1.一种基于RFID系统应用的IC卡,其特征在于:包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一非极性电容、第二非极性电容、第三非极性电容、第四非极性电容、第五非极性电容、第一极性电容、第二极性电容、稳压器、单片机、晶振、电阻和三极管,所述三极管的集电极通过电感同时与所述第一二极管的正极输入端和所述第三二极管的负极输出端连接,所述第二二极管的正极输入端与所述第四二极管的负极输出端连接,所述第三二极管的正极输入端、所述第四二极管的正极输入端和所述第一非极性电容的一端均接地,所述第一非极性电容的另一端同时与所述第一二极管的负极输出端、所述第二二极管的负极输出端、所述第二非极性电容的一端和所述稳压器的输入端连接,所述第二非极性电容的另一端同时与所述第三非极性电容的一端和所述第一极性电容的负极输出端连接,所述稳压器的输出端同时与所述第三非极性电容的另一端、所述第一极性电容的正极输入端、所述第二极性电容的正极输入端和所述单片机的第二十端连接,所述稳压器的接地端接地,所述单片机的第一端同时与所述第二极性电容的负极输出端和所述电阻的一端连接,所述单片机的第三端与所述三极管的基极连接,所述单片机的第五端同时与所述第四非极性电容的一端和所述晶振的一端连接,所述单片机的第六端同时与所述晶振的另一端和所述第五非极性电容的一端连接,所述单片机的第十端接地,所述电阻的另一端同时与所述第四非极性电容的另一端和所述第五非极性电容的另一端连接,所述三极管的发射极接地。
2.根据权利要求1所述的基于RFID系统应用的IC卡,其特征在于:所述电阻大小为10千欧,所述第二非极性电容和所述第三非极性电容的大小为0.1uf,所述第一极性电容的大小为10uf,所述第四非极性电容和所述第五非极性电容的大小为20pf。
【文档编号】G06K19/077GK104252637SQ201310260081
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2013年6月26日 优先权日:2013年6月26日
【发明者】巫梦飞 申请人:成都新方洲信息技术有限公司
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