在仿真器上模拟flash的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及仿真器领域，特别是一种在仿真器上模拟flash (闪存)的方法。
【背景技术】
[0002]随着flash在微处理器中的广泛应用，微处理器仿真器也包含了 flash功能的仿真。为了提高仿真器的灵活性，多用SRAM (静态随机存储器)存储器，加上flash到SRAM时序转换模块模拟flash。SRAM可以由“ I”写“O”，也可以由“O”写“ I”。但flash只能由“I”写“0”，或由“O”写“I”。市场上多数flash都是只能由“I”写“0”，在写之前必须进行擦除操作，以保证写入正确。这就出现了一个问题，在仿真器上，如果在写flash之前忘记擦除操作，依旧可以写入正确数据，这与实际芯片不符。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种在仿真器上模拟flash的方法，能够提高flash的仿真程度。
[0004]为解决上述技术问题，本发明的在仿真器上模拟flash的方法是采用如下技术方案实现的:
[0005]在模拟flash写的过程中，先将要写入地址的数据读出，判别是否可以正确写入数据；如果可以正确写入数据，则将数据写入；如果不可能正确写入数据，则输出写入错误信号，并根据flash擦除后的数据对写入数据处理后写入。
[0006]所述flash擦除后的数据为“I”或“O”。
[0007]所述对写入数据处理为“与”或“或”。
[0008]所述判别是否可以正确写入数据，由flash控制器到SRAM的转换电路中设置的一数据写入判定模块完成。
[0009]本发明利用SRAM读写速度快的特点，在模拟flash写的过程中，先将要写入地址的数据读出，判别后再将需要的数据写入。如果向未进行擦除过的地址写入数据，则输出写入错误信号。
[0010]本发明利用SRAM完全模拟flash的读写功能，实现flash必须先擦除后才能正确写入数据，有效提高了 flash的仿真程度。
【附图说明】
[0011]下面结合附图与【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0012]附图是所述在仿真器上模拟flash的方法示意图。
【具体实施方式】
[0013]结合附图所示，所述在仿真器上模拟flash的方法旨在实现完整模拟flash写入功能，实施的关键在于，在flash控制器到SRAM的转换电路中增加了一个数据写入判定模块，对待写入地址的数据进行判断。以下是在仿真器上模拟flash的方法的一具体实施例:
[0014]假设模拟的flash擦除后是全“ I ”，Flash地址AO对应SRAM的地址Al。
[0015]第一步，在flash控制器发出向地址AO写入数据B操作后，数据写入判定模块从SRAM地址Al读出数据C。
[0016]第二步，判断数据C是否是全“ I ”，如果不是全“ I ”，flash写错误输出有效，仿真器显示有flash写错误，表明写数据前未进行擦除操作。
[0017]第三步，数据写入判定模块将数据C和数据B相与，生成数据D，并将数据D写入SRAM地址Al ；以适应某些对flash有特殊需求的应用。
[0018]最后，所述数据写入判定模块的运行速度要保证判定时间小于或等于要模拟的flash写入时间；即要保证以上操作的全部运行时间小于或等于flash的写操作时间。
[0019]在一般仿真器flash模拟中，仅对flash到SRAM的时序进行转换，不对该地址是否可以正确写入进行判断。
[0020]而本方法在flash写操作模拟过程中，会对该地址是否可以正确写入进行判断；由此可以有效提高flash的仿真程度。
[0021]以上通过【具体实施方式】对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种在仿真器上模拟闪存flash的方法，其特征在于:在模拟闪存flash写的过程中，先将要写入地址的数据读出，判别是否可以正确写入数据；如果可以正确写入数据，则将数据写入；如果不可能正确写入数据，则输出写入错误信号，并根据闪存flash擦除后的数据对写入数据处理后写入。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述闪存flash擦除后的数据为“I”或“O”。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述对写入数据处理为“与”或“或”。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述判别是否可以正确写入数据，由闪存flash控制器到静态随机存储器SRAM的转换电路中设置的一数据写入判定模块完成。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于:所述数据写入判定模块的运行速度要保证判定时间小于或等于要模拟的闪存flash写入时间。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述方法所有操作的全部运行时间小于或等于闪存flash的写操作时间。
【专利摘要】本发明公开了一种在仿真器上模拟flash的方法，在模拟flash写的过程中，先将要写入地址的数据读出，判别是否可以正确写入数据；如果可以正确写入数据，则将数据写入；如果不可能正确写入数据，则输出写入错误信号，并根据flash擦除后的数据对写入数据处理后写入。本发明完全模拟flash的读写功能，有效提高flash的仿真程度。
【IPC分类】G06F9-455, G06F11-26
【公开号】CN104657192
【申请号】CN201310590344
【发明人】王征
【申请人】上海华虹集成电路有限责任公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月20日