一种磁场检测电路拓扑结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种磁场检测电路拓扑结构，它涉及一种适用于AGV磁条检测和磁条标示信息检测的应用【技术领域】，电阻的一端连接到参考地，电阻的另一端与PNI磁通传感器的一端均与施密特触发器的输入端连接，PNI磁通传感器的另一端与施密特触发器的输出端连接，最后通过施密特触发器的输出端将信号输出；它结构简单，所使用的器件常用且价格低廉；输出的信号是与磁场强度成线性关系的频率信号，输出的信号可以直接通过控制芯片接收处理或者通过分频电路或者是F/V变换电路进行采集处理后便可以得到磁场强度信息。
【专利说明】一种磁场检测电路拓扑结构
[0001]【技术领域】:
[0002]本实用新型涉及一种磁场检测电路拓扑结构，属于一种适用于AGV磁条检测和磁条标示信息检测的应用【技术领域】。
[0003]【背景技术】:
[0004]现有的使用PNI的磁通传感器应用于AGV导航磁条检测和磁条标示检测等磁场检测应用的市面产品在使用时，基本上均使用PNI的驱动IC进行驱动，其结构复杂，不易实现，且成本高。
[0005]实用新型内容:
[0006]针对上述问题，本实用新型要解决的技术问题是提供一种磁场检测电路拓扑结构。
[0007]本实用新型的磁场检测电路拓扑结构，它包含电阻、施密特触发器、PNI磁通传感器，电阻的一端连接到参考地，电阻的另一端与PNI磁通传感器的一端均与施密特触发器的输入端连接，PNI磁通传感器的另一端与施密特触发器的输出端连接，最后通过施密特触发器的输出端将信号输出。
[0008]本实用新型的有益效果:结构简单，所使用的器件常用且价格低廉；输出的信号是与磁场强度成线性关系的频率信号，输出的信号可以直接通过控制芯片接收处理或者通过分频电路或者是F/V变换电路进行采集处理后便可以得到磁场强度信息。
[0009]【专利附图】
【附图说明】:
[0010]为了易于说明，本实用新型由下述的具体实施及附图作以详细描述。
[0011]图1为本实用新型的结构示意图。
[0012]Rl-电阻;U1-施密特触发器；U2_PNI磁通传感器。
[0013]【具体实施方式】:
[0014]如图1所示，本【具体实施方式】采用以下技术方案:它包含电阻R1、施密特触发器Ul、PNI磁通传感器U2，电阻Rl的一端连接到参考地，电阻Rl的另一端与PNI磁通传感器U2的一端均与施密特触发器Ul的输入端连接，PNI磁通传感器U2的另一端与施密特触发器Ul的输出端连接，最后通过施密特触发器Ul的输出端将信号输出。
[0015]本具体所述方式中PNI的磁通传感器在不同的磁场强度下的电感值为H，则:H=HE+kh
[0016]其中，He为PNI的磁通传感器在没有磁场时的电感值，k为PNI的磁通传感器增加或减弱的磁场与磁场强度的比例系数，h为PNI的磁通传感器增加或减弱的磁场与磁场强度的比例基数。
[0017]图1电路构成了一个LR振荡器，振荡电路的时间常数T=L/R，因此图1输出的方波信号的频率与PNI的磁通传感器所处的磁场具有一定的线性关系，即可以通过图1所示的电路对磁条等具有磁性的物体进行检测。最后通过多个这样的电路在同一块电路板上分布后制作而成的传感器就可以应用在AGV等需要磁条进行引导行进路径或者进行信息标识的场合中。[0018]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
【权利要求】
1.一种磁场检测电路拓扑结构，其特征在于:它包含电阻(R1)、施密特触发器(U1)、PNI磁通传感器(U2)，电阻(Rl)的一端连接到参考地，电阻(Rl)的另一端与PNI磁通传感器(U2)的一端均与施密特触发器(Ul)的输入端连接，PNI磁通传感器(U2)的另一端与施密特触发器(Ul)的输出端连接。
【文档编号】G06K7/00GK203414958SQ201320558550
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年9月10日 优先权日:2013年9月10日
【发明者】刘洵刚 申请人:刘洵刚