本发明属于电路设计及开发技术领域，尤其涉及一种可引导的fpga配置电路。
背景技术：
目前，现有的fpga上电的时，通过特定接口从外部的epcs器件读取fpga的配置信息，完成fpga的配置。因此，在需要改变fpga的逻辑的时候需要重新烧写外部epcs，配置过程才能完成。并且，对于一片容量足够的epcs芯片也只保存一份的fpga配置信息。
综上所述，现有技术存在的问题是：现有的fpga存储信息容量小，保存多份fpga配置信息时需要多个芯片；并且对信息配置时需要停电处理，使用比较麻烦。
技术实现要素：
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种可引导的fpga配置电路，
本发明是这样实现的，一种可引导的fpga配置电路包括串行flash存储器，串行flash存储器的fclk、fncs、fmosi、fmis接口连接外部处理器，通过上述接口将配置信息写至串行flash存储器；接口clk、sda连接外部处理器，通过上述接口设置引导信息；nconfig、di、dclk、ncs、do通过导线连接fpga。
进一步，所述串行flash存储器的数据写入：外部处理器通过fclk、fncs、fmosi、fmis完成配置信息写入。
本发明的优点及积极效果为：该可引导的fpga配置电路如果flash存储器容量足够，则可以在一片flash芯片中保存有两份及以上fpga配置信息，可减少50％及以上的芯片数量。外部处理器通过clk、sda可以强制fpga进行重新配置，可以实现fpga功能的“热切换”。
附图说明
图1是本发明实施例提供的可引导的fpga配置电路的原理图。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下。
下面结合附图对本发明的结构作详细的描述。
如图1所示，本发明实施例提供的可引导的fpga配置电路包括串行flash存储器，串行flash存储器的fclk、fncs、fmosi、fmis接口连接外部处理器；通过上述接口将配置信息写至串行flash存储器；接口clk、sda连接外部处理器；通过上述接口设置引导信息；nconfig、di、dclk、ncs、do通过导线连接fpga。
进一步，所述串行flash存储器的数据写入：外部处理器通过fclk、fncs、fmosi、fmis完成配置信息写入。
本发明的工作原理：
引导过程：当nconfig信号有效后，fpga就会进入重新配置的过程。fpga会输出di、dclk与ncs信号组合，序列检测器在检测到特定的序列时，序列检测器的输出使得“2选1模块”输出来自“引导信息缓存模块”；序列检测器在未检测到特定的序列时，“2选1模块”输出直接来自fpga的di。
当外部处理器通过clk、sda完成引导信息的输入后，会引起nconfig有效，同时将引导信息写入到“引导信息缓存”模块，而nconfig信号有效之后，则引起上述的fpga配置过程。
若外部处理器不通过clk、sda进行操作，则“引导信息缓存”模块中保存的信息默认和di输出的引导信息一致。
以上所述仅是对本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改，等同变化与修饰，均属于本发明技术方案的范围内。