一种内嵌式触控OLED显示装置的制作方法

本申请涉及显示装置领域，特别是涉及一种内嵌式触控oled显示装置。

背景技术：

随着电子科技的发展，目前大多数电子产品，如手机、数码相机、掌上游戏机、仪表仪器等的键盘或鼠标已逐渐被触摸屏替代。触摸屏主要由触摸检测部件和触摸屏控制器组成，触摸检测部件安装在显示器屏幕前面，用于检测用户触摸位置，接收后送触摸屏控制器；而触摸屏控制器的主要作用是从触摸点检测装置上接收触摸信息，并将它转换成触点坐标，再送给中央处理器，它同时能接收中央处理器发来的命令并加以执行。

在目前现有技术中，为实现有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)显示屏的触控功能，一种方案是将触摸屏与oled显示屏均单独制作，然后通过光学透明胶将触摸屏贴合在oled的上表面以形成完整的oled触控显示屏，但这种结构会增加oled触控显示屏的厚度，增加贴合工艺，不利于oled触控显示屏的轻薄化；另一种方案是将触控单元制作在oled显示屏的薄膜封装层上方，但触控单元的制程是在位于该薄膜封装层及其之下的膜层制作完成之后进行的，这些膜层材料的一些特性会对触控单元的制程产生较大限制，从而增加整个触控oled显示装置的制作难度，降低其质量。

技术实现要素：

本申请主要解决的技术问题是提供一种内嵌式触控oled显示装置，以提高内嵌式触控oled显示装置的轻薄化，降低其工艺难度，提高其质量。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种内嵌式触控oled显示装置。所述内嵌式触控oled显示装置包括：薄膜封装层；有机平坦层，设置在所述薄膜封装层上；像素定义层，设置在所述有机平坦层上，定义有多个像素区域；触控电极层，设置在所述像素定义层靠近所述有机平坦层的表面上，和/或设置在所述像素定义层远离所述有机平坦层的表面上。

本申请实施例的有益效果是：区别于现有技术，本申请实施例将触控电极层设置在像素定义层靠近有机平坦层的表面上，和/或设置在像素定义层远离有机平坦层的表面上，通过这种设置方式，不仅能够将触控电极层内嵌于oled显示屏中，提高内嵌式触控oled显示装置的轻薄化；而且能够改善oled显示屏中位于像素定义层上的膜层的材料性能对触控电极层的限制，从而能够降低内嵌式触控oled显示装置的工艺难度，提高其质量。

附图说明

图1是本申请内嵌式触控oled显示装置第一实施例的结构示意图；

图2a是图1实施例的触控电极层的一部分结构的结构示意图；

图2b是图1实施例的触控电极的整体结构的结构示意图；

图3是图1实施例的触控电极层的另一部分结构的结构示意图；

图4a是本申请内嵌式触控oled显示装置第二实施例的结构示意图；

图4b是图4a实施例的部分结构的结构示意图；

图5是本申请内嵌式触控oled显示装置第三实施例的结构示意图；

图6a是本申请内嵌式触控oled显示装置第四实施例的结构示意图；

图6b是图6a实施例的感应电极与驱动电极的结构示意图；

图7是本申请内嵌式触控oled显示装置的制作方法第一实施例的流程示意图；

图8是图7实施例的结构示意图；

图9是本申请内嵌式触控oled显示装置的制作方法第二实施例的流程示意图；

图10是本申请内嵌式触控oled显示装置的制作方法第三实施例的流程示意图。

具体实施方式

请一并参阅图1、图2a及图2b，图1是本申请内嵌式触控oled显示装置第一实施例的结构示意图；图2a是图1实施例的触控电极层的一部分结构的结构示意图；图2b是图1实施例的触控电极的整体结构的结构示意图。本实施例包括：阵列基板101、有机平坦层102、像素定义层103及触控电极层104；其中，有机平坦层102设置在阵列基板101上；像素定义层103设置在有机平坦层102上，且像素定义层103定义有多个像素区域105；触控电极层104设置在像素定义层103靠近有机平坦层102的表面上，并用于检测对本实施例内嵌式触控oled显示屏106的触控操作。

本实施例的触控电极层104设置在像素定义层103靠近有机平坦层102的表面上，可以理解为触控电极层104完全不嵌入，或部分或完全嵌入有机平坦层102的表面。

区别于现有技术，本申请实施例将触控电极层104设置在像素定义层103靠近有机平坦层102的表面上，不仅能够将触控电极层104内嵌于oled显示屏中，提高本实施例内嵌式触控oled显示装置的轻薄化；而且能够改善oled显示屏中位于像素定义层103上的膜层的材料性能对触控电极层104的限制，从而能够降低内嵌式触控oled显示装置106的工艺难度，提高其质量。

其中，本实施例的阵列基板101具体包括由下至上依次设置的导向膜层107、缓冲层108、源漏区层109、第一栅极绝缘层110、第一栅极111、第二栅极绝缘层112、第二栅极113、介质层114及源漏极层115，这些结构都是阵列基板的常用结构，这里不详细介绍，当然，在其它实施例中可以采用其它结构的阵列基板代替阵列基板101。

可选地，本实施例的阵列基板101的源漏极层115中还设有多条引线116，即多条引线116与源漏极层115同层设置，且在阵列基板101上的有机平坦层102设置有多个通孔117，以使触控电极层104通过多个通孔117分别与多条引线116连接，从而能够实现触控电极层104在源漏极层115走线，使触控电极层104的引线116与源漏极层115的源漏电极引线同层引出，二者可以共用同一电路板结合区，通过该结合区，能将触控电极层104的电信号及源漏极层115的电信号送入驱动电路，从而实现触控与显示的一体化。这种结构能够减少内嵌式触控oled显示屏106的厚度、简化其生产工艺，节约其生产成本。

可选地，本实施例触控电极层104包括交叉设置且绝缘的多条感应电极201及多条驱动电极202(如图2a所示)；且多条感应电极201及多条驱动电极202均分布于多个像素区域间105的间隙的投影处，以减少对像素区域105的遮挡。

可选地，为提高触控电极层104的导电性及柔韧性，本实施例的多条感应电极201及多条驱动电极202均为ag、ti、al、mo任一金属材质或任意多个金属的合金材质。当然，在其它实施例中可以其它金属材质，或其它合金材质，或其它非金属材质，在此不做限定。

可选地，本实施例的多条感应电极201及多条驱动电极202同层设置，且均设置在像素定义层103靠近有机平坦层102的表面上。为了保证多条感应电极201及多条驱动电极202相互绝缘，可将每条驱动电极202分成多节，并设置多个导电桥203(如图2b)，使导电桥203位于感应电极201的上方，且连接感应电极201与驱动电极202的交叉处204两侧的驱动电极202，这种方式就能实现同层交叉设置的多条感应电极201及多条驱动电极202相互绝缘；当然，在其它实施例中，也可以将每条感应电极201分成多节，并设置多个导电桥203连接感应电极201与驱动电极202的交叉处204两侧的感应电极201，以实现上述技术效果。当然，在其它实施例中，可以将导电桥301设置于感应电极302的下方(如图3所示)。

当然，本实施例还可以包括位于导电桥203上且起保护作用的保护层205及位于感应电极201和驱动电极202下方的绝缘层206。对于图3实施例的结构，也可以采用类似的扩展结构。

可选地，本实施例的通孔117包括多个第一通孔207和多个第二通孔208，多个第一通孔207及多个第二通孔208均贯穿有机平坦层102至源漏极层115(如图1所示)，以使多条感应电极201通过多个第一通孔207与相应的引线116连接，多条驱动电极202通过多个第二通孔208与相应的引线116连接。

可选地，本实施例还包括构成内嵌式触控oled显示屏106的其它结构，如设置在像素定义层103上的发光层118，及设置于发光层118上的薄膜封装层119，从上述介绍可知，触控电极层104位于发光层118之下，也就是说在内嵌式触控oled显示屏106的制作过程中，先形成触控电极层104，再形成发光层118，因此能够改善发光层118的有机发光材料的不耐高温的特性对触控电极层104的制作过程中高温制程的限制，从而能够降低内嵌式触控oled显示装置106的工艺难度，提高其质量。

可选地，本实施例的发光层118包括阴极层120，多条感应电极201及多条驱动电极202与阴极层120形成多个触控电容(未标出)。

具体地，请一并参阅图4a、图4b，图4a是本申请内嵌式触控oled显示装置第二实施例的结构示意图；图4b是图4a实施例的部分结构的结构示意图。本实施例的多条感应电极401及多条驱动电极402相应位置处设置有断点403，从而将整个触控电极层404划分成若干个独立的触控电极单元405。每个触控单元401与阴极层406间分别形成电容407(如图4b所示)。每个独立的触控电极单元405通过通孔408与源漏极层的引线409连接，并将该引线409延伸至结合区410。当触摸本实施例内嵌式触控oled显示装置的屏幕时，会改变电容407的电容值；通过引线409能检测该电容值的变化，从而能够获得触摸位置信息及执行相应的操作。本实施例对每个触控单元电极405中的通孔408的数量不做具体限定，可以是一个、或两个、或多个。

请参阅图5，图5是本申请内嵌式触控oled显示装置第三实施例的结构示意图。本实施例与图1实施例的区别在于，触控电极层501设置在像素定义层502远离有机平坦层503的表面上。相应地，触控电极层501的多条感应电极及多条驱动电极均设置在像素定义层502远离有机平坦层503的表面上。本实施例的多个通孔504均贯穿像素定义层502及有机平坦层503至源漏极层505，以使触控电极层501的多条感应电极及多条驱动电极通过多个通孔504与相应的引线506。关于本实施例其它具体结构及扩展与图1实施例相同，这里不赘述。

请一并参阅图6a、图6b，图6a是本申请内嵌式触控oled显示装置第四实施例的结构示意图；图6b是图6a实施例的感应电极与驱动电极的结构示意图。本实施例与图1实施例的区别在于，多条感应电极601与多条驱动电极604非同层设置，具体地，多条感应电极601均设置在像素定义层602远离有机平坦层603的表面上，多条驱动电极604均设置在像素定义层602靠近有机平坦层603的表面上，二者间通过像素定义层602绝缘。本实施例的多个第一通孔604均贯穿像素定义层602及有机平坦层603至源漏极层605，以使多条感应电极601通过多个第一通孔604与相应的引线606；多个第二通孔607均贯穿有机平坦层603至源漏极层605，以使多条驱动电极604通过多个第二通孔607与相应的引线606。关于本实施例其它具体结构及扩展与图1实施例相同，这里不赘述。

请一并参阅图7、图8，图7是本申请内嵌式触控oled显示装置的制作方法第一实施例的结构示意图；图8是图7实施例的结构示意图。本实施例用于制作上述图1实施例的内嵌式触控oled显示装置。本实施例具体包括以下步骤：

步骤701：形成阵列基板801，其中，阵列基板801设置有源漏极层802。阵列基板801的结构已在上述装置实施例中进行了介绍，且阵列基板801的制作工艺可采用现有技术进行，这里不进行介绍。

步骤702：在源漏极层802中形成多条引线803。

具体地，本实施例的源漏极层802的源电极804及漏电极805与多条引线803可以采用同一道工艺制成。

步骤703：在多条引线803及源漏极层802上形成有机平坦化层806。

步骤704：在有机平坦化层806上形成多个通孔807。

多个通孔807可以但不局限于采用曝光显影方式形成。

步骤705：在有机平坦化层806远离阵列基板801的表面上形成触控电极层808；并使触控电极层808通过多个通孔807分别与多条引线803连接。

本实施例的触控电极层可以但不局限于利用预设图案的光罩，通过干法刻蚀的方法形成。

区别于现有技术，本实施例不仅能够将触控电极层808内嵌于oled显示屏中，提高本实施例内嵌式触控oled显示装置的轻薄化；而且能够改善oled显示屏中位于有机平坦层806之上的膜层的材料性能对触控电极层808的限制，从而能够降低本实施例内嵌式触控oled显示装置的工艺难度，提高其质量。

可选地，本实施例在步骤705之后还包括在有机平坦化层806及触控电极层808上依次形成像素定义层809及发光层810，以改善发光层810的有机发光材料的不耐高温的特性对触控电极层808的制作过程中高温制程的限制。

请参阅图9，图9是本申请内嵌式触控oled显示装置的制作方法第二实施例的结构示意图。本实施例包括步骤901-步骤906。本实施例用于制作图5实施例的内嵌式触控oled显示装置。本实施例与图7实施例的区别在于，先在有机平坦层上形成像素定义层，然后在像素定义层上形成触控电极层，使得触控电极层设置于像素电极层远离有机平坦层的表面上，且通孔贯穿像素定义层与有机平坦层。本实施例的其它步骤与图7实施例相同，这里不赘述。

请参阅图10，图10是本申请内嵌式触控oled显示装置的制作方法第三实施例的结构示意图。本实施例用于制作图6实施例的内嵌式触控oled显示装置。本实施例包括步骤1001-步骤106。本实施例与图7实施例的区别在于，先在有机平坦层上形成触控电极层的驱动电极，然后在有机平坦层及驱动电极上形成像素定义层，最后在像素定义层上形成触控电极层的感应电极，使得触控电极层的驱动电极与感应电极分别位于像素电极层靠近有机平坦层的表面上及像素电极层远离有机平坦层的表面上，且连接驱动电极的第一通孔贯穿有机平坦层，连接感应电极的第二通孔贯穿像素定义层及有机平坦层。本实施例的其它步骤与图7实施例相同，这里不赘述。

区别于现有技术，本实施例不仅能够将触控电极层内嵌于oled显示屏中，提高本实施例内嵌式触控oled显示装置的轻薄化；而且能够改善oled显示屏中位于像素定义层之上的膜层的材料性能对触控电极层的限制，从而能够降低本实施例内嵌式触控oled显示装置的工艺难度，提高其质量。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。