1.一种静电传感器，包括一个传感单元和一个控制单元，其特征在于：
所述传感单元包括至少一个第一传感元件，以及至少两个第一电极设置在该至少一个第一传感元件的两端并与该至少一个第一传感元件电连接，所述至少一个第一传感元件为一根直径小于100纳米的一维半导体纳米结构，当带有静电的物体靠近该至少一个第一传感元件时，所述至少一个第一传感元件会感测所述静电，并且该静电使该至少一个第一传感元件的电阻产生变化；
该控制单元通过导线与所述至少一个第一传感元件电连接，该控制单元向所述至少一个第一传感元件施加电压，并测量由于带有静电的物体靠近所导致的该至少一个第一传感元件的电阻变化。
2.如权利要求1所述的静电传感器，其特征在于，进一步包括一基底，所述该至少一个第一传感元件及所述至少两个第一电极设置于所述基底的表面。
3.如权利要求1所述的静电传感器，其特征在于，所述至少一个第一传感元件为单壁碳纳米管。
4.如权利要求1所述的静电传感器，其特征在于，所述至少一个第一传感元件为硅半导体纳米线。
5.如权利要求1所述的静电传感器，其特征在于，所述至少一个第一传感元件为石墨烯纳米带。
6.如权利要求2所述的静电传感器，其特征在于，所述传感单元包括多个第一传感元件平行间隔设置于所述基底的表面。
7.如权利要求6所述的静电传感器，其特征在于，所述多个第一传感元件中，相邻的两个第一传感元件之间的间隔为2毫米～2厘米。
8.如权利要求2所述的静电传感器，其特征在于，进一步包括一绝缘保护层覆盖在所述至少一个第一传感元件表面，所述至少一个第一传感元件设置在该绝缘保护层与所述基底的表面之间。
9.一种静电传感器，包括一个传感单元和一个控制单元，其特征在于：
所述传感单元包括一基底，多个第一传感元件相互平行且间隔地设置于所述基底的表面，每一第一传感元件两端分别设置一第一电极与该第一传感元件电连接，以及多个第二传感元件相互平行且间隔地设置于所述基底表面，并与所述多个第一传感元件相互绝缘交叉设置，每一第二传感元件的两端分别设置一第二电极并与该第二传感元件电连接，所述每一第一传感元件和每个所述第二传感元件均为一根为直径小于100纳米的一维半导体纳米结构，当带有静电的物体靠近该多个第一传感元件及多个第二传感元件时，该多个第一传感元件及多个第二传感元件的电阻产生变化；
该控制单元通过导线与所述多个第一传感元件及多个第二传感元件电连接，该控制单元向所述多个第一传感元件及多个第二传感元件施加电压，并测量由于带有静电的物体靠近所导致的所述多个第一传感元件及多个第二传感元件的电阻变化。
10.如权利要求9所述的静电传感器，其特征在于，所述多个第一传感元件和所述多个第二传感元件相互垂直。
11.如权利要求9所述的静电传感器，其特征在于，所述多个第一传感元件中相邻的第一传感元件之间的距离和所述多个第二传感元件中相邻的第二传感元件之间的距离相等。
12.如权利要求11所述的静电传感器，其特征在于，所述相邻的第一传感元件之间的距离为2毫米至2厘米。
13.如权利要求9所述的静电传感器，其特征在于，所述控制单元包括一电路控制模块以及一电阻测试模块，所述电路控制模块用于给每一个第一传感元件以及每一第二传感元件施加电压，所述电阻测试模块用于测量每一个第一传感元件及每一个第二传感元件的电阻。