提升EEPROM读写可靠性及速率的方法与流程

本发明涉及eeprom读写方法领域，特别涉及提升eeprom读写可靠性及速率的方法。

背景技术：

目前在家电行业应用的eeprom操作主要有两大技术方案。方案一：采用预存法，后期运行过程中只读不写。方案二：eeprom在整机运行过程中，根据需求随机读写eeprom。方案一：采用预存法，运行过程中只读不写。虽然能够避免因为干扰，掉电而导致eeprom数据丢失，但数据灵活性受限制。方案二：采用随机读写eeprom的方法，操作灵活，但有丢失数据的风险。为提高读写eeprom的可靠性与速率，本发明在方案二的基础上进行的相关的优化，以防止在读写eeprom过程中掉电或者偶尔产生的静电干扰、电磁干扰而导致eeprom读写异常。同时，根据需要存入的数据合理选择读写方式，以实现提高eeprom的读写速率。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是：提供一种提升eeprom读写可靠性及速率的方法，提高读写eeprom的可靠性与速率。

为解决上述问题，本发明采用的技术方案是：

首先对需要读写的数据进行分类，分为重要数据和次要数据，读写时先将重要数据从以下第一步开始读写操作，再将次要数据从以下第一步开始读写操作；

第一步、对存取buffer(缓存器)、待存buffer做中的数据对比处理，记录两个buffer中不同数据的个数与位置，作为eeprom更新的参考值，然后执行第二步；

第二步、判断两个buffer中不同数据的个数，从而确定eeprom需要更新的数据的个数，若eeprom需要更新的数据个数大于该类存储数据量的预设比例，则执行第三步，否则执行第九步；

第三步、按页操作方式将待存buffer中的数据重新存入eerpom存储区，然后执行第四步；

第四步、读取eeprom存储区数据，并完成数据校验，然后执行第五步；

第五步、判断数据读取是否成功且与待存buffer中数据是否一致，若数据正确且与待存buffer中数据一致，则执行第六步，否则执行第七步；

第六步、将待存buffer中数据正确存入备份区，然后执行第十步；

第七步、进行读取存储区失败计数，并判断失败次数是否大于第一预设次数，若读取失败次数大于第一预设次数，则执行第八步，否则执行第一步；

第八步、提示eeprom读写异常，并执行第十步；

第九步、将按字节操作方式将不同的数据存入eeprom存储区，然后执行四步；

第十步、返回主程序。

进一步的，若为eeprom上电后首次读写操作，第一步之前还包括如下步骤：

s1、读取eeprom存储区中的数据，完成数据校验后执行s2；

s2、判断读取的数据是否正确，若正确将数据作为系统运行参数并执行s3，若错误则执行s4；

s3、将eeprom存储区数据存入备存区，并确保存入数据正确，然后执行s9；

s4、进行失败计数，若读取失败次数大于第二预设次数，则执行s5，否则执行s1；

s5、读取eeprom备份模块，并进行数据校验，然后执行s6；

s6、判断备份模块eeprom读取是否正确，若正确则执行s9，否则执行s7；

s7、进行失败计数，并判断备份模块读取失败次数是否大于第三预设次数，若小于第三预设次数则执行s5，否则执行s8；

s8、eeprom数据读取异常，执行s9；

s9、返回主程序。

本发明的有益效果是：本发明采用数据分类，eeprom分区，页操作与字节操作相结合的方法来实现提升eeprom读写可靠性与速率。其中，eeprom数据分为两类：系统重要数据、系统次要数据；对两类数据单独进行读写，有各自的校验；eeprom存储空间分为两部分：数据存储区、数据备份区；同时，系统为eeprom操作提供了两个buffer：eeprom存入buffer、eeprom待存buffer。eeprom主要有两种读写模式，eeprom系统上电后首次读写操作和eeprom系统运行过程中根据实际需求读写操作，并且重要数据的读写控制优化级高。因此，本申请可防止出现在读写eeprom过程中掉电或者偶尔产生的静电干扰、电磁干扰而导致eeprom读写异常。

此外，本申请在上电后首次读eeprom时，读取存储区数据，若存储区数据读写正确，通过直接覆盖备份区的方法，即将存储区数据存入备份区的方式进行处理，可以避免掉电前存储区数据写正确，备份区写数据未完成，上电后存储区写数据错误，再次上电后存储区与备份区读取均不正确的风险。

附图说明

图1为eeprom上电后首次读写操作流程图。

图2为eeprom上电后正常读写操作流程图。

具体实施方式

本发明对需要保存入eeprom的数据进行分类，对eeprom内存进行分区。分类分区存储，每类数据有各自的校验且同时具有存储区和备份区。在数据存储或读写时，先对重要数据进行存储，再对次要数据进行存储。且先将数据存入存储区，在确定存储无误后，再将数据存入备份区。

eeprom主要有两种读写模式：eeprom上电后首次读写操作、eeprom上电后正常读写操作。

1、eeprom上电后首次读写操作。

首先读取eeprom存储区的系统重要数据，若eeprom读取数据正确，则采用页写方式直接将eeprom存储区的系统重要数据存入eeprom备份区，并确保写入备份区的数据正确，否则，读取eeprom备份区的重要数据作为系统运行的重要参数，并提示上次掉电前设置无效。其次，读取eeprom存储区的次要数据，其操作方法与eeprom存储区的系统重要数据操作方法相同。读取的eeprom正确数据同时放入数据buffer和待存buffer中。具体控制见附图1，详细步骤如下：

s1、读取eeprom存储区中的数据，完成数据校验后执行s2；

s2、判断读取的数据是否正确，若正确该数据作为系统运行参数并执行s3，若错误则执行s4；

s3、将eeprom存储区数据存入备存区，并确保存入数据正确，然后执行s9；

s4、进行失败计数，若读取失败次数大于第二预设次数(例如3次)，则执行s5，否则执行s1；

s5、读取eeprom备份模块，并进行数据校验，然后执行s6；

s6、判断备份模块eeprom读取是否正确，若正确则执行s9，否则执行s7；

s7、进行失败计数，并判断备份模块读取失败次数是否大于第三预设次数(例如3次)，若小于第三预设次数则执行s5，否则执行s8；

s8、eeprom数据读取异常，执行s9；

s9、返回主程序。

备注：若首次上电读取eeprom重要参数需执行s5，则系统可提示用户由于异常操作上次操作无效可重新设置。同时，保证eeprom读取的正确数据位于存取buffer中。

2、eeprom上电后正常读写操作。

系统根据实际情况会自动更新待存buffer中的数据。对比存取buffer和待存buffer中数据，若两个buffer数据不相同，则统计对应的下标和数量。根据统计的数量超过待存数据的预设比例(例如三分之一)，则将不同的数据写入eeprom相应位置，否则按页写模式将所有数据重新写入eerpom，并确保所有数据写入正确。操作时先处理eeprom里的重要数据，再处理eeprom里的次要数据，两种数据操作方式一致，具体控制见附图2，详细步骤如下：

第一步、对存取buffer、待存buffer做中的数据对比处理，记录两个buffer中不同数据的个数与位置，作为eeprom更新的参考值，然后执行第二步；

第二步、判断两个buffer中不同数据的个数，从而确定eeprom需要更新的数据的个数，若eeprom需要更新的数据个数大于该类存储数据量的预设比例(例如三分之一)，则执行第三步，否则执行第九步；

第三步、按页操作方式将待存buffer中的数据全部重新存入eerpom存储区，然后执行第四步；

第四步、读取eeprom存储区数据，并完成数据校验，然后执行第五步；

第五步、判断数据读取是否成功且与待存buffer中数据是否一致，若数据正确且与待存buffer中数据一致，则执行第六步，否则执行第七步；

第六步、将待存buffer中数据正确存入备份区，然后执行第十步；

第七步、进行读取存储区失败计数，并判断失败次数是否大于第一预设次数(例如3次)，若读取失败次数大于第一预设次数，则执行第八步，否则执行第一步；

第八步、提示eeprom读写异常，并执行第十步；

第九步、将按字节操作方式不同的数据存入eeprom存储区，然后执行四步；

第十步、返回主程序。

以上描述了本发明的基本原理和主要的特征，说明书的描述只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。