一种内嵌式触摸屏及显示装置的制造方法

文档序号:9326525阅读:194来源:国知局
一种内嵌式触摸屏及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控显示技术领域,尤指一种内嵌式触摸屏及显示装置。
【背景技术】
[0002]有机电致发光(Organic Light Emitting D1de,0LED)显示屏是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示屏相比,OLED显示屏具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA、数码相机等显示领域OLED显示屏已经开始取代传统的IXD显示屏。
[0003]随着显示技术的飞速发展,触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前,触摸屏按照组成结构可以分为:夕卜挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中,外挂式触摸屏是将触摸屏与显示屏分开生产,然后贴合到一起成为具有触摸功能的显示屏,外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏由于将触摸屏的触控电极内嵌在显示屏内部,本着其可以与显示面板工艺兼容的特点,越来越受到面板厂家的青睐。
[0004]目前,应用于OLED显示屏的内嵌式触摸屏均是基于顶发射型有机电致发光像素结构的。如图1所示,包括相对设置的下基板I和上基板2 ;位于下基板I上呈矩阵排列的像素单元,各像素单元一般包括像素电路3 (具体结构图1中未示出)和顶发射型有机电致发光像素结构4 ;其中有机电致发光像素结构4包括依次位于下基板I上的阳极层41、有机发光层42和阴极层43。同时阴极层43复用为自电容电极,但是由于各自电容电极需要通过导线5与外围电路连接,为了减少掩膜(Mask)工艺,导线5与像素电路3中的电极(具体结构图1中未示出)同层制备,这就导致导线5需要贯穿有机发光层42、阳极层41等多层膜层才能与复用为自电容电极的阴极43电连接,从而造成工艺难度较大,并且生产成本相对也较高。

【发明内容】

[0005]本发明实施例提供一种内嵌式触摸屏及显示装置,用以降低内嵌式触摸屏的工艺难度,进而降低内嵌式触摸屏的生产成本。
[0006]本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏,包括相对设置的上基板和下基板,位于所述下基板面向所述上基板一侧的若干像素单元;其中各所述像素单元包括底发射型有机电致发光像素结构和像素电路;还包括:
[0007]位于所述下基板与所述像素单元之间,且与所述像素单元绝缘的多个相互独立的自电容电极,在触控时间段通过检测各所述自电容电极的电容值变化以判断触控位置的触控侦测芯片,以及位于所述下基板与所述有机电致发光像素结构之间的、且与各所述自电容电极对应的用于将所述自电容电极连接至所述触控侦测芯片的导线。
[0008]较佳地,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,所述自电容电极呈网格状结构。
[0009]较佳地,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,所述自电容电极的材料为金属材料。
[0010]较佳地,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,还包括:位于所述上基板与所述下基板之间、且位于相邻有机电致发光像素结构之间的黑矩阵,且所述黑矩阵在所述下基板的正投影覆盖所述自电容电极在所述下基板的正投影。
[0011]较佳地,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,所述自电容电极的材料为透明导电材料;
[0012]所述自电容电极为块状结构,且所述自电容电极在所述下基板的正投影覆盖至少一个所述像素单元。
[0013]较佳地,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,各所述导线设置为与所述像素电路中的电极同层同材质,且各所述导线通过过孔与对应的自电容电极电性连接。
[0014]较佳地,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,所述导线设置为与所述自电容电极同层同材质。
[0015]较佳地,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,还包括:位于所述自电容电极与所述像素单元之间的绝缘层。
[0016]较佳地,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,所述有机电致发光像素结构包括:依次位于所述绝缘层上方的阳极层、有机发光层和阴极层。
[0017]相应地,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述任一种内嵌式触摸屏。
[0018]本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏及显示装置,采用底发射型有机电致发光像素结构,并将自电容电极设置于像素单元与下基板之间,将导线设置于下基板与有机电致发光像素结构之间,从而可以使导线与触控电极的电连接不需要贯穿有机电致发光像素结构,从而可以降低工艺制作难度,进而降低生产成本。
【附图说明】
[0019]图1为现有的内嵌式触摸屏的结构示意图;
[0020]图2为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的结构示意图之一;
[0021]图3为本发明实施例提供的自电容电极的结构示意图之一;
[0022]图4为本发明实施例提供的自电容电极的结构示意图之二 ;
[0023]图5为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的结构示意图之二;
[0024]图6为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的具体结构示意图;
[0025]图7a为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中像素电路的结构示意图;
[0026]图7b为图7a所示像素电路对应的输入时序图。
【具体实施方式】
[0027]下面结合附图,对本发明实施例提供的内嵌式触摸显示屏及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0028]附图中各膜层的厚度和形状不反映内嵌式触摸屏的真实比例,目的只是示意说明本
【发明内容】

[0029]本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏,如图2所示,包括相对设置的上基板02和下基板01,位于下基板01面向上基板02 —侧的若干像素单元03 ;其中各像素单元03包括底发射型有机电致发光像素结构31和像素电路32 ;该内嵌式触摸屏还包括:
[0030]位于下基板01与像素单元03之间,且与像素单元03绝缘的多个相互独立的自电容电极04,在触控时间段通过检测各自电容电极04的电容值变化以判断触控位置的触控侦测芯片(图2中未示出),以及位于下基板01与有机电致发光像素结构31之间的、且与各自电容电极04对应的用于将自电容电极04连接至触控侦测芯片的导线05。
[0031]本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏,采用底发射型有机电致发光像素结构,并将自电容电极设置于像素单元与下基板之间,将导线设置于下基板与有机电致发光像素结构之间,从而可以使导线与触控电极的电连接不需要贯穿有机电致发光像素结构,从而可以降低工艺制作难度,进而降低生产成本。
[0032]较佳地,在具体实施时,为了避免自电容电极影响开口率,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏,如图3所示,将自电容电极04设置为网格状结构。
[0033]较佳地,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,自电容电极的材料为金属材料,由于金属材料的电阻率将低,因此降低自电容电极的电阻值可以将提高触摸屏的触控灵敏度。
[0034]进一步地,由于自电容电极采用金属材料制作,金属材料一般均是不透光的,因此为了避免金属材料的自电容电极阻挡有机电致发光结构所发出的光从而影响开口率,一般将自电容电极设置于黑矩阵的下方。
[0035]因此,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,还包括:位于上基板与下基板之间、且位于相邻有机电致发光像素结构之间的黑矩阵,且黑矩阵在下基板的正投影覆盖自电容电极在下基板的正投影。
[0036]当然在具体实施时,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,自电容电极的材料也可以为透明导电材料,这样就不许需要考虑自电容电极会降低开口率的问题了。
[0037]因此,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,当自电容电极的材料为透明导电材料时,如图4所示,可以将自电容电极04设置为块状结构,且自电容电极04在下基板的正投影覆盖至少一个像素单元03。这样通过增大自电容电极的面积降低自电容电极的电阻,从而提高触摸屏的触控灵敏度。
[0038]—般地,触摸屏的密度通
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