一种实现服务器Flash正反放置的装置及方法与流程

本发明涉及flash供电装置领域，尤其涉及一种实现服务器flash正反放置的装置。

背景技术：

flash是一种非易失性(non-volatile)内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。很多设备都是将基本的驱动程序都是烧录在flash中。

现有的技术中flash封装芯片的结构是非常对称的矩形结构，在结构上不具备防接反的特性，即使在flash封装芯片上有丝印标注第一管脚，但在实际使用中丝印不容易分辨。因此易出现因失误将flash封装芯片装反的情况，在flash封装芯片装反情况下，vcc与gnd管脚反接，通电开机时则会产生短路，在实际使用中如果芯片接反，轻则损坏flash芯片，造成无法开机等问题，严重的情况下会使整个主板报废，而无法使用。

目前一种方式是在flash的供电线路加入熔断保险二极管采取efuse及mos管等方式进行过流保护中断，另一种方式是采用在供电段加入pct热敏电阻，并将一端接到bmc中。正常flash工作时，接入bmc端信号为高电平；flash接反时，bmc端信号为低电平，bmc检测到拉低的过流信号后立刻对cpld发出断电指令，并在日志中记录该次过流事件；同时cpld端接收到bmc端下电信号后对服务器进行断电操作；出现异常可通过日志定位到安装问题，近而进行调整芯片。上述方式均没有实现flash芯片反接兼容。

技术实现要素：

本发明提供实现服务器flash正反放置的装置，旨在解决现有技术中由于flash在结构上对称的，在连接时容易造成flash反接，一旦反接通电开机时则会产生短路，在实际使用中如果芯片接反，轻则损坏flash芯片，造成无法开机等问题，严重的情况下会使整个主板报废，而无法使用的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种实现服务器flash正反放置的装置，包括安装flash芯片的管座和复杂可编程逻辑器，其中，

所述复杂可编程逻辑器配置判断模块、第一数据选择模块、第二数据选择模块、第三数据选择模块和第四数据选择模块，

所述判断模块的输入端连接所述管座的第二管脚；所述判断模块的输出端连接所述第一数据选择模块、所述第二数据选择模块、第三数据选择模块和第四数据选择模块；

所述第一数据选择模块的输入端连接基板管理控制器，所述第一数据选择模块的输出端连接所述管座第七管脚；

所述第二数据选择模块的输入端连接所述基板管理控制器，所述第二数据选择模块的输出端连接所述管座的第八管脚；

所述第三数据选择模块的输入端连接基板管理控制器，所述第三数据选择模块的输出端连接所述管座第十五管脚；

所述第四数据选择模块的输入端连接所述基板管理控制器，所述第四数据选择模块的输出端连接所述管座的第十六管脚；

所述管座的第二管脚连接第一选择电路，所述管座的第十管脚连接第二选择电路，所述第一选择电路和所述第二选择电路连接所述复杂可编程逻辑器。

优选地，所述第一选择电路包括第一电源，所述第一电源连接场效应管q1的漏极，所述场效应管q1的源极连接场效应管q2的漏极，所述场效应管q2的源极接地，所述场效应管q1和所述场效应管q2的栅极电性连接并共同连接到所述复杂可编程逻辑器，所述管座的第二管脚连接于所述场效应管q1源极与所述场效应管q2漏极之间，所述第二管脚经电阻r1连接所述第一电源。

优选地，所述场效应管q1和所述场效应管q2的搭配为以下两种情况的任一种：所述场效应管q1为p型场效应管且所述场效应管q2为n型场效应管；所述场效应管q1为n型场效应管且所述场效应管q2为p型场效应管。

优选地，所述第二选择电路包括第二电源，所述第二电源连接场效应管q3的漏极，所述场效应管q3的源极连接场效应管q4的漏极，所述场效应管q4的源极接地，所述场效应管q3和所述场效应管q4的栅极电性连接并共同连接到所述复杂可编程逻辑器，所述管座的第十管脚连接于所述场效应管q3源极与所述场效应管q4漏极之间。

优选地，所述场效应管q3和所述场效应管q4的搭配为以下两种情况的任一种：

所述场效应管q3为p型场效应管且所述场效应管q4为n型场效应管；

所述场效应管q3为n型场效应管且所述场效应管q4为p型场效应管。

优选地，所述判断模块的输入端经电阻r2连接所述第二管脚。

优选地，所述管座的第一管脚通过上拉电阻r4连接第三电源，所述管座的第九管脚通过上拉电阻r3连接第三电源。

优选地，所述第一数据选择模块的一个输入端连接所述基板管理控制器的cs端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器的mosi端口；所述第二数据选择模块的一个输入端连接所述基板管理控制器的clk端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器的miso端口；所述第三数据选择模块的一个输入端连接所述基板管理控制器的clk端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器的miso端口；所述第四数据选择模块的一个输入端连接所述基板管理控制器的cs端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器的mosi端口。

优选地，所述复杂可编程逻辑器通过uart串口连接所述基板管理控制器。

此外，本发明还提供一种实现服务器flash正反放置的方法，应用于所述的实现服务器flash正反放置的装置，包括：

复杂可编程逻辑器通过接收的高低电平判断连接管座的flash芯片正接还是反接；

如果正接，则所述复杂可编程逻辑器控制第一数据选择模块接通基板管理控制器的cs端口；控制第二数据选择模块接通基板管理控制器的miso端口，控制第三数据选择模块接通基板管理控制器的clk端口，控制第四数据选择模块接通基板管理控制器的mosi端口；所述复杂可编程逻辑器控制场效应管q2导通，场效应管q1截止，场效应管q3导通，场效应管q4截止；

如果反接，则所述复杂可编程逻辑器控制第一数据选择模块接通基板管理控制器的mosi端口；控制第二数据选择模块接通基板管理控制器的clk端口，控制第三数据选择模块接通基板管理控制器的miso端口，控制第四数据选择模块接通基板管理控制器的cs端口；所述复杂可编程逻辑器控制场效应管q2截止，场效应管q1导通，场效应管q3截止，场效应管q4导通；

所述复杂可编程逻辑器向所述基板管理控制器传输flash芯片连接状态信息。

本申请提出的一种实现服务器flash正反放置的装置具体有以下有益效果：

当flash芯片正接时，第二管脚输出高电平，当flash芯片反接时，第二管脚输出低电平，本发明利用所述判断模块检测所述第二管脚的电平来判断所述flash芯片正接或者反接，如果正接，则所述判断模块控制所述第一数据选择模块、所述第二数据选择模块、所述第三数据选择模块和所述第四数据选择模块选择正接的数据通路，所述判断模块控制所述第一选择电路的场效应管q2导通，场效应管q1截止，使得第二管脚接地，控制所述第二选择电路的场效应管q3导通，场效应管q4截止，使得第十管脚接第二电源；如果反接则所述判断模块控制所述第一数据选择模块、所述第二数据选择模块、所述第三数据选择模块和所述第四数据选择模块选择反接的数据通路，所述判断模块控制所述第一选择电路的场效应管q2截止，场效应管q1导通，使得第二管脚接第一电源，控制所述第二选择电路的场效应管q3截止，场效应管q4导通，使得第十管脚接地；从而实现所述复杂可编程逻辑器根据flash芯片的正反接来配置管脚连接，保证flash芯片反接也能正常工作。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1是本发明实施例中实现服务器flash正反放置的装置一种实施结构图；

图2是本发明实施例中基板管理控制器的io示意图；

图3是本发明实施例中spi传输线通过上拉电阻连接第三电源、第一管脚通过电阻r4连接第三电源和第九管脚通过电阻连接第三电源示意图；

图4是本发明实施例中复杂可编程逻辑器与羁绊管理控制器的连接示意图；

图5是本发明实施例中第一数据选择模块、第二数据选择模块、第三数据选择模块和第四数据选择模块的逻辑示意图；

图6是本发明实施例中实现服务器flash正反放置的方法的流程图。

图中标号及含义如下：

100、管座，200、负责可编程逻辑器，201、判断模块，202、第一数据选择模块，203、第二数据选择模块，204、第三数据选择模块，205、第四数据选择模块，300、基板管理控制器，400、第一选择电路，500、第二选择电路。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1

参阅图1所示，一种实现服务器flash正反放置的装置，包括安装flash芯片的管座100和复杂可编程逻辑器200，其中，

所述复杂可编程逻辑器200配置判断模块201、第一数据选择模块202、第二数据选择模块203、第三数据选择模块204和第四数据选择模块205，具体实施过程中，参阅图5所示，一种可行的第一数据选择模块202，或者第二数据选择模块203，或者第三数据选择模块204或者第五数据选择模块的逻辑结构为如下：以一个或门的输出作为所述第一数据选择模块202的输出，所述或门的两个输入端分别连接第一与门的输出端和第二与门的输出端，所述第一与门的一个输入端和所述第二与门的一个输入端作为所述第一数据选择模块202的数据输入端，所述第一与门的另一个输入端连接非门的输出端，所述非门的输入端和所述第二与门的另一个输入端连接作为控制端。

所述判断模块201的输入端经电阻r2连接所述管座100的第二管脚；所述判断模块201的输出端连接所述第一数据选择模块202、所述第二数据选择模块203、第三数据选择模块204和第四数据选择模块205的控制端。

所述第一数据选择模块202的一个输入端连接所述基板管理控制器300的cs端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器300的mosi端口；所述第一数据选择模块202的输出端连接所述管座100第七管脚；

所述第二数据选择模块203的一个输入端连接所述基板管理控制器300的clk端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器300的miso端口；所述第二数据选择模块203的输出端连接所述管座100的第八管脚；

所述第三数据选择模块204的一个输入端连接所述基板管理控制器300的clk端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器300的miso端口；所述第三数据选择模块204的输出端连接所述管座100第十五管脚；

所述第四数据选择模块205的一个输入端连接所述基板管理控制器300的cs端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器300的mosi端口；所述第四数据选择模块205的输出端连接所述管座100的第十六管脚。

所述管座100的第二管脚连接第一选择电路400，具体的，所述第一选择电路400包括第一电源，所述第一电源的电压为3.3v，所述第一电源连接p型的场效应管q1的漏极，p型的所述场效应管q1的源极连接n型的场效应管q2的漏极，n型的所述场效应管q2的源极接地，p型的所述场效应管q1和n型的所述场效应管q2的栅极电性连接并共同连接到所述复杂可编程逻辑器200的gpio1，所述管座100的第二管脚连接于所述场效应管q1源极与所述场效应管q2漏极之间，所述第二管脚经电阻r1连接所述第一电源。

参阅图2所示，所述管座100的第一管脚通过上拉电阻r4连接第三电源，所述管座100的第九管脚通过上拉电阻r3连接第三电源。具体实施过程中，所述基板管理控制器的cs端口、clk端口、mosi端口、miso端口通过spi传输，spi的接线上通过上拉电阻连接所述第三电源。

所述复杂可编程逻辑器通过uart串口连接所述基板管理控制器。所述复杂可编程逻辑器实现的逻辑包括当所述判断模块201的输入端输入高电平时，所述复杂可编程逻辑器通过uart串口向所述基板管理控制器发送

所述管座100的第十管脚连接第二选择电路500，所述第二选择电路500包括第二电源，所述第二电源的电压为3.3v，所述第二电源连接p型场效应管q3的漏极，p型的所述场效应管q3的源极连接n型场效应管q4的漏极，n型的所述场效应管q4的源极接地，p型的所述场效应管q3和n型的所述场效应管q4的栅极电性连接并共同连接到所述复杂可编程逻辑器200的gpio2，所述管座100的第十管脚连接于所述场效应管q3源极与所述场效应管q4漏极之间。

所述判断模块201接收到高电平(说明flash芯片与所述管座100正接)时，所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio1输出高电平，使得n型的所述场效应管q2导通，使得p型的所述场效应管q1截止，这样所述flash芯片的接地引脚通过第二管脚和所述场效应管q2接地；所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio2输出低电平，使得n型的所述场效应管q4截止，使得p型的所述场效应管q3导通，这样所述flash芯片的vcc引脚通过第十管脚和所述场效应管q3接所述第二电源；

所述判断模块201接收到低电平(说明flash芯片与所述管座100反接)时，所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio1输出低电平，使得n型的所述场效应管q2截止，使得p型的所述场效应管q1导通，这样所述flash芯片的vcc引脚通过第二管脚和所述场效应管q1连接所述第一电源；所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio2输出高电平，使得n型的所述场效应管q4导通，使得p型的所述场效应管q3截止，这样所述flash芯片的接地引脚通过第十管脚和所述场效应管q4接地。

实施例2

实施例2与实施例1的区别在于：所述场效应管q1为n型，所述场效应管q2为p型；同时所述复杂可编程逻辑器的逻辑改变如下：所述判断模块201接收到高电平时，所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio1输出低电平。所述判断模块201接收到低电平时，所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio1输出高电平。

实施例3

实施例3与实施例1的区别在于：所述场效应管q3为n型，所述场效应管q4为p型；同时所述复杂可编程逻辑器的逻辑改变如下：所述判断模块201接收到高电平时，所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio2输出高电平。所述判断模块201接收到低电平时，所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio2输出低电平。

实施例4

实施例4与实施例1的区别在于：所述场效应管q1为n型，所述场效应管q2为p型，所述场效应管q3为n型，所述场效应管q4为p型；同时所述复杂可编程逻辑器的逻辑改变如下：所述判断模块201接收到高电平时，所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio1输出低电平，所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio2输出高电平。所述判断模块201接收到低电平时，所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio1输出高电平，所述复杂可编程逻辑控制器200的gpio2输出低电平。

本发明提供一种实现服务器flash正反放置的方法，应用于所述的实现服务器flash正反放置的装置，包括：

s1，安装flash芯片；

s2，复杂可编程逻辑器通过接收的高低电平判断连接管座的flash芯片正接还是反接；具体实施过程中，所述复杂可编程逻辑器接收到高电平，则所述flash芯片正接；所述复杂可编程逻辑器接收到低电平，则所述flash芯片反接。

如果正接，则执行s3，所述复杂可编程逻辑器控制第一数据选择模块接通基板管理控制器的cs端口；控制第二数据选择模块接通基板管理控制器的miso端口，控制第三数据选择模块接通基板管理控制器的clk端口，控制第四数据选择模块接通基板管理控制器的mosi端口；所述复杂可编程逻辑器控制场效应管q2导通，场效应管q1截止，场效应管q3导通，场效应管q4截止；

如果反接，则执行s4，所述复杂可编程逻辑器控制第一数据选择模块接通基板管理控制器的mosi端口；控制第二数据选择模块接通基板管理控制器的clk端口，控制第三数据选择模块接通基板管理控制器的miso端口，控制第四数据选择模块接通基板管理控制器的cs端口；所述复杂可编程逻辑器控制场效应管q2截止，场效应管q1导通，场效应管q3截止，场效应管q4导通；

s5，所述复杂可编程逻辑器向所述基板管理控制器传输flash芯片连接状态信息。所述基板管理控制器记录flash芯片连接状态日志。

应当注意的是，在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或步骤。位于部件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件。本发明可以借助于包括有若干不同部件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。