存储器的制作方法

本实用新型涉及电子器件技术领域，尤其提供一种存储器。

背景技术：

存储器作为数据存储载体，是电子系统的重要组成部分。近年来存储器向着低功耗、高密度的方向发展，工艺尺寸也越来越小。目前使用的主流存储器为flash和dram，由于存储单元结构，其工艺尺寸减小使得器件易受外界辐射粒子的影响，出现晶体管漏电、绝缘特性下降等结构退化使得存储信息保持时间降低，器件失效。这些氧化层缺陷引起的失效，可以通过退火来得到恢复。因此，需要进行退火来消除上述问题。然而，现有的退火方式是将存储器取下，并放置在退火炉中进行退火。但是，在极端条件或是不适宜将存储器取下的情况，存储器则无法通过退火恢复。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种存储器，旨在解决现有的存储器无法实现自主退火的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种存储器，包括封闭腔体、设于所述封闭腔体内的若干存储芯片以及设于所述封闭腔体内且用于向各所述存储芯片提供退火热源的若干加热件。

在一个实施例中，所述存储芯片和所述加热件的数量均为一个，所述存储芯片和所述加热件自上而下层叠设于所述封闭腔体内。

在一个实施例中，所述存储芯片的数量至少为两个，所述加热件的数量至少为一个，各所述存储芯片与各所述加热件自下而上依次交替层叠设置于所述封闭腔体内。

在一个实施例中，所述存储芯片设于所述封闭腔体的底部内侧，所述加热件设于所述封闭腔体的顶部内侧。

在一个实施例中，所述存储芯片设于所述封闭腔体的底部内侧，所述加热件围设于所述存储芯片的外侧。

在一个实施例中，所述存储器还包括第一辅助加热件，所述第一辅助加热件设于所述封闭腔体的顶部内侧。

在一个实施例中，所述存储器还包括第二辅助加热件，所述第二辅助加热件围设于所述存储芯片的外侧。

在一个实施例中，所述存储器还包括第二辅助加热件，所述第二辅助加热件围设于所述存储芯片的外侧。

在一个实施例中，所述加热件为加热芯片、电阻丝以及碳棒中的一种或多种。

在一个实施例中，所述加热芯片包括芯片本体、设于所述芯片本体上的且独立工作的若干加热单元以及设于所述芯片本体上的若干温度传感器。

本实用新型的有益效果：本实用新型的提供的存储器，将存储芯片与加热件封装在一个封闭腔体内，确保退火时的隔温要求，同时，加热件则为存储芯片提供热源以满足其退火需求。这样，在极端环境下，或者，不适宜将存储芯片拆卸进行退火的条件下，本申请的存储器能够实现自主地退火，避免对存储器进行拆卸来实现退火维护。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例一提供的存储器的剖面图；

图2为本实用新型实施例一提供的存储器的另一剖面图；

图3为本实用新型实施例一提供的存储器的又一剖面图；

图4为本实用新型实施例一提供的存储器的再一剖面图；

图5为本实用新型实施例一提供的存储器的的加热件的结构示意图；

图6为本实用新型实施例二提供的存储器的剖面图；

图7为本实用新型实施例三提供的存储器的剖面图；

图8为本实用新型实施例四提供的存储器的剖面图。

其中，图中各附图标记：

封闭腔体10、存储芯片20、加热件30、第一辅助加热件40、第二辅助加热件50、罩体11、基板12、芯片本体31、加热单元32、温度传感器33。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

请参考图1，本实用新型实施提供的存储器，包括封闭腔体10、设于封闭腔体10内的若干存储芯片20以及设于封闭腔体10内且用于向存储芯片20提供退火热源的若干加热件30。这里，封闭腔体10可以是封装壳体，用于隔绝内部温度，避免封闭腔体外的元器件受到高温影响，而加热件30则为存储芯片20提供退火热源。

本实用新型实施例提供的存储器，将存储芯片20与加热件30封装在一个封闭腔体10内，确保退火时的隔温要求，同时，加热件30则为存储芯片20提供热源以满足其退火需求。这样，在极端环境下，或者，不适宜将存储芯片20拆卸进行退火的条件下，本申请的存储器能够实现自主地退火，避免对存储器进行拆卸来实现退火维护。

请参考图1，在本实施例中，封闭腔体10包括罩体11以及封堵于罩体11的开口端的基板12，基板12直接与外部的控制电路电性连接。即利用罩体11和基板12围合形成封闭空间，降低内部热量向外扩散的效率。优选地，基板12为低热阻基板。

实施例一

请参考图1，在本实施例中，存储芯片20和加热件30的数量均为一个，存储芯片20和加热件30自上而下层叠设于封闭腔体10内。具体地，通过3d堆叠方式，采用金字塔结构的形式，将存储芯片20置于加热件30上。即加热件30工作时，将热量直接传输至存储芯片20上，实现退火过程。优选地，加热件30为加热芯片，将存储芯片20层叠于加热芯片上，并且，存储芯片20的引脚直接连接于基板12上，减少存储芯片20的引脚的长度，有利于存储芯片20的信号完整性。同时，加热芯片的引脚直接连接于封闭腔体10的基板12上，而基板12直接与外部控制电路电性连接，这样，加热芯片的开关以及升温速率可由通过外部控制电路进行操控。

优选地，请参考图2，为了进一步提高退火过程中，升温速率，在封闭腔体10的顶部内侧设置一第一辅助加热件40。这里，第一辅助加热件40可为电阻丝，或碳棒等发热元件。即加热件30和第一辅助加热件40可从存储芯片20的上下两个方向传输热量，实现快速升温。

优选地，请参考图3，为了进一步提高退火过程中，升温速率，在封闭腔体10的外侧围设有第二辅助加热件50，这里，第二辅助加热件50可为电阻丝，或碳棒等发热元件。同理地，第二辅助加热件50同样能够快速升高封闭腔体10内的温度。

优选地，请参考图4，在具有加热件30的基础上，还增设了设于封闭腔体10顶部内侧的第一辅助加热件40，以及围设于存储芯片20外侧的第二辅助加热件50。同样地，利用第一辅助加热件40，第二辅助加热件50以及加热件30从三个方向对存储芯片20进行环绕式加热，进一步地提高升温速率。

加热件30可为加热芯片、电阻丝以及碳棒中的一种或多种。或者，其他能够满足存储芯片退火需求的加热元件均可。请参考图5，在本实施例中，加热件30为加热芯片，加热芯片包括芯片本体31、设于芯片本体31上的且独立工作的若干加热单元32以及设于芯片本体31上的若干温度传感器33。可以理解地，芯片本体31与封闭腔体的基板12进行电连接，其中，各加热单元32可直接由外部控制电路进行控制加热，以及各温度传感器33则将该控制区域的温度信号反馈至外部控制电路，进而由外部控制电路对各加热单元32进行温度调节。优选地，由于各加热单元32可独立工作，则可实现存储芯片按区域进行退火，即可实现全面退火和局部区域退火。优选地，各加热单元32平行且间隔地设于芯片本体31上。当然，各加热单元32在芯片本体31上呈阵列分布。以及，优选地，各温度传感器33呈阵列布设于芯片本体31上。当然，根据实际需求温度传感器33的排布方式可不同，这里不一一阐述。

实施例二

与实施例一不同之处在于，存储芯片20的数量至少为两个，而加热件30的数量至少为一个。优选地，请参考图6，存储芯片20的数量为两个，加热件30的数量为一个，此时，第一个存储芯片20放置于封闭腔体10的底部内侧，再在存储芯片20上设置加热件30，最后，将第二个存储芯片20放置于加热件30上，形成交替层叠结构。或者，当存储芯片20的数量大于两个，加热件30的数量与存储芯片20的数量相同，或者，比存储芯片20的数量少一个，这样，各存储芯片20与各加热件30自下而上依次交替层叠设置于封闭腔体10内。

实施例三

请参考图7，与实施例一不同之处在于，存储芯片20设于封闭腔体10的底部内侧，加热件30设于封闭腔体10的顶部内侧。同理地，设置于封闭腔体10的顶部内侧的加热件30同样可对存储芯片20进行加热退火。

实施例四

请参考图8，与实施例一不同之处在于，存储芯片20设于封闭腔体10的底部内侧，加热件30围设于存储芯片20的外侧。同理地，围设于存储芯片20周向的加热件30同样可对存储芯片20进行加热退火。

以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。