用于SIM卡读卡器的应用电路的制作方法

文档序号:16648350发布日期:2019-01-18 19:07阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于SIM卡读卡器的应用电路,其特征在于:包括主控芯片U1,还包括与所述主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4;

所述SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路,所述第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2,所述第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4;

所述三极管Q1的基极连接所述主控芯片的控制端,所述三极管Q1的集电极连接所述场效应管Q2的栅极,所述三极管Q1的发射极接地,所述场效应管Q2的漏极连接所述SIM卡槽U3的供电输入端,所述三极管Q3的基极连接所述主控芯片的控制端,所述三极管Q3的集电极连接所述场效应管Q4的栅极,所述三极管Q3的发射极接地,所述场效应管Q4的漏极连接所述SIM卡槽U4的供电输入端,所述场效应管Q2的源极和栅极之间连接有电阻R13,所述场效应管Q4的源极和栅极之间连接有电阻R19,所述场效应管Q2的源极和所述场效应管Q4的源极并联接入电源。

2.如权利要求1所述的用于SIM卡读卡器的应用电路,其特征在于:所述SIM卡槽U3的引脚CD和所述主控芯片U1之间电性连接。

3.如权利要求1所述的用于SIM卡读卡器的应用电路,其特征在于:所述三极管Q1的基极串联有电阻R1,所述三极管Q1的基极和发射极之间连接有电阻R2。

4.如权利要求1所述的用于SIM卡读卡器的应用电路,其特征在于:所述三极管Q3的基极串联有电阻R3,所述三极管Q3的基极和发射极之间连接有电阻R4。

5.如权利要求1所述的用于SIM卡读卡器的应用电路,其特征在于:所述场效应管Q2的漏极和所述SIM卡槽U3的供电输入端之间连接有电容C20,所述电容C20的另一端接地。

6.如权利要求1所述的用于SIM卡读卡器的应用电路,其特征在于:所述场效应管Q4的漏极和所述SIM卡槽U4的供电输入端之间连接有电容C26,所述电容C26的另一端接地。

7.一种SIM卡读卡器,包括如权利要求1-6的用于SIM卡读卡器的应用电路。

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