技术特征：
1.一种半导体散热装置的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：预设输入占空比和输出占空比曲线，并获取露点温度；获取冷端温度，并将冷端温度与露点温度进行对比，如果冷端温度低于露点温度，则降低半导体制冷片pwm和风扇pwm，如果冷端温度高于露点温度，则获取输入占空比，通过输入占空比和输出占空比曲线关系，得到风扇pwm和半导体制冷片pwm。2.根据权利要求1所述的半导体散热装置的控制方法，其特征在于，输入占空比为采集到的风扇pwm，输出占空比包括风扇pwm和半导体制冷片pwm。3.根据权利要求2所述的半导体散热装置的控制方法，其特征在于，输入占空比和输出占空比曲线包括采集到的风扇pwm
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风扇pwm曲线和采集到的风扇pwm
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半导体制冷片pwm曲线。4.根据权利要求1所述的半导体散热装置的控制方法，其特征在于，包括三种工作模式：模式一、模式二和模式三；所述模式一下的半导体制冷片pwm和风扇pwm低于所述模式二下的半导体制冷片pwm和风扇pwm；所述模式二下的半导体制冷片pwm和风扇pwm低于所述模式三下的半导体制冷片pwm和风扇pwm。5.根据权利要求4所述的半导体散热装置的控制方法，其特征在于，所述模式三下的风扇pwm和半导体制冷片pwm均为100％。6.根据权利要求4所述的半导体散热装置的控制方法，其特征在于，输入占空比和输出占空比曲线包括模式一下的输入占空比和输出占空比曲线和模式二下的输入占空比和输出占空比曲线。7.根据权利要求1所述的半导体散热装置的控制方法，其特征在于，通过实时采集环境温度和环境湿度，计算露点温度。8.一种半导体散热装置，其特征在于，包括温湿度采集模块、pwm控制模块和mcu，所述温湿度采集模块和所述pwm控制模块分别与所述mcu相连；所述温湿度采集模块用于采集冷端温度以及环境温度和湿度，并将采集到的数据发送到mcu；所述pwm控制模块包括pwm采集模块，数据存储模块和pwm输出模块；所述pwm采集模块用于获取输入占空比；所述数据存储模块用于保存预设的输入占空比和输出占空比曲线；所述pwm输出模块用于控制风扇pwm和半导体制冷片pwm的输出；所述mcu用于根据所述温湿度采集模块的数据获取露点温度，并且将露点温度与冷端温度进行对比；如果冷端温度低于露点温度，向所述pwm输出模块发送降低半导体制冷片pwm和风扇pwm的指令；如果冷端温度高于露点温度，根据输入占空比和输出占空曲线计算风扇pwm和半导体制冷片pwm，并向所述pwm输出模块发送计算结果。9.根据权利要求8所述的半导体散热装置，其特征在于，输入占空比为采集到的风扇pwm，输出占空比包括风扇pwm和半导体制冷片pwm。10.根据权利要求9所述的半导体散热装置，其特征在于，所述输入占空比和输出占空比曲线包括采集到的风扇pwm
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风扇pwm曲线和采集到的风扇pwm
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半导体制冷片pwm曲线。11.根据权利要求8所述的半导体散热装置，其特征在于，还包括按钮，用于在模式一、模式二和模式三的三种工作模式之间切换；
所述模式一下的半导体制冷片pwm和风扇pwm低于所述模式二下的半导体制冷片pwm和风扇pwm；所述模式二下的半导体制冷片pwm和风扇pwm低于所述模式三下的半导体制冷片pwm和风扇pwm。12.根据权利要求11所述的半导体散热装置，其特征在于，所述模式三下的风扇pwm和半导体制冷片pwm均为100％。13.根据权利要求11所述的半导体散热装置，其特征在于，输入占空比和输出占空比曲线包括模式一下的输入占空比和输出占空比曲线和模式二下的输入占空比和输出占空比曲线。14.根据权利要求8所述的半导体散热装置，其特征在于，所述温湿度采集模块还用于实时采集环境温度和环境湿度，所述mcu能够根据环境温度和环境湿度计算露点温度。15.根据权利要求8所述的半导体散热装置，其特征在于，还包括风扇和半导体制冷片，所述风扇设置于cpu的侧边，用于向cpu的侧向吹风，并且所述半导体制冷片的冷端设置成吸收cpu散发的热量。16.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现根据权利要求1
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7中任一项所述的半导体散热装置的控制方法的步骤。
技术总结
本发明公开了半导体散热装置的控制方法、半导体散热装置及存储介质，属于散热领域。该方法包括：预设输入占空比和输出占空比曲线，并获取露点温度；获取冷端温度，并将冷端温度与露点温度进行对比，如果冷端温度低于露点温度，则降低半导体制冷片PWM和风扇PWM，如果冷端温度高于露点温度，则获取输入占空比，通过输入占空比和输出占空比曲线关系，得到风扇PWM和半导体制冷片PWM。本发明解决了现有技术中半导体制冷片的冷端容易冷凝结露，风扇噪音大但散热性能不佳，以及风扇与半导体制冷片不能很好的协调工作，进而导致噪音大或者耗能的问题。问题。问题。
技术研发人员：张勇
受保护的技术使用者：北京市九州风神科技股份有限公司
技术研发日：2021.06.18
技术公布日：2021/9/17