本发明属于存储
技术领域：
：，尤其涉及一种固态盘中纠错算法的优化方法及系统。
背景技术：
：计算机闪存设备nand技术不断进步，从之前的2d的slc、mlc、tlc到3dtlc，容量增大，成本降低，但可靠性也随着降低，之前的bch(bose-chaudhuri-hocquenghemcodes)算法已经不能满足3dnand的可靠性要求，低密度奇偶校验码(lowdensityparitycheckcode，ldpc)已经全面应用于3dnand的固态硬盘中。ldpc中有硬解码和软解码两个过程，第一阶段是硬解码，不需要软件过多参与，如果硬解码恢复出来的数据正确，就不需要再做软解码；软解码需要软件提供对数似然比llrtable以及多次读取nand的原始数据作为输入给ldpc软解码单元(增加读时延)。ldpc硬解码需要软件设置llr0和llr1的值，而这个值关系到硬解码能力，llr0和llr1默认设置成相等值，也就是说0和1的概率是相同的，nand生命初期0和1相同，但随着nand寿命损耗，0和1的概率不通，导致硬解码失败概率变大，以至于进入ldpc软纠错增加读请求时延。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种固态盘中纠错算法的优化方法，旨在解决现有技术中llr0和llr1默认设置成相等值，导致硬解码失败，增加读请求时延的问题。本发明是这样实现的，一种固态盘中纠错算法的优化方法，所述方法包括下述步骤：控制io读单元获取所述io读单元所对应的nand块的擦除次数，得到所述nand的使用寿命阶段；将获取到的nand块的擦使用寿命阶段与预先设置的硬解码llr表进行比对，从所述硬解码llr表查找与所述nand块的使用寿命阶段相匹配的llr0和llr1特征值；将查找到的所述llr0和llr1特征值发送给ldpc硬解码单元；使用所述llr0和llr1特征值，控制所述ldpc硬解码单元对读取出的nand原始数据进行解码，并将解码后的数据反馈给所述io读单元。作为一种改进的方案，所述方法还包括下述步骤：预先生成硬解码llr表，所述硬解码llr表中包含有块擦除次数以及与块擦除次数相对应的llr0和llr1特征值信息。作为一种改进的方案，所述预先生成硬解码llr表的步骤具体包括下述步骤：将nand的使用寿命划分为若干个阶段；测量划分的每一个寿命阶段的nand的llr0和llr1特征值信息；在每一个寿命阶段与与其对应的llr0和llr1特征值之间建立关联对应关系，生成所述硬解码llr表。作为一种改进的方案，每个所述nand的使用寿命阶段的步长为1000步；步长为1至步长1000为第一个使用寿命阶段；步长为1001至步长2000为第二个使用寿命阶段；以此类推；步长为n*1000+1至步长n*1000+1000为第n个使用寿命阶段。作为一种改进的方案，所述ldpc硬解码单元为flash控制器。本发明的另一目的在于提供一种固态盘中纠错算法的优化系统，所述系统包括：使用寿命阶段获取模块，用于控制io读单元获取所述io读单元所对应的nand块的擦除次数，得到所述nand的使用寿命阶段；比对模块，用于将获取到的nand块的擦使用寿命阶段与预先设置的硬解码llr表进行比对，从所述硬解码llr表查找与所述nand块的使用寿命阶段相匹配的llr0和llr1特征值；特征值发送模块，用于将查找到的所述llr0和llr1特征值发送给ldpc硬解码单元；解码模块，用于使用所述llr0和llr1特征值，控制所述ldpc硬解码单元对读取出的nand原始数据进行解码；反馈模块，用于将解码后的数据反馈给所述io读单元。作为一种改进的方案，所述系统还包括：硬解码llr表生成模块，用于预先生成硬解码llr表，所述硬解码llr表中包含有块擦除次数以及与块擦除次数相对应的llr0和llr1特征值信息。作为一种改进的方案，所述硬解码llr表生成模块具体包括：阶段划分模块，用于将nand的使用寿命划分为若干个阶段；特征值测量模块，用于测量划分的每一个寿命阶段的nand的llr0和llr1特征值信息；关联对应关系建立模块，用于在每一个寿命阶段与与其对应的llr0和llr1特征值之间建立关联对应关系，生成所述硬解码llr表。作为一种改进的方案，每个所述nand的使用寿命阶段的步长为1000步；步长为1至步长1000为第一个使用寿命阶段；步长为1001至步长2000为第二个使用寿命阶段；以此类推；步长为n*1000+1至步长n*1000+1000为第n个使用寿命阶段。作为一种改进的方案，所述ldpc硬解码单元为flash控制器。在本发明实施例中，控制io读单元获取所述io读单元所对应的nand块的擦除次数，得到所述nand的使用寿命阶段；将获取到的nand块的擦使用寿命阶段与预先设置的硬解码llr表进行比对，从所述硬解码llr表查找与所述nand块的使用寿命阶段相匹配的llr0和llr1特征值；将查找到的所述llr0和llr1特征值发送给ldpc硬解码单元；使用所述llr0和llr1特征值，控制所述ldpc硬解码单元对读取出的nand原始数据进行解码，并将解码后的数据反馈给所述io读单元，从而提升对nand原始数据的解码能力，降低了读请求延时，从而优化了固态硬盘的纠错算法。附图说明图1是本发明提供的固态盘中纠错算法的优化方法的实现流程图；图2是本发明提供的预先生成硬解码llr表的实现流程图；图3是本发明提供的固态盘中纠错算法的优化系统的结构框图。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。图1示出了本发明提供的固态盘中纠错算法的优化方法的实现流程图，其具体包括下述步骤：在步骤s101中，控制io读单元获取所述io读单元所对应的nand块的擦除次数，得到所述nand的使用寿命阶段。在步骤s102中，将获取到的nand块的擦使用寿命阶段与预先设置的硬解码llr表进行比对，从所述硬解码llr表查找与所述nand块的使用寿命阶段相匹配的llr0和llr1特征值。在步骤s103中，将查找到的所述llr0和llr1特征值发送给ldpc硬解码单元。在该实施例中，所述ldpc硬解码单元为flash控制器。在步骤s104中，使用所述llr0和llr1特征值，控制所述ldpc硬解码单元对读取出的nand原始数据进行解码，并将解码后的数据反馈给所述io读单元。在本发明实施例中，在执行上述步骤s101之前还需要执行下述步骤：预先生成硬解码llr表，所述硬解码llr表中包含有块擦除次数以及与块擦除次数相对应的llr0和llr1特征值信息；其中，如图2所示，预先生成硬解码llr表的步骤具体包括下述步骤：在步骤s201中，将nand的使用寿命划分为若干个阶段；在步骤s202中，测量划分的每一个寿命阶段的nand的llr0和llr1特征值信息；在步骤s203中，在每一个寿命阶段与与其对应的llr0和llr1特征值之间建立关联对应关系，生成所述硬解码llr表。在该实施例中，每个所述nand的使用寿命阶段的步长为1000步；步长为1至步长1000为第一个使用寿命阶段；步长为1001至步长2000为第二个使用寿命阶段；以此类推；步长为n*1000+1至步长n*1000+1000为第n个使用寿命阶段。例如，当获取到当前nand块的擦除次数为7000次，这对应的使用寿命阶段为第七个使用寿命阶段，那么找出第七个使用寿命阶段所对应的llr0和llr1特征值即可。在本发明实施例中，固态盘中纠错算法的优化方法中采用动态设置llr0和llr1特征值的方式，提升ldpc的硬解码能力。图3示出了本发明提供的固态盘中纠错算法的优化系统的结构框图，为了便于说明，图中仅给出了与本发明实施例相关的部分。固态盘中纠错算法的优化系统包括：使用寿命阶段获取模块11，用于控制io读单元获取所述io读单元所对应的nand块的擦除次数，得到所述nand的使用寿命阶段；比对模块12，用于将获取到的nand块的擦使用寿命阶段与预先设置的硬解码llr表进行比对，从所述硬解码llr表查找与所述nand块的使用寿命阶段相匹配的llr0和llr1特征值；特征值发送模块13，用于将查找到的所述llr0和llr1特征值发送给ldpc硬解码单元；解码模块14，用于使用所述llr0和llr1特征值，控制所述ldpc硬解码单元对读取出的nand原始数据进行解码；反馈模块15，用于将解码后的数据反馈给所述io读单元。在该实施例中，硬解码llr表生成模块16，用于预先生成硬解码llr表，所述硬解码llr表中包含有块擦除次数以及与块擦除次数相对应的llr0和llr1特征值信息。其中，硬解码llr表生成模块16具体包括：阶段划分模块17，用于将nand的使用寿命划分为若干个阶段；特征值测量模块18，用于测量划分的每一个寿命阶段的nand的llr0和llr1特征值信息；关联对应关系建立模块19，用于在每一个寿命阶段与与其对应的llr0和llr1特征值之间建立关联对应关系，生成所述硬解码llr表。其中，上述各个模块的功能如上述方法实施例所记载，在此不再赘述。在本发明实施例中，控制io读单元获取所述io读单元所对应的nand块的擦除次数，得到所述nand的使用寿命阶段；将获取到的nand块的擦使用寿命阶段与预先设置的硬解码llr表进行比对，从所述硬解码llr表查找与所述nand块的使用寿命阶段相匹配的llr0和llr1特征值；将查找到的所述llr0和llr1特征值发送给ldpc硬解码单元；使用所述llr0和llr1特征值，控制所述ldpc硬解码单元对读取出的nand原始数据进行解码，并将解码后的数据反馈给所述io读单元，从而提升对nand原始数据的解码能力，降低了读请求延时，从而优化了固态硬盘的纠错算法。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页12当前第1页12