1.一种用于人工智能的神经元模拟电路，其特征在于，包括用于模拟细胞膜内外离子平衡电势的第一电源、用于保护第一电源的分压电阻、用于模拟钠离子和钾离子平衡电势的第二电源、用于模拟膜漏电导和突触活动的电位器组、用于模拟膜电容的第一电容、用于模拟脉冲触发的比较器以及用于模拟脉冲控制的控制器，其中：
所述分压电阻与所述第一电源的负极连接；所述第一电容并联在所述分压电阻和所述第一电源两端；第一电位器与所述第二电源的正极连接，所述第二电源的负极与所述控制器连接，所述第一电位器、第二电源、控制器串联构成的支路与所述第一电容并联连接；所述控制器具有输入引脚，所述比较器的第一输入端和输出端分别并联在所述第一电位器与所述控制器的输入引脚两端，所述比较器的第二输入端输入与所述第一电位器对应的门控电压；所述控制器用于输出模拟神经元脉冲的脉冲信号，作为所述第一电位器的控制信号，所述控制信号用于控制所述第一电位器模拟突触活动。
2.根据权利要求1所述的用于人工智能的神经元模拟电路，其特征在于，所述电位器组包括相互并联连接的至少一个用于模拟可兴奋膜钠电导的第一电位器、至少一个用于模拟可兴奋膜钾电导的第二电位器以及至少一个用于模拟抑制性化学门控通道电导的第三电位器。
3.根据权利要求2所述的用于人工智能的神经元模拟电路，其特征在于，所述控制电路包括依次连接的反相器、第一定时器以及第二定时器，所述第一定时器输出的脉冲信号用于模拟突触联接延时，以控制所述第二电位器的电压变化；所述第二定时器输出的脉冲信号用于模拟突触联接延时，以控制所述第三电位器的电压变化。
4.根据权利要求3所述的用于人工智能的神经元模拟电路，其特征在于，所述第一定时器以及所述第二定时器均为ICM7555芯片。
5.根据权利要求3所述的用于人工智能的神经元模拟电路，其特征在于，所述反相器为MC74F04芯片。