，包括:第一读入子模块8041和第一写入子模块8042，其中，
[0325]第一读入子模块8041，用于从所述第一存储单元阵列中确定第一行，将所述第一行内存储的数据读入到行缓存中；
[0326]第一写入子模块8042，用于从所述行缓存中将所述第一行内存储的原数据写入到冗余行中，所述冗余行为所述第一存储单元阵列中未存入数据的任意一行；
[0327]所述第一读入子模块8041，还用于根据所述第一行和预设的行间偏移量，从所述第一存储单元阵列中确定出第二行，将所述第二行内存储的数据读入到所述行缓存中；
[0328]所述第一写入子模块8042，还用于从所述行缓存中将所述第二行内存储的原数据写入到所述第一行中；
[0329]所述第一读入子模块8041和所述第一写入子模块8042，还用于按照对所述第二行内存储的数据迁移到所述第一行的方式对所述第一存储单元阵列中除所述第一行和所述第二行以外的行内存储的数据进行迁移；
[0330]所述第一写入子模块8042，还用于当所述第一存储单元阵列中最后一个行内存储的数据迁移完成后，从所述冗余行中将所述第一行内存储的原数据写入到所述第一存储单元阵列中最后一个读出数据的行中。
[0331]在本发明的一些实施例中，所述第一行和所述第二行为所述第一存储单元阵列中相邻的两个行。
[0332]在本发明的一些实施例中，请参阅如图8-c所示，写均衡的处理装置800，相对于如图8-a所示的写均衡的处理装置，写均衡的处理装置800还包括:行内偏移模块805，其中，
[0333]所述计数模块803，还用于存储模块802根据所述写请求包含的地址信息，将待写入的数据写入到所述地址信息标识的第一存储单元中之后，增加所述第一存储单元所在行的写入计数；
[0334]所述行内偏移模块805，用于确定所述第一存储单元所在行的写入计数达到预置的行阈值时，对所述第一存储单元所在行中所有列内存储的数据进行行内偏移。
[0335]进一步的，请参阅如图8-d所示，所述行内偏移模块805，包括:第二读入子模块8051和第二写入子模块8052，其中，
[0336]所述第二读入子模块8051，用于将所述第一存储单元所在行中所有列内存储的数据读入到行缓存中；
[0337]所述第二写入子模块8052，用于根据预设的行内偏移量，对所述行缓存中所缓存的数据进行偏移处理，将经过偏移处理后的数据重新写入到所述第一存储单元所在的行中。
[0338]在本发明的一些实施例中，请参阅如图8-e所示，相对于如图8_a所示的写均衡的处理装置，所述写均衡的处理装置800，还包括:行间偏移计算模块806和第一读写模块807，其中，
[0339]所述接收模块801，还用于接收处理器发送的读写请求，所述读写请求包括:读请求或写请求；
[0340]所述行间偏移计算模块806，用于对所述读写请求中包含的地址信息进行行间偏移量的计算，得到行间偏移后的地址信息；
[0341]所述第一读写模块807，用于从所述存储器中由所述行间偏移后的地址信息标识的存储单元中读出数据，或，将所述读写请求包括的写请求对应的数据写入所述存储器中由所述行间偏移后的地址信息标识的存储单元中。
[0342]在本发明的一些实施例中，请参阅如图8_f所示，相对于如图8-a所示的写均衡的处理装置，所述写均衡的处理装置800，还包括:行内偏移计算模块808和第二读写模块809，其中，
[0343]所述接收模块，还用于接收处理器发送的读写请求，所述读写请求包括:读请求或写请求；
[0344]所述行内偏移计算模块808，用于对所述读写请求中包含的地址信息进行偏移量的计算，得到行内偏移后的地址信息；
[0345]所述第二读写模块809，用于从所述存储器中由所述行内偏移后的地址信息标识的存储单元中读出数据，或，将所述读写请求包括的写请求对应的数据写入所述存储器中由所述行内偏移后的地址信息标识的存储单元中。
[0346]通过以上实施例对本发明的描述可知，首先接收处理器发送的写请求，根据写请求中包含的地址信息，将待写入的数据写入到地址信息标识的第一存储单元中，所述第一存储单元为存储器的第一存储单元阵列中的一个存储单元；增加第一存储单元阵列的写入计数；确定所述第一存储单元阵列的写入计数达到预置的阵列阈值时，对所述第一存储单元阵列中每个行内存储的数据进行行间偏移。本发明实施例中由于在存储器中写入数据后，被写入数据的第一存储单元所在的第一存储单元阵列会增加写入计数，确定第一存储单元阵列的写入计数达到预置的阵列阈值时，对第一存储单元阵列中每个行内存储的数据进行行间迁移，故可以实现第一存储单元阵列中行间的写均衡，避免少数存储单元擦写次数过多导致的存储可靠性问题。本发明实施例中在接收到写请求之后，可以直接将待写入的数据按照写请求包含的地址信息写入到第一存储单元，而无需对物理区块的写入次数进行查询后再写数据，故可以消除查询物理区块写入次数时较大的开销。
[0347]请参阅图9-a所示，本发明实施例提供的一种写均衡的处理装置900，可以包括:接收模块901、存储模块902、计数模块903、行内偏移模块904，其中，
[0348]接收模块901，用于接收处理器发送的写请求；
[0349]存储模块902，用于根据所述写请求中包含的地址信息，将待写入的数据写入到所述地址信息标识的第一存储单元中，所述第一存储单元为存储器的第一存储单元阵列中的一个存储单元；
[0350]计数模块903，用于增加所述第一存储单元所在行的写入计数；
[0351]行内偏移模块904，用于确定所述第一存储单元所在行的写入计数达到预置的行阈值时，对所述第一存储单元所在行中所有列内存储的数据进行行内偏移。
[0352]在本发明的一些实施例中，请参阅如图9-b所示，行内偏移模块904，包括:第二读入子模块9041和第二写入子模块9042，其中，
[0353]所述第二读入子模块9041，用于将所述第一存储单元所在行中所有列内存储的数据读入到行缓存中；
[0354]所述第二写入子模块9042，用于根据预设的行内偏移量，对所述行缓存中所缓存的数据进行偏移处理，将经过偏移处理后的数据重新写入到所述第一存储单元所在的行中。
[0355]在本发明的一些实施例中，请参阅如图9-c所示，写均衡的处理装置900，相对于如图9-a所示的写均衡的处理装置，写均衡的处理装置900还包括:行间偏移模块905，其中，
[0356]所述计数模块903，还用于增加所述第一存储单元阵列的写入计数；
[0357]所述行间偏移模块905，用于确定所述第一存储单元阵列的写入计数达到预置的阵列阈值时，对所述第一存储单元阵列中每个行内存储的数据进行行间偏移。
[0358]进一步的，请参阅如图9-d所示，所述行间偏移模块905，包括:第一读入子模块9051和第一写入子模块9052，其中，
[0359]第一读入子模块9051，用于从所述第一存储单元阵列中确定第一行，将所述第一行内存储的数据读入到行缓存中；
[0360]第一写入子模块9052，用于从所述行缓存中将所述第一行内存储的原数据写入到冗余行中，所述冗余行为所述第一存储单元阵列中未存入数据的任意一行；
[0361]所述第一读入子模块9051，还用于根据所述第一行和预设的行间偏移量，从所述第一存储单元阵列中确定出第二行，将所述第二行内存储的数据读入到所述行缓存中；
[0362]所述第一写入子模块9052，还用于从所述行缓存中将所述第二行内存储的原数据写入到所述第一行中；
[0363]所述第一读入子模块9051和所述第一写入子模块9052，还用于按照对所述第二行内存储的数据迁移到所述第一行的方式对所述第一存储单元阵列中除所述第一行和所述第二行以外的行内存储的数据进行迁移；
[0364]所述第一写入子模块9052，还用于当所述第一存储单元阵列中最后一个行内存储的数据迁移完成后，从所述冗余行中将所述第一行内存储的原数据写入到所述第一存储单元阵列中最后一个读出数据的行中。
[0365]在本发明的一些实施例中，所述第一行和所述第二行为所述第一存储单元阵列中相邻的两个行。
[0366]在本发明的一些实施例中，请参阅如图9-e所示，相对于如图9_a所示的写均衡的处理装置，所述写均衡的处理装置900，还包括:行间偏移计算模块906和第一读写模块907，其中，
[0367]所述接收模块901，还用于接收处理器发送的读写请求，所述读写请求包括:读请求或写请求；
[0368]所述行间偏移计算模块906，用于对所述读写请求中包含的地址信息进行行间偏移量的计算，得到行间偏移后的地址信息；
[0369]所述第一读写模块907，用于从所述存储器中由所述行间偏移后的地址信息标识的存储单元中读出数据，或，将所述读写请求包括的写请求对应的数据写入所述存储器中由所述行间偏移后的地址信息标识的存储单元中。
[0370]在本发明的一些实施例中，请参阅如图9_f所示，相对于如图9-c所示的写均衡的处理装置，所述写均衡的处理装置900，还包括:还包括:行内偏移计算模块906和第二读写模块907，其中，
[0371]所述接收模块901，还用于接收处理器发送的读写请求，所述读写请求包括:读请求或写请求；
[0372]所述行内偏移计算模块906，用于对所述读写请求中包含的地址信息进行偏移量的计算，得到行内偏移后的地址信息；
[0373]所述第二读写模块907，用于从所述存储器中由所述行内偏移后的地址信息标识的存储单元中读出数据，或，将所述读写请求包括的写请求对应的数据写入所述存储器中由所述行内偏移后的地址信息标识的存储单元中。
[0374]通过以上对本发明实施例的描述可知，首先接收处理器发送的写请求，根据写请求中包含的地址信息，将待写入的数据写入到地址信息标识的第一存储单元中，所述第一存储单元为存储器的第一存储单元阵列中的一个存储单元；增加第一存储单元所在行的写入计数；确定所述第一存储单元所在行的写入计数达到预置的行阈值时，对所述第一存储单元所在行中所有列内存储的数据进行行内偏移。本发明实施例中由于在存储器中写入数据后，被写入数据的第一存储单元所在行会增加写入计数，确定第一存储单元所在行的写入计数达到预置的阵列阈值时，对第一存储单元所在行中所有列内存储的数据进行迁移，故可以实现第一存储单元的行内写均衡，避免少数存储单元擦写次数过多导致的存储可靠性问题。本发明实施例中在接收到写请求之后，可以直接将待写入的数据按照写请求包含的地址信息写入到第一存储单元，而无需对物理区块的写入次数进行查询后再写数据，故可以消除查询物理区块写入次数时较大的开销。
[0375]本发明实施例还提供一种计算机存储介质，其中，该计算机存储介质存储有程序，该程序执行包括上述方法实施例中记载的部分或全部步骤。
[0376]接下来介绍本发明实施例提供的另一种写均衡的处理装置，请参阅图10所示，写均衡的处理装置1000包括:存储器1001、处理器1002、存储控制器1003(其中写均衡的处理装置1000中的存储器控制器1003的数量可以一个或多个，图10中以一个存储控制器为例)。在本发明的一些实施例中，存储器1001、处理器1002、存储控制器1003连接，具体的，可通过总线或其它方式连接，其中，图10中以通过总线连接为例。
[0377]其中，在存储器中可包括存储单元阵列以及存储控制器，存储控制器用于实现读、写和刷新等操作的控制，存储单元阵列同样是由多个存储单元按行和列的形式排列组成，每个存储单元被设置于相应耦合的位线和字线之间的交叉处。具体地，存储单元通常包括一个存取晶体管T(具有选通作用)和用于存储电荷的电容C。存储控制器依据外部命令、通过对所选中的位线和字线偏置相应电信号，以实现对其中某一地址的存储单元的操作。
[0378]例如，存储控制器可包括译码器(例如行译码器和列译码器、位线驱动模块、位线驱动模块、逻辑控制模块以及读出放大器(例如灵敏放大器)，读出放大器耦合至存储单元阵列上，其用于执行从向被选择的存储单元读出/写入操作，读出放大器的输出同时还耦合至存储器的I/O缓冲器中。在读操作过程中，读出放大器是否开始工作，由其使能控制信号来控制；读出放大器何时将其输出耦合至存储器的I/O缓冲器中，则由对应的列选择信号YL来控制。所以存储控制器能够用来控制对存储器的存储单元阵列进行读、写、磨损均衡的电路。
[0379]具体的，存储控制器1003用于执行如下步骤:
[0380]接收处理器发送的写请求；
[0381]根据所述写请求中包含的地址信息，将待写入的数据写入到所述地址信息标识的第一存储单元中，所述第一存储单元为存储器的第一存储单元阵列中的一个存储单元；
[0382]增加所述第一存储单元阵列的写入计数；
[0383]确定所述第一存储单元阵列的写入计数达到预置的阵列阈值时，对所述第一存储单元阵列中每个行内存储的数据进行行间偏移。
[0384]在本发明的一些实施例中，存储控制器1003，具体用于执行步骤:
[0385]从所述第一存储单元阵列中确定第一行，将所述第一行内存储的数据读入到行缓存中；
[0386]从所述行缓存中将所述第一行内存储的原数据写入到冗余行中，所述冗余行为所述第一存储单元阵列中未存入数据的任意一行；
[0387]根据所述第一行和预设的行间偏移量，从所述第一存储单元阵列中确定出第二行，将所述第二行内存储的数据读入到所述行缓存中；
[0388]从所述行缓存中将所述第二行内存储的原数据写入到所述第一行中；
[0389]按照对所述第二行内存储的数据迁移到所述第一行的方式对所述第一存储单元阵列中除所述第一行和所述第二行以外的行内存储的数据进行迁移；
[0390]当所述第一存储单元阵列中最后一个行内存储的数据迁移完成后，从所述冗余行中将所述第一行内存储的原数据写入到所述第一存储单元阵列中最后一个读出数据的行中。
[0391]在本发明的一些实施例中，存储控制器1003，还用于执行步骤:
[0392]根据所述写请求包含的地址信息，将待写入的数据写入到所述地址信息标识的第一存储单元中之后，
[0393]增加所述第一存储单元所在行的写入计数；
[0394]确定所述第一存储单元所在行的写入计数达到预置的行阈值时，对所述第一存储单元所在行中所有列内存储的数据进行行内偏移。
[0395]在本发明的一些实施例中，存储控制器1003，具体用于执行步骤:
[0396]将所述第一存储单元所在行中所有列内存储的数据读入到行缓存中；
[0397]根据预设的行内偏移量，对所述行缓存中所缓存的数据进行偏移处理，将经过偏移处理后的数据重新写入到所述第一存储单元所在的行中。
[0398]在本发明的一些实施例中，存储控制器1003，具体用于执行步骤:
[0399]当所述第一存储单元阵列中最后一个行内存储的数据迁移完成后，从所述冗余行中将所述第一行内存储的原数据写入到所述第一存储单元阵列中最后一个读出数据的行中之后，
[0400]接收处理器发送的读写请求，所述读写请求包括:读请求或写请求；
[0401]对所述读写请求中包含的地址信息进行行间偏移量的计算，得到行间偏移后的地址信息；
[0402]从所述存储器中由所述行间偏移后的地址信息标识的存储单元中读出数据，或，将所述读写请求包括的写请求对应的数据写入所述存储器中由所述行间偏移后的地址信息标识的存储单元中。
[0403]在本发明的一些实施例中，存储控制器1003，具体用还于执行步骤:
[0404]对所述第一存储单元所在行中所有列内存储的数据进行行内偏移之后，
[0405]接收处理器发送的读写请求，所述读写请求包括:读请求或写请求；
[0406]对所述读写请求中包含的地址信息进行行内偏移量的计算，得到行内偏移后的地址信息；
[0407]从所述存储器中由所述行内偏移后的地址信息标识的存储单元中读出数据，或，将所述读写请求包括的写请求对应的数据写入所述存储器中由所述行内偏移后的地址信息标识的存储单元中。
[0408]通过以上实施例对本发明的描述可知，首先接收处理器发送的写请求，根据写请求中包含的地址信息，将待写入的数据写入到地址信息标识的第一存储单元中，所述第一存储单元为存储器的第一存储单元阵列中的一个存储单元；增加第一存储单元阵列的写入计数；确定所述第一存储单元阵列的写入计数达到预置的阵列阈值时，对所述第一存储单元阵列中每个行内存储的数据进行行间偏移。本发明实施例中由于在存储器中写入数据后，被写入数据的第一存储单元所在的第一存储单元阵列会增加写入计数，确定第一存储单元阵列的写入计数达到预置的阵列阈值时，对第一存储单元阵列中每个行内存储的数据进行行间迁移，故可以实现第一存储单元阵列中行间的写均衡，避免少数存储单元擦写次数过多导致的存储可靠性问题。本发明实施例中在接收到写请求之后，可以直接将待写入的数据按照写请求包含的地址信息写入到第一存储单元，而无需对物理区块的写入次数进行查询后再写数据，故可以消除查询物理区块写入次数时较大的开销，并且避免使用映射表即可完成新数据的写入，简化映射操作过程。
[0409]接下来介绍本发明实施例提供的另一种写均衡的处理装置，接下来介绍本发明实施例提供的另一种写均衡的处理装置，请参阅图11所示，写均衡的处理装置1100包括:存储器1101、处理器1102、存储控制器1103(其中写均衡的处理装置1100中的存储控制器1103的数量可以一个或多个，图11中以一个存储控制器为例)。在本发明的一些实施例中，存储器1101、处理器1102、存储控制器1103连接，具体的，可通过总线或其它方式连接，其中，图11中以通过总线连接为例。
[0410]其中，在存储器中可包括存储单元阵列以及存储控制器，存储控制器用于实现读、写和刷新等操作的控制，存储单元阵列同样是由多个存储单元按行和列的形式排列组成，每个存储单元被设置于相应耦合的位线和字线之间的交叉处。具体地，存储单元通常包括一个存取晶体管T(具有选通作用)和用于存储电荷的电容C。存储控制器依据外部命令、通过对所选中的位线和字线偏置相应电信号，以实现对其中某一地址的存储单元的操作。
[0411]例如，存储控制器可包括译码器(例如行译码器和列译码器、位线驱动模块、位线驱动模块、逻辑控制模块以及读出放大器(例如灵敏放大器)，读出放大器耦合至存储单元阵列上，其用于执行从向被选择的存储单元读出/写入操作，读出放大器的输出同时还耦合至存储器的I/o缓冲器中。在读操作过程中，读出放大器是否开始工作，由其使能控制信号来控制；读出放大器何时将其输出耦合至存储器的I/o缓冲器中，则由对应的列选择信号YL来控制。所以存储控制器能够用来控制对存储器的存储单元阵列进行读、写、磨损均衡的电路。
[0412]具体的，存储控制器1103用于执行步骤:
[0413]接收处理器发送的写请求；
[0414]根据所述写请求中包含的地址信息，将待写入的数据写入到所述地址信息标识的第一存储单元中，所述第一存储单元为存储器的第一存储单元阵列中的一个存储单元；
[0415]增加所述第一存储单元所在行的写入计数；
[0416]确定所述第一存储单元所在行的写入计数达到预置的行阈值时，对所述第一存储单元所在行中所有列内存储的数据进行行内偏移。
[0417]在本发明的一些实施例中，存储控制器1103，具体用于执行步骤:
[0418]将所述第一存储单元所在行中所有列内存储的数据读入到行缓存中；
[0419]根据预设的行内偏移量，对所述行缓存中所缓存的数据进行偏移处理，将经过偏移处理后的数据重新写入到所述第一存储单元所在的行中。
[0420]在本发明的一些实施例中，存储控制器1103，还用于执行步骤:
[0421]根据所述写请求中包含的地址信息，将待写入的数据写入到所述地址信息标识的第一存储单元中之后，
[0422]增加所述第一存储单元阵列的写入计数；
[0423]确定所述第一存储单元阵列的写入计数达到预置的阵列阈值时，对所述第一存储单元阵列中每个行内存储的数据进行行间偏移。
[0424]在本发明的一些实施例中，存储控制器1103，具体用于执行步骤:
[0425]从所述第一存储单元阵列中确定第一行，将所述