技术特征：
技术总结
本发明公开了一种内置式永磁同步电机漏磁系数解析计算方法，首先假定漏磁系数的值，确定每极主磁通，计算主磁路的磁压降基于主磁路的磁压降；该磁压降也为加在漏磁路上的磁压降，由于磁桥部分的磁阻大，因此该磁压降主要加在了磁桥部分，由此可确定磁桥部分的磁场强度；根据求得的磁桥部分磁场强度；查磁化曲线得到磁桥部分的磁通密度，计算漏磁通，根据所有的漏磁通，求得漏磁系数；若求得的漏磁系数与假设值差别超过阈值，则重新设定漏磁系数，重复上述计算过程；若计算值与假设值的差值在误差允许阈值内时，则计算值就是所求漏磁系数。本发明能准确计算内置式永磁电机的漏磁系数，且便于集成于采用磁路解析法的电磁计算中，提高了电磁计算的准确性。
技术研发人员：王秀和;徐定旺
受保护的技术使用者：山东大学
技术研发日：2017.06.02
技术公布日：2017.09.12