供电和写保护复用电路的制作方法

文档序号:11076318
供电和写保护复用电路的制造方法与工艺

本实用新型涉及电路领域,具体地,涉及一种供电和写保护复用电路。



背景技术:

电子产品对外接口日益复杂,老产品升级时往往会遇到接口管脚不够用的情况。存在同时需要电源输出和写保护控制的场合。

现有技术中的升级方案中,当接口管脚不够用的情况下,存在同时需要电源输出和写保护控制的场合,也只能采取增加接口的方式,同时可能需要更改外壳模具;不仅花费较高的费用,而且延长了升降周期。



技术实现要素:

针对现有技术中的缺陷,本实用新型的目的是提供一种供电和写保护复用电路。

根据本实用新型提供的供电和写保护复用电路,包括存储芯片U1、三极管Q1、稳压二极管Z1、肖特基二极管D1、电阻R1、电阻R2以及电阻R3;

存储芯片U1的WP端连接电阻R1的一端、三极管Q1的集电极,存储芯片U1的VCC端、电阻R1的一端连接第一电源端;

三极管Q1的基极连接电阻R2的一端、稳压二极管Z1的正极,电阻R2的一端、三极管Q1的发射极接地;

稳压二极管Z1的负极通过电阻R3连接输出端和肖特基二极管D1的负极,肖特基二极管D1的正极连接第二电源端。

优选地,还包括第一供电电源和第二供电电源;

其中,所述第一供电电源连接所述第一电源端;所述第二供电电源连接所述第二电源端。

优选地,所述存储芯片U1采用型号为24C04的存储芯片。

优选地,所述存储芯片U1的GND端接地。

优选地,所述第一供电电源采用3.3V的电源;所述第二供电电源采用5V的电源。

与现有技术相比,本实用新型具有如下的有益效果:

1、本实用新型中供电电源和写保护控制用一个管脚输出,利用稳压二极管的导通特性,来区分供电电源(电压低)还是写保护控制(电压高)功能,解决接口管脚紧张的问题;

2、本实用新型结构简单,布局合理,易于推广。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型,但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。

在本实施例中,本实用新型提供的供电和写保护复用电路,包括存储芯片U1、三极管Q1、稳压二极管Z1、肖特基二极管D1、电阻R1、电阻R2以及电阻R3;

存储芯片U1的WP端连接电阻R1的一端、三极管Q1的集电极,存储芯片U1的VCC端、电阻R1的一端连接第一电源端;

三极管Q1的基极连接电阻R2的一端、稳压二极管Z1的正极,电阻R2的一端、三极管Q1的发射极接地;

稳压二极管Z1的负极通过电阻R3连接输出端和肖特基二极管D1的负极,肖特基二极管D1的正极连接第二电源端。

本实用新型提供的供电和写保护复用电路,还包括第一供电电源和第二供电电源;

其中,所述第一供电电源连接所述第一电源端;所述第二供电电源连接所述第二电源端。

所述存储芯片U1采用型号为24C04的存储芯片。所述存储芯片U1的GND端接地。所述第一供电电源采用3.3V的电源;所述第二供电电源采用5V的电源。

在本实施例中,所述输出端为OUTPUT/WE端,当OUTPUT/WE端用作电源输出时5V电源通过肖特基二极管D1对外输出约4.7V的电压,此时8.2V稳压二极管Z1上的电压为4.7V,稳压二极管不导通,仅有漏电流漏过R2,三极管Q1处于截止状态。存储芯片U1的写保护管脚WP通过R1上拉到3.3V,存储芯片U1处于写保护状态。

当OUTPUT/WE用作写保护控制输入时外部接入12V的电源,8.2V稳压二极管Z1导通,电流过三极管Q1的基极,三极管Q1导通。存储芯片U1的写保护管脚WP被三极管Q1拉为低电平。存储芯片U1处于可写状态。

在本实施例中,本实用新型中供电电源和写保护控制用一个管脚输出,利用稳压二极管的导通特性,来区分供电电源(电压低)还是写保护控制(电压高)功能,解决接口管脚紧张的问题;本实用新型结构简单,布局合理,易于推广。

以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本实用新型并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本实用新型的实质内容。

再多了解一些
当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1