基于TMS320F28335DSP的片外FLASH扩展的制作方法

文档序号:12464385阅读:1594来源:国知局

本发明为基于TMS320F28335DSP的片外FLASH扩展,它属于DSP技术领域。



背景技术:

最近几年来,由于我国风力发电装机量的发展迅速,相应的风力发电机组的故障诊断技术也有了一定的进步,但是与发展速度较快的风电设备相比,风电设备的故障诊断技术还有待进一步提高。目前,定子电流分析法故障诊断技术得到了国内外许多专家的青睐,由于此种方法只需要这种方法只需要电压或电流转换器,而不需在设备上安装震动传感器,所以这种故障诊断技术又被称为无传感器故障诊断方法(sensorless fault diagnosis SFD)。利用该方法进行故障诊断时需要采集和处理大量的数据,故而对DSP内部的FLASH提出了严格的要求,由于F28335芯片自身的FLASH已经无法满足此时的需要,因此需要进行片外扩展。

随着DSP的快速发展,DSP的应用范围也越来越广泛,尤其是在民用领域发展迅速,包括数字化移动电话、数据调制解调器、汽车电子系统及电视电话系统等领域。为降低生产成本,厂家不会对DSP芯片的FLASH做的很大,但在某些领域尤其是在数据处理领域,需要用到大量的数组,巨大的运算量对DSP的FLASH提出了新的要求。



技术实现要素:

针对上述问题,本发明的技术问题是进行TMS320F28335DSP的片外FLASH扩展,以提高DSP的运算数据的能力。

本发明为基于TMS320F28335DSP的片外FLASH扩展,它包含XINTF接口、一个74HC32DB芯片、一个SST39VF800A芯片等。XINTF接口的XA(18:1)分别与SST39VF800A芯片的A(18:1)连接,与SST39VF800A芯片的A(0)连接,XD(15:0)分别与D(15:0)连接,和分别与SST39VF800A芯片的和连接。74HC32DB芯片是一个四2或门,1A与外部存储器接口XINTF的连接,1B与XA19连接,74HC32DB的运算结果通过1Y传送给SST39VF800A芯片的。通过编写程序,确定访问区域、访问周期以及采样方式等,实现DSP的片外FLASH扩展。 本发明选择外部区域7进行扩展,由于SST39VF800A芯片 的大小为516x16K,所以外部区域7扩展的起始地址为0x20-0000,结束地址为0x28-0000。本发明的程序如下:

void InitXintf(void)

{

EALLOW;

intfRegs.XINTCNF2.bit.XTIMCLK = 1; // 基准时钟为系统时钟/2

XintfRegs.XINTCNF2.bit.WRBUFF = 0;//无写缓冲器

XintfRegs.XINTCNF2.bit.CLKOFF=1;//XCLKOUT被禁止

XintfRegs.XINTCNF2.bit.CLKMODE = 1;// XCLKOUT = XTIMCLK/2

intfRegs.XTIMING7.bit.XWRLEAD = 2;//写访问引导周期个数

XintfRegs.XTIMING7.bit.XWRACTIVE = 4;//写访问激活周期个数

XintfRegs.XTIMING7.bit.XWRTRAIL = 2;//写访问跟踪周期个数

intfRegs.XTIMING7.bit.XRDLEAD = 2;//读访问引导周期个数

intfRegs.XTIMING7.bit.XRDACTIVE = 4;//读访问激活周期个数

XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDTRAIL = 2; //读访问跟踪周期个数

intfRegs.XTIMING7.bit.X2TIMING = 1;

intfRegs.XTIMING7.bit.USEREADY = 0;//XREADY信号被屏蔽

XintfRegs.XTIMING7.bit.READYMODE = 1;//异步采样

XintfRegs.XTIMING7.bit.XSIZE = 3;//16位数据总线模式,XA0/XWE1(#)为XA0功能

XintfRegs.XBANK.bit.BANK = 7;//区域7被指定

XintfRegs.XBANK.bit.BCYC = 3;//区域切换延时周期

EDIS;

asm(" RPT #7 || NOP");//重复执行8次NOP指令

}

作为优选,所述的系统由一个74HC32DB芯片、一个SST39VF800A芯片组成。

本使用新型的有益效果为:扩大DSP的FLASH,提高了DSP的数据运算和图像处理的能力,而且外部扩展的程序运行稳定,使DSP的应用范围越来越广泛

附图说明:

为了易于说明,本使用新型由下述的具体实施及附图作以详细描述。

图1为本使用新型的结构示意图;

图中包括XINTF接口、一个74HC32DB芯片、一个SST39VF800A芯片。

为使本使用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面通过附图中示出的具体实施例来描述本使用新型。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本使用新型的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本使用新型的概念。

如图所示,本具体实施方式采用以下技术方案:它包含XINTF接口、一个74HC32DB芯片、一个SST39VF800A芯片等。XINTF接口的XA(18:1)分别与SST39VF800A芯片的A(18:1)连接, 与SST39VF800A芯片的A(0)连接,XD(15:0)分别与D(15:0)连接,和分别与SST39VF800A芯片的和连接。74HC32DB芯片是一个四2或门,1A与外部存储器接口XINTF的连接,1B与XA19连接,74HC32DB的运算结果通过1Y传送给SST39VF800A芯片的。通过编写程序,确定访问区域、访问周期以及采样方式等,实现DSP的片外FLASH扩展。通过编写程序,确定访问区域、访问周期以及采样方式等,实现DSP的片外FLASH扩展。

以上显示和描述了本使用新型的基本原理和主要特征和本使用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本使用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本使用新型的原理,在不脱离本使用新型精神和范围的前提下,本使用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本使用新型范围内。本使用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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