用于母版制作的方法和母版基板的制作方法

专利名称：用于母版制作的方法和母版基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于在母版基板的记录层叠中提供高密度浮雕结构的方法，特别是用于为批量制造光盘制作压模(stamper)的母版基板或 者用于为微接触印刷产生印模(stamp)的母版基板。此外，本发明涉 及一种用于产生高密度浮雕结构的母版基板，特别是用于为批量制造 光盘制作压模的母版基板或者用于为微接触印刷产生印模的母版基 板。本发明还涉及分别用于制作压模、光盘、印模和缩微印刷品的方 法。
背景技术：
在光学工艺的基础上制造的浮雕结构例如可以被用作用于批量复 制只读存储器(ROM)和预刻沟槽一次性写入(R)和可重写(RE) 盘的压模。在复制工艺中使用的这种压模的制造被称作母版制作。在传统的母版制作中，利用调制聚焦激光束照射旋涂在玻璃基板 上的薄光敏层。所述激光束的调制导致所述母版基板的某些部分被UV 光曝光，而将被形成的坑之间的中间区域则保持未曝光。在盘旋转并 且所述已聚焦激光束被逐渐拉到该盘的外侧的同时，交替受照区域的 螺旋得到保持。在第二步骤中，在所谓的显影工艺中溶解已曝光区域， 从而最终得到光阻层内的物理孔洞。比如NaOH和KOH之类的碱性 液体被用来溶解所述已曝光区域。随后用薄Ni层覆盖所述母版基板的 结构化表面。在电工艺中，喷溅沉积的Ni层被进一步生长成包括反坑 结构的厚度可控制的Ni基板。具有突出的突起的该Ni基板与所述母 版基板分离，并且被称作压模。相位过渡母版制作(PTM: Phase-transition mastering)是一种用 来为批量制造光盘制作高密度ROM和RE/R压模的相对较新的方法。 通过激光引发的加热，可以把相位过渡材料从初始的未写入状态变换 到不同的状态。对于所述记录层叠的加热例如可能导致混合、熔融、 无定形化、相位分离、分解等等。所述两个相位当中的一个(即初始 或已写入状态)在酸性或碱性显影液体中比另一个相位溶解得更快。
这样，可以把已写入数据模式变换成具有突出的突起或坑的高密度浮 雕结构。所模制的该基板可以被用作用于批量制造高密度光盘的压模 或者被用作用于微接触印刷的印模。PTM所遇到的其中一个挑战是获得良好的坑形状。由于该方法是 基于加热，因此所述形状将粗略地由所述记录层叠中的温度分布来确 定。该问题在于以下事实大多数材料具有相当高的吸收率(大多数 金属)或者相当低的吸收率(大多数电介质)。具有高吸收率的材料 具有很差的吸收分布。当热量穿透所述层叠时，所述高吸收率给出功 率通量的快速降低，从而给出所达到的温度的快速降低。这样就很难 获得所需要的坑深度。具有低吸收率的材料将具有非常好的坑形状， 但是达到所需要的温度将需要非常高的写入功率。这样就不可能直接 利用传统的记录器来写入电介质。直到现在为止，通过使用一个掩模层叠来克服上述问题。选择性 可蚀刻的材料被放置在可蚀刻的电介质材料上。选择性可蚀刻意味着 只有已写入或未写入阶段是可蚀刻的。非选择性可蚀刻意味着已写入 和未写入阶段都是可蚀刻的。在具有掩模层的这种层叠中，所述掩模 层非常薄，并且吸收分布不成问题。在蚀刻期间，所述掩模层的已写 入部分将溶解，从而形成掩模。在该掩模下的电介质将仅仅在所述掩 模层被蚀刻的地方才被蚀刻。欠蚀刻(underetching)是不可避免的， 并且溶解时间非常关键。因此，本发明的一个目的是提供在起始段落所述的那种类型的方 法和母版基板，其与PTM相结合地提供良好的坑形状。发明内容所述目的是通过独立权利要求的特征解决的。在从属权利要求中 概述了本发明的其他发展和优选实施例。根据本发明的第一方面，提供了一种用于在母版基板的记录层叠 中提供高密度浮雕结构的方法，特别是用于为批量制造光盘制作压模 的母版基板或者用于为微接触印刷产生印模的母版基板，该方法包括 以下步骤-提供记录层叠，其包括电介质层和用于在该电介质层内支持热量 引发的相位过渡的装置；-在该电介质层的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起的区域中导致热量引发的相位过渡；以及-通过蚀刻工艺去除该电介质层的已经经历了相位过渡的所述区 域5或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层的尚未经历过相位过渡的所述区域。所述用于在电介质层内支持热量引发的相位过渡的装置包括一定 的热吸收率，所述热吸收率在写入处理期间确保所述记录层叠中最终 导致良好坑形状的温度分布。在根据本发明的所述方法的第——般实施例中，所述用于在电介 质层内支持热量引发的相位过渡的装置包括设置在该电介质层之上和/ 或之下的至少一个吸收层。因此，利用通过传导的加热，规避了该电 介质层的吸收过低的问题。所述吸收层可以是选择性或非选择性可蚀 刻的。在根据本发明的所述方法的第二一般实施例中，所述用于在电介 质层内支持热量引发的相位过渡的装置包括掺杂在所述电介质层中的 掺杂剂。从而使得所述电介质层本身在由所述掺杂剂限定的波长范围 内的吸收更强。改变掺杂浓度将使得所述吸收是可调节的。这样例如 可以使得所述吸收足够高，从而使得利用现有激光器进行写入是有可 能的，但是同时又使得所述吸收低到足以获得良好的坑形状。显而易 见，第一和笫二实施例可以被有利地组合在一起。在根据本发明的所述方法的第三一般实施例中，所述用于在电介 质层内支持热量引发的相位过渡的装置包括在退火工艺期间在所述电 介质层内生长的纳米晶体。例如，在室温下，ZnS-Si<32薄膜包含嵌入 在Si02母体中的纳米尺寸的ZnS粒子。所述纳米晶体的尺寸取决于温 度提高温度将使得所述纳米晶体的尺寸开始增大。这导致在ZnS-Si02 的光吸收范围内的蓝移。蓝光通过该纳米复合物材料的散射被认为是 该蓝移的主要原因。优选的退火温度在600到900° C之间改变。例如， ZnS-Si02纳米晶体的尺寸在室温下大约是2nm,并且在700° C下增大 到大约7.5nm，并且在800° C下增大到50nm。因此，例如通过在火 炉中把喷溅沉积的薄ZnS-Si02层加热到700° C将导致蓝移，从而允 许直接记录标记。当提供了这种退火步骤时，至少在某些情况下，对
于利用405nm激光束记录器在ZnS-Si02中记录标记来说，附加的吸收 层和/或掺杂是不必要的。在使用吸收层的情况下，该吸收层优选地是用从下面的一组中选 择的材料制成的Ni， Cu， GeSbTe， SnGeSb， InGeSbTe，比如Cu國 Si或Ni-Si的形成硅化物的材料，比如由晶核形成主导的相变材料的材 料组成。所述吸收层的所需厚度取决于许多材料属性，比如吸收率、 导热率、比热等等。例如，包括大约10nm的厚度的Ni层导致良好的 结果。对于本发明的所有实施例来说，优选的是所述电介质层是ZnS-Si02层。此外，其他电介质层材料也是可能的，比如A1203、 Si3N4、 Zr02之类的金属氧化物。在所述蚀刻工艺中使用的蚀刻剂优选地是从下面的一组中选择 的比如HNO;j、 HC1、 H2S04之类的酸性溶液，或者比如KOH、 NaOH之类的碱性液体。如果使用吸收层，那么在所述蚀刻工艺期间，施加了激光脉冲的 该吸收层的各区域与没有施加激光脉沖的该吸收层的各区域一起被去 除。如果所述吸收层是Ni层并且HN03被用作蚀刻剂，则例如可以获得这种结杲。然而，还有可能的是在所述蚀刻工艺期间，仅仅位于被去除的电 介质层的各区域之上的所述吸收层的各区域被去除。为了实现这一 点，例如可以使用相变材料与碱性和酸性液体的组合。根据本发明的方法的另一个发展，所述提供记录层叠的步骤包括提供这样一个记录层叠，该记录层叠还包括在所述电介质层之下的镜 面层。这种镜面层提高了总体层叠效率并且使得所述坑的底部表面更 平滑。该镜面层例如可以是用从下面的一组中选择的材料制成的Ag、 Al、 Si。在任何情况下，该镜面层都必须能够抵抗所^^用的蚀刻液体。在某些实施例中，所述提供记录层叠的步骤包括提供这样一个记 录层叠，该记录层叠包括在所述电介质层之上的吸收层以及在该电介 质层之下的另一个吸收层。该另一个低吸收层还从下面提供热量，从 而使得有可能改进上面的电介质层中的温度分布。与高吸收层相同， 该另 一个吸收层必须由具有高吸收率的材料制成。与该高吸收层的最
大区别在于，该另 一 个吸收层可以是不能由所使用的蚀刻剂所蚀刻 的。此外，该层的所需厚度取决于许多材料属性，比如吸收率、热导 率、比热等等。在这方面，下面的做法可能是有利的所述提供记录层叠的步骤 包括提供这样一个记录层叠，该记录层叠还包括在所述另一个吸收层 之下的另一个电介质层。该低电介质层为该低吸收层提供热隔离，并 且可以包括任何所提到的电介质。该低电介质层的厚度及其光学属性 以及所述镜面层提供一种优化所述层叠的方式。优化该厚度可以控制 如何在各吸收层上划分功率。这样给出对于所述坑形状的非常好的控 制。在根据本发明的方法的某些实施例中，所述提供记录层叠的步骤 包括提供这样一个记录层叠，该记录层叠还包括覆盖层。该覆盖层优 选地尽可能薄，其在写入期间存在，并且通过蚀刻被化学地去除。其 功能是防止所述吸收层发生化学降解。该覆盖层优选地由可蚀刻的电介质或有机层制成，比如光阻层。在根据本发明的方法的第二实施例中，其中所述用于在电介质层 内支持热量引发的相位过渡的装置包括掺杂到所述电介质层中的掺杂 剂，所述掺杂剂优选地是从下面的一组中选择的N、 Sb、 Ge、 In、 Sn。然而，不同比例的ZnS-Si02也是可能的，或者ZnS-Si02与其他吸 收材料的混合也是可能的。在根据本发明的方法的第——般实施例中，还有可能的是所述提 供记录层叠的步骤包括提供这样一个记录层叠，该记录层叠包括多个 交替的电介质层和吸收层。此外，在这种情况下，可以按照相同或相 似的方式应用上面讨论的其他发展，特别是结合根据本发明的方法的 第——般实施例所讨论的发展。至于对上面提到的材料的选择，对于 所述多个电介质层的高度优选的材料是ZnS-Si02，并且对于所述多个 吸收层的高度优选的材料是SnGeSb。应当注意，所述进一步的发展例 如还可以被用于为批量制造光盘制作压模、用于制作光盘、用于为微 接触印刷制作印模以及用于制作缩微印刷品。下面讨论了这种方法， 并且本领域技术人员可以相应地想到对这些方法的进一步发展。因 此，也随之〃>开了相应的特征组合。在这里的上下文中，所述多个交替的电介质层和吸收层优选地是
由2到20个电介质层和2到20个吸收层形成的，更优选地是由5到 15个电介质层和5到15个吸收层形成的，并且最优选地是由10个电 介质层和IO个吸收层形成的。如果提供了多个交替的电介质层和吸收层，则所述各电介质层的 厚度优选地是在0.5到20nm之间，更优选地是在1到lOnm之间，并 且最优选地是大约5nm。至于所述多个吸收层，这些吸收层的厚度优选地是在0.1到lOnm 之间，更优选地是在0.2到5nm之间，并且最优选地是大约lnm。根据本发明的第二方面，提供一种用于产生高密度浮雕结构的母 版基板，特别是用于为批量制造光盘制作压模的母版基板或者用于为 微接触印刷产生印模的母版基板，其中，为了形成所述高密度浮雕结 构，提供了一个由掺杂剂所掺杂的电介质层，从而增强了其对于激光 脉沖的吸收属性。从而，如在前面结合根据本发明的方法的第二实施 例所已经提到的那样，使得所述电介质层本身在由所述掺杂剂限定的 波长范围内的吸收更强。改变掺杂浓度使得所述吸收是可调节的，并 且例如可以使得所述吸收足够高，从而使得利用现有激光器进行写入 是有可能的，但是同时又使得所述吸收低到足以获得良好的坑形状。此外，在这种情况下，所述掺杂剂优选地是从下面的一组中选择 的N、 Sb、 Ge、 In、 Sn。如上面所提到的那样，不同比例的ZnS-Si02 也是可能的，或者ZnS-Si02与其他吸收材料的混合也是可能的。根据本发明的另一方面，提供一种用于产生高密度浮雕结构的母 版基板，特别是用于为批量制造光盘制作压模的母版基板或者用于为 微接触印刷产生印模的母版基板，其中，为了形成所述高密度浮雕结 构，提供了一个包含通过退火工艺生长的纳米晶体的电介质层。从而， 如上面结合根据本发明的方法的第三实施例所已经提到的那样，可以 获得ZnS-Si02的光吸收范围内的蓝移。根据本发明的第三方面，提供一种用于在母版基板的记录层叠中 提供高密度浮雕结构的方法，特别是用于为批量制造光盘制作压模的 母版基板或者用于为微接触印刷产生印模的母版基板，该方法包括以 下步骤-提供记录层叠，其包括电介质层；
导致热量引发的相位过渡，所述激光脉沖的波长在250和800nm之间， 优选地是405nm;以及-通过蚀刻工艺去除该电介质层中已经经历了相位过渡的所述区 域；或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层中尚未经历过相位过渡的所述区域。该解决方案是基于发现存在这样的电介质材料，其在所指定的波 长范围内具有相当高的吸收系数。因此，至少在某些情况下，不需要 附加的吸收层也不需要附加的掺杂材料来实现直接记录。一种用于利用所指定的波长范围来进行写入的优选的电介质层是 ZnS-Si02层。ZnS-SK)2在257nm波长下的吸收系数大约是k=0.5。记 录ZnS-Si02 (特别是未经处理的ZnS-Si02)的另一种可能性例如是使 用266nm的波长，特别是结合使用LBR。优选的写入功率在0.5到 1.5mW的范围内。在使用ZnS-Si02以用于PTM母版制作时，其中未施加激光脉沖 并且尚未经历相位过渡的区域(未记录区域)通过蚀刻工艺而被去除。 因此，与已记录材料被去除的情况相比，已记录材料保持为形成反极 性结构的突起结构。作为该反极性的结果，存在对所述突起结构的欠 蚀刻的风险，从而例如在分离母版基板与生长在其上的压模的过程中 会导致问题。为了解决该欠蚀刻的问题，所述ZnS-Si()2层的ZnS成分 (14)优选地占有少于80%的重量百分比。因此，可以降低PTM材料 的吸收。虽然默认的比例是ZnS-SiO尸80o/o-2(T/。的重量百分比，但是 在这方面优选地是例如ZnS-SiO尸70o/o-30。/o以及ZnS-SiO2=60%-40% 的比例。利用该解决方案，可以克服或者至少减轻欠蚀刻的问题。避免或者至少减轻上面提到的欠蚀刻的另一种可能性在于，所述 记录层叠包括至少一个吸收层。可以向该记录层叠添加一个或多个吸 收层，以便包括来自下面的额外的热量流。在这种情况下，也在所述 吸收层中生成热量，从而改进了突起形状。可能的吸收层例如是SbTe、 Si、 Ag、 Al等等。当所述ZnS-Si02层被完全显影时(即蚀刻到所述吸 收层)，该吸收层应当是抗蚀刻的。在例如暴露于HN03之后，具有 锥状轮廓的突起得到保留。还有可能的是，在所述蚀刻工艺之后应用涂覆。例如，可以用硅 烷薄膜(或者另一种旋涂的有机薄膜)覆盖显影后的母版基板，以便 填充所述欠蚀刻的区域。所述毛细力将使得所述聚合物层保持在所述 突起的欠蚀刻部分中，并且从而改进所述突起。特别为了避免或减轻欠蚀刻，构想了这样的实施例，其中在不应 被去除的电介质层的各区域的欠蚀刻发生之前停止所述蚀刻工艺。如 果所述蚀刻工艺受到良好的控制，则可以获得预定深度并且避免欠蚀 刻。根据另一个实施例，所述电介质层包括第一表面和第二表面，其 中第 一表面在施加激光脉冲的过程中被设置成靠近所述激光，第二表 面在施加激光脉冲的过程中被设置成远离所述激光，其中，所述蚀刻 工艺开始在该电介质层的第二表面上。该技术可以被称作"突起形状 反转"，并且其是获得适当的突起形状的其中一种可能性。例如，在进行湿蚀刻之前，从已膝光的PTM母版上生长一个压模。随后，在 ZnS-Si02-玻璃界面处分离该母版基板与该压模。随后，对所述已记录 PTM层进行显影。所得到的突起结构具有适当的突起形状，其直接适 用于复制或者母压模生长。根据本发明的第四方面，提供了 一种用于为批量制造光盘制作压 模的方法，该方法包括以下步骤-提供记录层叠，其包括电介质层和用于在该电介质层内支持热量 引发的相位过渡的装置；-在该电介质层的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起的区域中 导致热量引发的相位过渡；-通过蚀刻工艺去除该电介质层的已经经历了相位过渡的区域；或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层的尚未经历过相位过渡的区域；以及-在该记录层叠的基础上制作所述压模。根据本发明的第五方面，提供一种用于制作光盘的方法，该方法 包括以下步骤-提供记录层叠，其包括电介质层和用于在该电介质层内支持热量 引发的相位过渡的装置；
导致热量引发的相位过渡；-通过蚀刻工艺去除该电介质层的已经经历了相位过渡的区域；或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层的尚未经历过相位过渡的区域； -在该记录层叠的基础上制作所述压模；以及 -使用该压模来制作光盘。根据本发明的第六方面，提供一种用于为微接触印刷制作印模的 方法，该方法包括以下步骤-提供记录层叠，其包括电介质层和用于在该电介质层内支持热量 引发的相位过渡的装置；-在该电介质层的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起的区域中 导致热量引发的相位过渡；-通过蚀刻工艺去除该电介质层的已经经历了相位过渡的所述区域；或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的尚未经历过相位过渡的区域(26);以及-在该记录层叠的基础上制作所述印模(42)。根据本发明的第七方面，提供一种用于制作缩微印刷品的方法， 该方法包括以下步骤-提供记录层叠，其包括电介质层和用于在该电介质层内支持热量 引发的相位过渡的装置；-在该电介质层的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起的区域中导致热量引发的相位过渡；-通过蚀刻工艺去除该电介质层的已经经历了相位过渡的区域；或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层的尚未经历过相位过渡的区域； -在该记录层叠的基础上制作所述印模；以及 -使用该印模来制作所述缩微印刷品。根据本发明的第八方面，提供一种用于为批量制造光盘制作压模 的方法，该方法包括以下步骤-提供记录层叠，其包括电介质层；-在该电介质层的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起的区域中
导致热量引发的相位过渡，所述激光脉沖的波长在250到264nm之间， 特别是257nm;-通过蚀刻工艺去除该电介质层的已经经历了相位过渡的区域；或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层的尚未经历过相位过渡的区域；以及-在所述记录层叠的基础上制作所述压模。根据本发明的第九方面，提供一种用于制作光盘的方法，该方法 包括以下步骤-提供记录层叠，其包括电介质层；-在该电介质层的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起的区域中 导致热量引发的相位过渡，所述激光脉冲的波长在250到264nm之间， 特别是257nm;-通过蚀刻工艺去除该电介质层的已经经历了相位过渡的区域；或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层的尚未经历过相位过渡的区域； -在所述记录层叠的基础上制作所述压模；以及 -使用该压模来制作光盘。根据本发明的第十方面，提供一种用于为微接触印刷制作印模的 方法，该方法包括以下步骤-提供记录层叠，其包括电介质层；-在该电介质层的将要通过施加激光脉沖而形成坑/突起的区域中 导致热量引发的相位过渡，所述激光脉冲的波长在250到264nm之间， 特别是257nm;-通过蚀刻工艺去除该电介质层的已经经历了相位过渡的区域；或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层的尚未经历过相位过渡的区域；以及-在所述记录层叠的基础上制作所述压模。 根据本发明的笫十一方面，提供一种用于制作缩微印刷品的方法，该方法包括以下步骤-提供记录层叠，其包括电介质层；
-在该电介质层的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起的区域中导致热量引发的相位过渡，所述激光脉沖的波长在250到264nm之间， 特别是257nm;-通过蚀刻工艺去除该电介质层的已经经历了相位过渡的所述区 域；或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层的尚未经历过相位过渡的所述区域；-在所述记录层叠(10)的基础上制作所述印模；以及 -使用该印模来制作所述缩微印刷品。参照下面描述的实施例，本发明的这些和其他方面将变得显而易见。此外，对应于结合本发明的第一到笫三方面所公开的实施例和细 节，可以进一步发展根据本发明的第四到笫十一方面的解决方案，并 且对应特征的所有组合都应当被认为是在这里做了公开，即使没有明 确记载在所附权利要求书中。


图la到lc示意性地示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明的母版基板的第一实施例；图lci分别示意性地示出了压模和印模的制作；图lcii示意性地示出了光盘的制作；图lciii示意性地示出了缩微印刷品的制作；图ld和le示出了对于在根据图la到lc的母版基板的基础上进行 的实际实验的结果的段分析；图lf和lg示出了对于在根据图la到lc的母版基板的基础上进行的实际实验的结果的表面分析；图2a到2c示意性地示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明的母版基板的第二实施例；图3a到3c示意性地示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明的母版基板的笫三实施例；图4a到4c示意性地示出了在根据本发明的方法的处理期间的根 据本发明的母版基板的第四实施例；
图5a到5c示意性地示出了在根据本发明的方法的处理期间的根 据本发明的母版基板的第五实施例；图5d和5e示出了对于在具有低吸收层的母版基板的基础上进行 的实际实验的结果的表面分析；图6a到6c示意性地示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明的母版基板的第六实施例；图7a到7c示意性地示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明的母版基板的第七实施例；图7d和7e示出了对于在根据图7a到7c的母版基板的基础上进行的实际实验的结果的段分析；图7f示出了给出关于ZnS-Si02的相位过渡的信息的差分扫描热量计测量；图7g示出了在ZnS-Si02中记录并蚀刻的标记的所计算(仿真)的 与所测量(通过原子力显微镜方法)的全宽半高宽度之间的比较；图8a到8c示意性地示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明的母版基板的第八实施例；图8d示出了目标BD-ROM坑尺寸，蓝色系统(NA=0.85， 405nm ) 中聚焦点的强度分布，以及液体沉浸深UV系统(NA=1.2， 2Wnm)中 的强度分布；图8e示出了对于在根据图8a到8c的母版基板的基础上进行的实 际实验的结果的表面分析；图8f示出了对于根据图8e的实际实验的结果的段分析；图8g示出了对于在根据图8a到8c的母版基板的基础上进行的另一个实际实验的结果的表面分析；图8h示出了对于根据图8g的实际实验的结果的段分析；图9a的曲线图示出了依赖于温度的ZnS纳米晶体的生长；图9b的曲线图示出了具有高ZnS含量的纳米复合物样本的透射谱；图9c到9f示意性地示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明的母版基板的另一个实施例；以及图10a到10h示意性地示出了母版基板的电介质层中的标记机 制，其中包括传统的抗蚀母版(图10c到10e)与ZnS-Si02 PTM母版(图10f到10h)的比较；图lla和lib示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发 明的母版基板的另一个实施例；图12a到12e示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发 明的母版基板的另一个实施例和对应的测量结果；图13a到13d示出了根据本发明的方法的另一个实施例和对应的 处理阶段；以及图14a到14e示出了在才艮据本发明的方法的处理期间的根据本发 明的母版基板12的另 一个实施例。
具体实施方式
在附图中，相同的或相似的附图标记被分配以相同的或相似的组 件，在大多数情况下对于这种组件只解释一次，以避免重复。实施例1图la到lc示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明 的母版基板12的第一实施例，其中，图la示出了未经处理的母版基 板12，图lb示出了写入后的母版基板12，图lc示出了蚀刻后的母版 基板12。所述母版基板12的记录层叠10包括电介质层14,该电介质层14 携带吸收层16。在该电介质层M下方提供一个可选的镜面层。在该实 施例中，该吸收层l6实际上可以是具有高吸收率并且非选择性可蚀刻 的任何材料。许多金属(例如Ni、 Cu、 Ag等等)可以被用作吸收器。 具有相当高的熔融温度的晶体相变材料(例如GeSbTe、掺杂的Sb2Te ) 也可以被用作吸收器。 一种优选的材料是Ni，这是由于其易于获得以 及对于氧化的惰性。所述吸收层16的所需厚度取决于许多材料属性， 比如吸收率、导热率、比热等等。例如对于镍来说，10nm的厚度是合 适的。在图la到lc的实施例中，所述电介质层14是ZnS-Si02，但是其 他电介质也可能表现出选择性蚀刻。该电介质层14的厚度将决定将被 形成的所述坑24的可能深度。所述镜面层32是可选的，并且可以由 Ag、 Al、 Si等等之类的金属制成。只要该电介质层14之下的该层不会
被所使用的蚀刻剂所蚀刻，该层就可以被使用。其可以是所述基板本身，但是所添加的镜面层32会提高总体层叠效率，并且使得所述坑24 的底部表面更平滑。如果必要的话，可以使用一个覆盖层来防止氧化 或者由于熔融所造成的材料偏移。该覆盖层没有在图la到lc中示出 (也没有在图2到6中示出)，但是其可以被提供用于这里描述的所有 实施例。所述覆盖层可以由可蚀刻电介质或有机层制成，并且应当尽 可能薄。作为蚀刻剂，可以使用比如HN03、 HC1、 H2S04之类的酸性 溶液，或者比如KOH、 NaOH之类的碱性液体。图ld-e中给出了蚀刻 后所得到的浮雕结构。利用图la的母版基板12，本发明的方法可以被如下实施 首先，提供图la中示出的记录层叠10，其包括电介质层14和用 于在该电介质层14内支持热量引发的相位过渡的装置16，其中，用于 在该电介质层14内支持热量引发的相位过渡的该装置是由吸收层l6 实现的。随后，在该电介质层14的将要通过施加激光脉冲而形成坑24的 区域22中导致热量引发的相位过渡。在图lb中示出了结果。最后，通过蚀刻工艺去除该电介质层14的已经经历了相位过渡的 区域22。从图lc中可以看出，整个吸收层16以及已写入电介质层22都祐:溶解在蚀刻液体中。图lci分别示意性地示出了压模40和印模42的制作。所述压模40 和印模42分别是在所述高密度浮雕结构24的基础上形成的。为了提 供所述金属层，例如一个薄Ni层被喷溅沉积在该高密度浮雕结构24 上，其中该高密度浮雕结构24被形成在所述母版基板12的记录层叠 中。该Ni层随后被电-化学地生长成厚度可控制的压模40或印模42。 把该压模40或印模42从母版基板26分离，并且对其进行进一步的处 理(清洁、冲压等等)。图lcii示意性地示出了在压模40的基础上制作光盘50，正如本领域技术人员所公知的那样。图lciii示意性地示出了在印模42的基础上制作缩微印刷品52， 正如本领域技术人员所公知的那样。图ld示出了对于下面的实际实验的结果的段分析(sectional analysis)。轨道间距为320nm的预刻沟槽的BD-RE基板配备有记录 层叠，其包括87nm厚的ZnS-SK)2层和10nm的Ni吸收层。所述预刻 沟槽被用来进行寻轨。通过施加连续的激光功率(Pulstec， NA=0.85， 405nm波长，3.4mW的连续功率)，在所述预刻沟槽的层叠中写入连 续沟槽。利用1%的HN03把所述Ni层和ZnS-Si02层中的已写入段蚀 刻15分钟。所述特别的形状表明被加热的ZnS-SK)2层被部分蚀刻。所测量的深度分布表明深、浅沟槽的存在。较浅的沟槽是在所述记录层 叠的喷'减沉积之后的预刻沟槽的剩余部分。较深的沟槽是由对已写入 ZnS-Si02层的选择性蚀刻导致的。在执行了蚀刻之后，将完全在一种 材料中写入最终的坑。这将排除欠蚀刻的可能性，并且将给出平滑的 坑壁。图le示出了对于另一个实际实验的结果的段分析。聚碳酸酯基板 配备有200nm厚的ZnS-Si02层和Cu的吸收层。利用日立初始化器 (810nm波长，100y m宽的点)写入宽度为100)nm的迹线。在把盘溶 解在HN03中之后，得到190nm的步高。该例子示出了在使用不同的 吸收层和不同的激光波长时，该工艺仍然有效。该样本较不平滑。这 是由于使用了铜，而铜很容易受到氧化。图lf示出了利用Pulstec写入的突起结构的例子。同样地，使用 100nm的ZnS-Si02层，其中具有10nm的Ni顶层。在所述盘中写入14T 长度的单音信号。利用1%的HN03把所照射的该盘处理了 15分钟。 我们可以清楚地看到预刻沟槽的印记，即存在于所述突起和中间的岸 中的较浅的沟槽。由于间接的加热效应，所述突起/坑相当宽。壁角度 相当大。此外，所获得的坑深度几乎是初始的ZnS-Si02层厚度的陡峭 程度。图lg示出了这样一个例子，其中可以改变时间来控制所写入的突 起的尺寸。图中示出了对应于三个不同的溶解时间的对于突起结构的 三维AFM扫描，即1%的HN03中的5分钟(左图像)、15分钟(中 间图像)和25分钟(右图像)。其中示出了所述晶体状态也溶解在 HN03中，但是要比未写入的无定形状态慢很多。显而易见，25分钟 的溶解时间过长，15分钟看起来对于与层叠设计相组合的这些写入条 件来说是最优的。实施例2 本发明的方法的处理期间的根据本发明 的母版基板12的笫二实施例，其中，图2a示出了未经处理的母版基 板12，图2b示出了写入后的母版基板12，图2c示出了蚀刻后的母版 基板12。同样地，在该实施例中，所述母版基板12的记录层叠10包括电 介质层14，该电介质层14携带吸收层16,并且在该电介质层14下方 提供一个可选的镜面层32。然而，在该实施例中，所述吸收层16是这 样一层，仅有该层的已写入相位是可以用所述蚀刻剂来蚀刻的，其中 该蚀刻剂被用来蚀刻所述电介质层14。这对于最终的坑24增加了一些 额外的深度，例如参见图2c。与实施例1 一样，许多材料可以被用于 该吸收层16，比如许多金属或者比如晶核形成主导的相变材料的合成 物。例如，可以使用相变材料与碱性液体和酸性液体的组合。利用图2a的母版基板12，本发明的方法可以被如下实施首先，提供图2a中示出的记录层叠10，其包括电介质层14和用 于在该电介质层14内支持热量引发的相位过渡的装置16，其中，用于 在该电介质层14内支持热量引发的相位过渡的该装置是由选择性可蚀 刻的吸收层16实现的。随后，在该电介质层14的将要通过施加激光脉冲而形成坑24的 区域22中导致热量引发的相位过渡。在图2b中示出了结果。最后，通过蚀刻工艺去除该电介质层14的已经经历了相位过渡的 所述区域22。通过比较图2b和2c可以看出，在该例中，只有处在所所述蚀刻液体中。根据实施例2，例如还有可能的是用生长主导的相变材料(例如 InGeSbTe、 SnGeSb等等)来取代所述吸收层l6。该吸收层16的已写 入标记28可以由净皮用来选择性蚀刻所述电介质层14的区域22的相同 的蚀刻剂来蚀刻。这样潜在地通过长回减小了通道比特长度。此外， 在该例中，可以如上所述的那样实施根据本发明的方法。实施例3图3a到3c示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明 的母版基板12的第三实施例，其中，图3a示出了未经处理的母版基板12，图3b示出了写入后的母版基板12，图3c示出了蚀刻后的母版 基板12。同样地，在该例中，所述母版基板12的记录层叠10包括电介质 层14，该电介质层14携带吸收层16，并且在该电介质层14下方提供 一个可选的镜面层32。然而，在该第三实施例中，所述吸收层16是由 诸如Cu-Si或Ni-Si之类的硅化物形成层形成的。在实施例3中，只有 区域28 (即该吸收层16的已写入相位)被溶解，也就是说，在未写入 区域30中，该吸收层16的上硅化物形成层16a和下部16b都没有被溶 解。这样做的优点是增加了坑深度。利用图3a的母版基板，根据本发明的方法可以按照上面结合实施 例2所描述的那样来实施。实施例4图4a到4c示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明 的母版基板12的第四实施例，其中，图4a示出了未经处理的母版基 板12，图4b示出了写入后的母版基板12，图4c示出了蚀刻后的母版 基板12。在实施例4中，母版基板12的记录层叠10与上面结合实施例3 描述的相同。然而，根据实施例4，当应用上面结合实施例1所描述的 方法时，所述已写入相位28、 22和最上面的未写入层16a都被溶解。 图4c中示出了结果。这样做的优点是增加了坑深度并且改进了顶面平 滑度。实施例5图5a到5c示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明 的母版基板12的第五实施例，其中，图5a示出了未经处理的母版基 板12，图5b示出了写入后的母版基板12，图5c示出了蚀刻后的母版 基板12。根据实施例5，上吸收层16和电介质层14与在实施例1到4的任 一个当中所提出的相同。然而，其中添加了另一个吸收层18，其用于 还从下面提供热量，从而使得有可能改进上电介质层14中的温度分 布。与上吸收层16 —样，该层18必须由具有高吸收率的材料制成。
其与上吸收层16的最大区别在于，该另一个吸收层18可以是不能由 所使用的蚀刻剂所蚀刻的。该层18的所需厚度取决于许多材料属性， 比如吸收率、热导率、比热等等。此外，提供了另一个电介质层36， 其被设置在该另一个吸收层18之下。该低电介质层36为该低吸收层 18提供热隔离，并且可以包括任何所提到的电介质。该低电介质层36 的厚度及其光学属性以及所述镜面层32提供一种优化所述层叠的方 式。优化该厚度可以控制如何在各吸收层上划分功率。这样给出对于 所述坑形状的非常好的控制。在实施例5中，可以按照上面结合实施例1所描述的那样应用根 据本发明的方法。图5c中示出了结果。还有可能的是仅仅考虑低吸收层l8，并且忽略上吸收层l6。在这 方面，利用记录层叠执行下面的实验，其包括25nm的ZnS-Si02记录 层、25nm的相变吸收层(InGeSbTe) 、 10nm的ZnS-Si02界面层和 100nm的Ag层(可能提供该层叠的绘图)。对于所述相变层的激光引 发的加热通过扩散导致对ZnS-Si02顶层的间接加热。在母版制作之前 使得该相变层变为晶态。通过施加连续激光功率写入连续的无定形迹 线，通过应用脉冲写入策略而写入无定形标记。所述写入策略包含短 写入脉冲，从而允许在写入脉冲之间的充足的冷却时间，以《更对所述 相变薄膜进行熔融淬火。利用N策略执行第一写入实验。在这种写入 实验中，利用三个写入脉冲写入3T标记。利用NaOH显影剂(10%) 处理已写入盘。图5d示出了利用三种不同的功率设置写入的沟槽的AFM图 (413LBR， 25nm的ZnS-Si02薄膜，10% NaOH十分钟)，其中沟槽 深度是20nm。在利用NaOH进行蚀刻之后，所照射的区域保持为岸高 地。更高的写入功率导致更宽的岸高地(岸是亮带)以及岸之间的更 窄的沟槽(沟槽是暗带)。图5e示出了已写入数据的例子。未写入ZnS-Si02相位溶解在所述 碱性液体中，而已写入区域则保持在表面处。这些已记录区域保持为 表面处的突起。其中的三个面板表示三个不同的记录功率。使用了脉 冲写入策略来写入这些标记。图Se示出了对于三种写入功率在记录层 叠中利用413nm LBR写入的数据模式的图^f象，该记录层叠具有25nm 厚的ZnS-Si02覆盖层和InGeSbTe相变薄膜，所述三种写入功率是33ILV(左图像)、39ILV (中间图像)和51ILV (右图像)(IO分钟 @10%的NaOH， TP=500nm)。实施例6上面的实施例1到5是关于第——般实施例，实施例6是关于第 二一般实施例，其中掺杂剂被用来增强吸收属性。图6a到6c示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明 的母版基板12的第六实施例，其中，图6a示出了未经处理的母版基 板12，图6b示出了写入后的母版基板12，图6c示出了蚀刻后的母版 基板12。在实施例6中，母版基板12的记录层叠10包括电介质层14，该 电介质层14由适当的掺杂剂20掺杂，以用于增强吸收属性。在该电 介质层14下方提供一个可选的镜面层32。所述掺杂剂优选地是从下面 的一组中选择的N、 Sb、 Ge、 In、 Sn。然而，不同比例的ZnS-Si02 也是可能的，或者ZnS-Si02与其他吸收材料的混合也是可能的。所述掺杂剂确保了即使在不存在吸收层的情况下，通过施加激光 脉冲，也在该电介质层14的将形成坑24的区域22中确保了热量引发 的相位过渡(见图6c)。图6c中示出了蚀刻工艺的结果。例如，利用蓝光吸收剂相变材料掺杂ZnS-SiCh可以利用以下方法 来实现可以准备具有混合在一起的ZnS-SK)2和GeSbSn的目标。所 述吸收剂材料在所述组成中的比例必须足以吸收40Snm波长下的光， 但是应当还保持得足够低，以避免在ZnS-Si02的相位过渡上的任何噪 声。发现了一种适当的组成，其大约是15%(体积)的GeSbSn和80Y。 (体积)的ZnS-Si02。由于这是本领域中已知的，因此还可以利用两个 分离的目标ZnS80-SiO2—20 (百分比)和Ge12.6Sb69.2Sn18.3 (百分比)来 执行所述掺杂。为了共同沉积ZnS-Si02和GeSbSn，可以把其外直径 与所述目标相同的ZnS-SK)2盘放置成与所述GeSbSn目标紧密接触。 为了允许喷溅GeSbSn，可以在该ZnS-Si02盘的中心产生一个圓孔。 孔的直径确定了被喷溅的GeSbSn/ZnS-Si02的比例。实施例7图7a到7c示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明 的母版基板12的第七实施例，其中，图7a示出了未经处理的母版基 板12，图7b示出了写入后的母版基板12，图7c示出了蚀刻后的母版 基板12。根据实施例7，所述记录层叠10包括由ZnS-SK)2制成的电介质层 14。此外，提供了可选的镜面层32和同样可选的覆盖层38。该覆盖层 38优选地尽可能薄，其在写入期间存在，并且通过蚀刻被化学地去除。 其功能是防止所述吸收层发生化学降解，并且不增强吸收属性。 利用图7a的母版基板，根据本发明的方法可以被实施如下 首先，提供包括电介质层14 (还有镜面层32和覆盖层38)的记 录层叠10。随后，在该电介质层14的区域22中导致热量引发的相位过渡， 在该处将要通过施加波长为2S7nm的激光脉冲而形成坑24。最后，通过蚀刻工艺去除该电介质层14的已经经历了相位过渡的 所述区域22。图7d和7e示出了对于在根据图7a到7c的母版基板的基础上进行 的实际实验的结果的段分析。在266nm波长(即深UV激光波长)下 执行ZnS-Si02的记录。特别地，利用266nm激光束记录器的实验显示 出非常好的吸收，这意味着只需要适度的激光功率就可以达到所述过 渡温度并且实现非常好的选择性蚀刻性能。在图7d中给出了典型的结 果在玻璃基板上喷溅沉积了 50nm的ZnS-Si02层。 一个M6nm激光 束记录器被用来在该ZnS-Si02层中写入标记。需要大约lmW的激光 功率引发大约750-900° C的温度升高。利用0.5°/ 的HN03溶液对已记 录层进行处理，以便去除该层的未写入部分。在图7e中给出了已记录 并且已蚀刻的80nm的ZnS-Si02层的一个例子，其中再次利用266nm 的LBR执行照射，并且利用0.25°/ 的HN03溶液对该已记录层进行处 理，以便选择性地蚀刻该层。图7d和7e的原子力显微镜画面示出了 可以利用ZnS-SiC)2作为PTM材料所实现的高对比度。如图7f中所示，在所述ZnS-Si02材料变为对HN03蚀刻无活性之 后，执行差分扫描热量计(DSC)测量以便获得关于相位过渡的信息。 基于记录实验，预计是在800。 C左右。然而，在块材料中，从闪锌矿 (zinc blende)到纤维锌矿(wurtzite)的相位过渡发生在1020° C的 温度下；出于该原因，利用10° C/分钟(温度曲线)的恒定加热速率，
在从20° C到1200。 C的宽温度范围内进行所述实验。测试了两个不 同的ZnS-SK)2样本其中一个样本包括从喷濺目标获得的ZnS-Si02 粉末和从喷溅剩余物获得的粉末。在所述腔室的内容保持氮气流，以 便最小化该样本的氧化。图7f的DSC结果是对于所沉积的ZnS-Si02 粉^出的。其中没有7Ji^到热量流的清楚改变，但是在650。 C和800。 C处 J^现清楚的质量下降。所述热量流(DSC曲线)随时间增大；总质量则 显示出在650。C和800。C附近的两个清楚的下降(TG曲线)。800°C的相位过渡温度与记录实验一致。在不同的记录功率下，在 50nm的ZnS-Si02层中写入标记，并且随后用HN03进行蚀刻。利用 AFM测量标记宽度，在图7g中给出了结果。此外，使用三维仿真工 具来预测标记宽度。所述ZnS-SK)2记录层叠的导热率、热容量和光学 属性和写入条件(比如激光功率、记录速度、光点尺寸等等)被输入 到所述模型中。在图7g中还示出了对应于800。C的相位过渡温度的仿 真结果。因此，图7g示出了在80nm的ZnS-SiO2层中记录并蚀刻的标 记的所计算的与所测量(AFM )的全宽半最高宽度之间的比较(266nm 波长，N.A.=0.9)。特别在0.5-1.5mW的功率范围内找到仿真与实验之 间的良好一致。在低于0.SmW的功率值下，光吸收在许多情况下不足 以在266nm下在80nm的ZnS-Si02层中进行写入。仿真与实验之间的 该良好一致表明所述标记在800°C附近被记录在ZnS-Si02中。实施例8图8a到8c示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发明 的母版基板12的第八实施例，其中，图8a示出了未经处理的母版基 板12，图8b示出了写入后的母版基板12，图8c示出了蚀刻后的母版 基板12。母版基板12的记录层叠10包括基板90，其例如可以是玻璃基板 或预刻沟槽的聚碳酸酯基板。在该基板90上提供一个镜面层32，以用 于改进该记录层叠IO的反射。该镜面层32是可选的，并且可以由Ag、 Al、 Si等等之类的金属制成。只要所述电介质层14之下的该层不会被 所使用的蚀刻剂所蚀刻，该层就可以被使用。其可以是所述基板本身， 但是所添加的镜面层32会提高总体层叠效率，并且使得所述坑24的 底部表面更平滑。 母版基板12的记录层叠10包括许多对ZnS-Si02、 一种选择性地 可蚀刻的电介质材料和若干SnGeSb吸收层。这些吸收层可以是选择性 地或非选择性地可蚀刻的。具体来说，所示出的记录层叠10包括所提 供的10对5nm的ZnS-SK)2和lnm的SnGeSb相变层，即20个交替的 电介质层14、 54、 58、 62、 66、 70、 74、 78、 82、 86和吸收层16、 56、 60、 64、 68、 72、 76、 80、 84、 88。所述SnGeSb吸收层例如净皮用来在 曝光于蓝色(405nm)激光时间接加热所述ZnS-Si02电介质层(ZnS-SK)2对于405nm的激光波长几乎没有吸收)。所述热量引发所述 ZnS-Si02电介质层中的相位改变。所述ZnS-Si02层在激光引发的加热 时展现出选择性的蚀刻，从而在蚀刻之后产生浮雕结构。当暴露于化 学反应剂时(比如上面提到的酸)，已写入状态比初始的未写入状态 具有低得多的蚀刻速率，从而使得突起结构在蚀刻之后得到保持。如 果必要的话，可以使用一个覆盖层来防止氧化或者由于熔融而导致的 材料偏移(在图8a到8c中没有示出)。这种覆盖层可以由可蚀刻电介 质或有机层制成，并且应当尽可能薄。作为蚀刻剂，可以使用比如 HN03、 HC1、 H;tS04之类的酸性溶液，或者比如KOH、 NaOH之类的 碱性液体。利用图8a的母版基板12，本发明的方法可以如下实施首先，提供图8a中示出的记录层叠10，其包括十个电介质层14、 54、 58、 62、 66、 70、 74、 78、 82、 86和用于在所述电介质层14、 54、 58、 62、 66、 70、 74、 78、 82、 86内支持热量引发的相位过渡的装置 16、 56、 60、 64、 68、 72、 76、 80、 84、 88。随后，在所述电介质层14、 54、 58、 62、 66、 70、 74、 78、 82、 86内不欲通过施加激光脉沖而形成坑24 (图8c)的区域22中导致热 量引发的相位过渡。在图8b中示出了结果。最后，通过蚀刻工艺，第一吸收层W和所述电介质层"、54、 58、 62、 66、 70、 74、 78、 82、 86的尚未经历相位过渡的区域26与所述吸 收层16、 56、 60、 64、 68、 72、 76、 80、 84、 88的相邻部分一起,皮去 除。图8c中示出了结果。在实际实验中，包括10对5nm的ZnS-SiO2和lnm的SnGeSb相 变层的记录层叠在蚀刻之后提供良好限定的坑结构。在一个实际实验 中，该记录层叠被喷'减沉积在玻璃基板上。利用激光束记录器写入所
述突起和沟槽(第一表面记录，NA-0.9, 405nm波长)。在另一个实 际实验中，所述记录层叠被喷濺沉积在预刻沟槽的聚碳酸酯基板上。 利用一个附加的覆盖层把该基板记录在Pulstec上(笫二表面记录， NA=0.85， 405nm波长)。利用HN03酸性溶液来处理已写入盘。利用 LBR啄光的玻璃样本被直接蚀刻。对于具有记录层叠的聚碳酸酯样本 来说，在蚀刻之前去除所述覆盖层。对应于所述两种类型的测试样本 的其范围在3到5mW之间的记录功率说明所述薄吸收层确实在所述记 录层叠中引入了吸收。激光引发的对所述记录层叠的加热导致对所沉 积的无定形相变吸收层的部分晶体化。在蚀刻之前，已写入数据轨道 是清晰可见的。如果所述材料与405nm激光组合使用，则这种可检测 的相位改变是特别重要的。在这种情况下，只有所述已聚焦激光点的 顶部被用于写入，从而使得所述系统对于功率变化非常敏感。视觉可 检测的相位改变允许已写入标记的读回信号来控制激光写入功率。这 也被称作DRAW (-写入后的直接读取)。这在图8d中进行了说明， 其中，除了两个不同的激光束记录器系统之外，对于25GB的BD-ROM 给出了目标坑尺寸。所述BD读出点曲线对应于具有NA=0.85和405nm 波长的蓝色系统，所述LIM点曲线对应于利用液体沉浸母版制作获得 的点(NA=1.2并且257nm波长)。可以看出，所述LIM点足够小， 以便利用所述激光点的全宽半高(FWHM : Full-Width Half Maximum)写入所述坑。在这种情况下，所获得的坑宽度对于功率变 化较不敏感。在使用蓝色激光点来写入BD-ROM坑的情况下，仅仅使 用所述点的顶部。在这种情况下，功率控制是非常重要的，这是因为所获得的坑宽度对功率波动或者母版基板中的不均匀性非常敏感。虽 然所述记录层叠包括20层(10对5nm的ZnS-SK)2和lnm的SnGeSb )， 所述溶解是相当均匀的。看起来，所述lnm厚的相变薄膜不是可以从其上分离整个层的清楚界面。在图8e和图8f中分别给出了对于在上述层叠中写入的突起的表面分析和段分析，其中该层叠被喷溅沉积在聚碳酸酯预刻沟槽基板上(以 便允许利用Pulstec记录器进行写入)。利用5%的HN03酸对已记录 层叠进行处理，以便溶解初始的未写入材料。所述突起结构由陡壁表 征，因此由高对比度表征。所述突起以320nm的数据轨道间距被写入，从而说明了所述突起的尺寸。
在图8g和图8h中分别给出了对于在上述层叠中写入的突起的表 面分析和段分析，其中该层叠被喷溅沉积在玻璃基板上。该结构是利 用激光束记录器获得的(第一表面记录，405nm， NA=0.9)。所述标 记以500nm轨道间距写入。利用5%的HN03酸对已记录盘进行处理。应当注意，在不背离本发明的范围的情况下，可以采用上面没有 描述的等效方案和修改，本发明的范围在所附权利要求书中限定。实施例9该实施例是针对通过退火工艺对ZnS纳米晶体尺寸进行生长控 制。如上所述，在室温下，ZnS-SK)2薄膜包含嵌入在Si02母体中的微 小的纳米尺寸的ZnS粒子，其中所述纳米晶体的尺寸依赖于温度提 高温度会使得纳米晶体的尺寸开始生长。这导致在ZnS-Si02的光吸收 范围内的蓝移。蓝光通过该纳米复合物材料的散射被认为是该蓝移的 主要原因。退火工艺至少在喷溅沉积的ZnS-Si02内部发起以下三种效 应1) 纳米晶体的尺寸在室温下大约是2nm，并且在800。C下增大到 50nm。纳米晶体的尺寸负责特定波长下的光吸收纳米晶体尺寸越小， 所吸收的波长就越小。出于该原因，有可能随着纳米晶体尺寸随温度 的生长而调谐光吸收谱。在图9a中可以看出，对于高于700。C的退火 温度，纳米晶体尺寸快速增大，这是由于块扩散系统的快速增大而造 成的。图9b示出了具有高含量ZnS (15%摩尔)的纳米复合物样本的 透射谱。405nm的蓝光波长对应于3.0eV的光子能量。在室温下，透 射的下降发生在310nm的波长下，如已知的那样。2) 在ZnS纳米粒子(见图9a)中，立方形到六边形(闪锌矿到 纤维锌矿)的相位过渡发生在700°C到800°C之间。这应当与1020°C 的块过渡温度相比较。该改变大概是由于纳米尺寸效应所造成的。所 述相位改变可能对利用酸进行的选择性蚀刻负责。3 )在900°C下，ZnS分子的某些部分氧化成ZnO，并且随后与Si02 起反应，从而形成Zn2Si04。因此，所述纳米晶体的表面被钝化，并且 对于诸如利用酸的湿蚀刻之类的化学攻击被稳定化。因此，该步骤还 可能对选择性蚀刻负责。总而言之，例如在火炉中把喷溅沉积的ZnS-Si02薄层加热到700°C
将导致蓝移，从而允许直接记录标记。当提供这种退火步骤时，对于例如利用405nm的激光束记录器在ZnS-Si02中记录标记来说，附加的 吸收层或掺杂至少在某些情况下是不必要的。图9c到9f示意性地示出 了应用于根据本发明的母版基板的另一个实施例的这种方法，其中图 9c示出了未经处理的母版基板12，图9d示出了退火步骤后的母版基 板12，图9e示出了写入后的母版基板12，图9f示出了蚀刻后的母版 基板12。在图9c到9f中所示出的实施例中，母版基板12的记录层叠10包 括电介质ZnS-SK)2层14。在该电介质层14下方提供一个可选的镜面 层32。在图9c中示出的未经处理的条件下，ZnS-Si02层包含在室温下的 尺寸大约是2nm的纳米晶体，也就是说所述纳米晶体非常小，从而在 图9c中没有示出。图9d示出了在火炉中被加热到大约700°C的母版基板12。通过该 退火工艺，在所述ZnS-Si02层中的纳米晶体34的尺寸增大到大约 7.5腿。图9e示出了在写入之后的母版基板12，也就是说在向将形成坑的 区域22施加波长为405nm的激光脉冲之后。图9f示出了蚀刻之后的母版基板12。可以看出，区域22中的材 料被去除，并且形成了坑24。实施例10图10a和10b示意性地示出了母版基板12的电介质层14中的标记 机制。该母版基板12包括记录层10，该记录层具有沉积在玻璃基板 100上的单一ZnS-SiO2电介质层14。图10a示出了写入工艺之后的母 版基板12，也就是说在把266nm激光束记录器的激光施加到该电介质 层14上之后。所述ZnS粒子在已记录区域22中要大得多。在对已记 录层进行湿蚀刻之后，已记录材料保持为所述基板上的突起结构。该 电介质层14包括其中未施加激光脉冲的区域26和已经曝光于激光能 量的区域22。施加到区域22的光能量在该电介质层14内部被吸收， 并且被转换成热量。该初始地未记录(未写入)的区域26包括Si02 晶格中的小尺寸的ZnS粒子。在所述写入工艺之后，所述已记录区域22中的ZnS粒子比所述未写入区域26中的粒子大得多。图10b示出了 湿蚀刻工艺之后的母版基板12。该母版基板12的未记录区域26被去 除，并且区域22中的已记录材料保持为该玻璃基板100上的突起结 构。图10c到10h示出了利用传统的抗蚀母版(图10c到10e)与利用 ZnS-Si02 PTM母版(图10f到10h )的压模生长的比较。在图10c中， 利用激光束110照射玻璃基板100上的传统的光阻材料108。光吸收过 程在垂直方向上导致特别是圆锥形的形状，其在光束方向上收窄。从 图10d中可以看出，通过蚀刻工艺去除所述已啄光区域104，从而形成 圆锥形的坑106。在图10e中，从显示出锥形突起的已显影母版102生 长镍压模107。该压模107允许通过注射成型而进行批量复制。图10f 示出了在ZnS-Si02母版制作中遇到的相反的标记工艺。利用激光束112 照射沉积在玻璃基板100上的电介质层14 (ZnS-Si02)。所述激光束 112的激光在所述ZnS-SK)2层14内部被吸收，从而导致已曝光区域24 和未曝光区域26的序列(图10f)。在湿蚀刻(图10g)之后，获得与 传统的光阻工艺相比的反突起/坑形状24、 26，从而使得圆锥形坑24 保持具有欠蚀刻的明显可能性。ZnS-Si02PTM母版的反极性对于压模 生长来说是成问题的，这是因为所生长的压模40与突起24的浮雕结 构之间的鴒尾连接的分离可能是无法做到的(见图10h)。图10i示出了在Ni-ZnS-Si()2层叠中写入的突起的SEM扫描电子 显微镜画面(处理15分钟@1%的HN03)。图10j示出了利用266nm 的LBR在80nm的ZnS-SK)2层叠中写入的突起(处理120秒@0.06% 的HN03 )。图10k示出了一个突起结构的AFM扫描的结果，其中示出了欠蚀 刻特征。利用266nm激光束记录器(数值孔径0.9 )来记录喷'减沉积在 玻璃基板上的80nm的ZnS-Si02层。具有块脉冲的17PP数据是在2m/s 的线速度下用75到115ILV的功率记录的随机数据。在0.25。/。的HN03 中处理该盘50秒，从而在该母版的表面上揭示出所浮雕的数据图案。 在图10k中给出了对于所获得的突起结构的AFM扫描。所述突起的高 度为80nm，其等于所述初始记录层。所测量的75°的壁角表明欠蚀刻 的可能性。由于典型的AFM尖端具有大约75°的顶锥角(其对应于30° 的顶角)，从而有可能测量垂直指向中的大于75"的特征壁角。这表明
欠蚀刻的可能性。图IOI示出了对于在图10k的突起结构上生长的压模的AFM扫描 的结果。100nm的薄镍层被喷溅沉积在数据面上，并且执行电镀。在 图10k中示出了分离的压模的AFM画面。该压模中的坑具有5nm的 最小深度、20nm的最大深度和6.5nm的平均深度。在轨道之间的平均 Ra表面粗糙度大约是0.5nm， Rms等于0.65nm。所述坑显示出阶梯状， 并且一个坑的最深部分是标记最窄的部分。基板的未写入部分被完全 显影，并且很容易与压模分离。这些结果表明，由于欠蚀刻，所述坑 被来自母版的浮雕图案的ZnS-SK)2剩余物填充。例如，关于实施例io描述的反极性工艺在某些情况下可能遭受欠蚀刻的问题。该问题还有可能在其他实施例中发生。下面的实施例11 到15特别解决欠蚀刻的问题，以便在湿蚀刻工艺之后改进已写入并且 已显影的结构的形状实施例11图lla和lib示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发 明的母版基板12的第十一实施例，其中，图lla示出了在写入期间的 母版基板12，图11b示出了蚀刻后的母版基板12。母版基板12的记录层叠10包括围绕吸收层16的两个ZnS-Si02 电介质层14。该记录层层叠10被设置在玻璃基板100上。可能的吸收 层材料是SbTe、 Si、 Ag、 Al等等。当该电介质层"被完全显影时(直 到该吸收层)，该吸收层应当是抗蚀刻的。吸收层16可以被添加到该 记录层叠10，以便包括来自下面的额外的热量流。也在所述吸收层中 产生热量，从而改进了突起形状。在暴露于HN03之后，具有锥状轮 廓的突起得到保持。实施例12图12a和12b示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发 明的母版基板12的第十二实施例，其中，图12a示出了在蚀刻之后的 母版基板12，图12b示出了在利用硅烷进行旋涂之后的母版基板12。图12a示意性地示出了已写入并且已显影的母版基板12，其包括 沉积在玻璃基板100上的单一已显影电介质层14。该母版基板12被完 全显影，并且显示出欠蚀刻的区域114。该已显影母版基板12覆盖有 硅烷薄膜(或者其他旋涂的有机薄膜)，以便填充欠蚀刻区域。在图12b中，旋涂了硅烷薄膜116(S^H2n+2)，其由于毛细力的作用而填充欠蚀刻区域114。所述毛细力将使得聚合物层保持在突起24的欠蚀刻 区域114中，并且从而改进突起24。除了硅烷之外，还可以采用其他 有机或聚合物材料。欠蚀刻区域114的空腔被填充，并且垂直突起形 状得到改进。图12c和12d示出了对于母版基板12的硅烷处理的AFM分析的 结果。硅烷在200rpm的转速下被旋涂在12cm玻璃基板的80nm的 ZnS-Si02层上。该基板随后在1500rpm下被干燥，以便去除多余的硅 烷。图12c示出了在硅烷处理之前在80nm的ZnS-SK)2层中写入8T载 体的AFM结果，图12d示出了硅烷处理之后的结果。在突起形状中可 以看出显著的不同。在没有硅烷处理的情况下，如上面所讨论的那样， 所述壁显示出75°C的AFM顶锥角，但是在具有硅烷处理的情况下， 所述壁处于不那么陡山肖的45UC角。80nm的测量高度支持了这样的想 法在欠蚀刻区域114中，硅烷仅仅残留在突起24的壁上以及残留在 突起24之下。由于所述旋涂和干燥过程中的离心力，突起24之间的 娃烷#1甩出。图12e示出了对于生长在经过硅烷处理的母版基板12上的压模的 AFM分析的结果。从上面讨论的母版基板(图12d)生长压模。仅仅 在所述盘的内部才能观察到该压模与母版基板的分离是良好的。该 AFM分析揭示了 80nm的坑深度和大约45°C的壁角。假设所观察到的 不对称的坑形状是由硅烷的旋涂导致的。当硅烷通过离心力被从母版 基板的内部驱动到外部时，母版基板上的突起充当流动阻碍。于是硅 烷将在突起的前面聚积，同时在其尾迹中的硅烷则较少。实施例13图13a到13d示出了在根据本发明的方法的处理期间的根据本发 明的母版基板12的第十三实施例，其中，图13a示出了在写入之后的 母版基板12，图13b、 13c和13d示出了在不同蚀刻阶段的母版基板12。 实施例12的基本思想是在母版基板被完全显影之前停止对电介质层14 的蚀刻处理，从而避免欠蚀刻。受到良好控制的显影条件可以防止欠
蚀刻的发生。如果母版暴露于蚀刻液体的时间太长，则所述突起可能 遭受欠蚀刻。如果母版被过度曝光，则可能发生欠蚀刻。如果所述蚀 刻工艺受到良好控制，则可以获得预定深度。在这种情况下，防止了 欠蚀刻。在图13a中，母版基板被记录，并且显示出电介质层14中的已写 入浮雕结构22以及未写入区域26。点线120表示预定壁形状，而线122 示出了在完整的显影之后或者在母版基板12的过度曝光之后的突起形 状。在图13b和12c中示出了蚀刻工艺的各阶段，其中突起形状仍然 在所期望的范围内，即没有欠蚀刻发生，在图13d中，欠蚀刻已经存 在。为了利用图13b或13c的阶段，必须良好地控制蚀刻工艺。图13e示出了对于从一个未被完全显影的母版基板生长的压模的 AFM分析。该母版基板是一个80nm的ZnS-SiO2母版。所述突起被显 影到60nm的深度。所述突起被良好地定形，并且该形状在压模中得到 良好的复制。如上面所讨论的那样，并没有出现欠蚀刻和后续的鸽尾 连接的问题。实施例14图14a到14e示出了示出了在根据本发明的方法的处理期间的根 据本发明的母版基板12的笫十四实施例，其中，图14a示出了写入之 后的母版基板12，图14b示出了具有所沉积的Ni层124的母版基板， 图14c到14e示出了具有突起反转的Ni压模40的生长和分离。获得适 当的突起形状的其中一种可能性是突起形状反转。在湿蚀刻之前，从 已曝光的PTM母版生长一个压模。在ZnS-Si02-玻璃界面处分离所写 入的突起结构与所述压模。随后，对已记录PTM层进行显影。所得到 的突起结构具有适当的突起形状，其直接适用于复制或母版压模生 长。图14a示出了在照射工艺之后的母版基板12，所述照射工艺在玻 璃基板100上的ZnS-Si02层14中定义已写入区域22和未写入区域 26。在图14b中，Ni层124被喷'减沉积在电介质层"上。此后，在图 14c中，通过对所喷'减沉积的Ni层124进行电化学镀而生长Ni压模40。 在图Md中，在ZnS-Si02与玻璃的界面处分离母版基板U与压模40。 随后，对已记录PTM层进行显影(图14e)。
实施例15根据本发明的第十五实施例，可以通过降低PTM材料的吸收来优 化突起形状。这可以通过修改ZnS-Si02比例来实现。默i^的比例是 ZnS-SiO2-80。/o-20n/o重量百分比。所提出的比例是ZnS-SiO2=70%-30% 重量百分比和ZnS-Si02-6(T/。-4(r/n重量百分比。应当清楚，可以有利地组合所附权利要求书的各单个特征，即使 所述权利要求没有向回引用对应的其他权利要求。因此，应当认为在 此公开了所述权利要求书的所有可能的特征组合。这对于仅在说明书 中提到的特征也同样适用。
权利要求
1、一种用于在母版基板(12)的记录层叠(10)中提供高密度浮雕结构的方法，特别是用于为批量制造光盘制作压模的母版基板(12)或者用于为微接触印刷产生印模的母版基板，该方法包括以下步骤-提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14)和用于在该电介质层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16，18；20；34)；-在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起(24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡；以及-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的已经经历了相位过渡的区域(22)；或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的尚未经历过相位过渡的区域(26)。
2、 根据权利要求l的方法，其中，所述用于在所述电介质层(14) 内支持热量引发的相位过渡的装置(16， 18; 20; 34)包括设置在该 电介质层(14)之上和/或之下的至少一个吸收层(16， 18)。
3、 根据权利要求1或2的方法，其中，所述用于在所述电介质层 (14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16， 18; 20; 34)包括掺杂 在该电介质层(14)中的掺杂剂U0)。
4、 根据权利要求1至3当中的任一条的方法，其中，所述用于在所 述电介质层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16， 18; 20; 34)包括在退火工艺期间在该电介质层内生长的纳米晶体(34)。
5、 根据权利要求2或者根据从属于权利要求2时的权利要求3或4的 方法，其中，所述吸收层(16)是用从下面的一组中选择的材料制成 的Ni， Cu， GeSbTe， SnGeSb， InGeSbTe，比如Cu-Si或Ni-Si的形成 硅化物的材料，比如由晶核形成主导的相变材料的材料组成。
6、 根据权利要求l的方法，其中，所述电介质层(14)是ZnS-Si02层。
7、 根据权利要求l的方法，其中，在所述蚀刻工艺中使用的所述 蚀刻剂是从下面的一组中选择的比如HNOh HC1、 H;jS04之类的酸 性溶液，或者比如KOH、 NaOH之类的碱性液体。
8、 根据权利要求2或者根据从属于权利要求2时的权利要求3或4的 方法，其中，在所述蚀刻工艺期间，施加了激光脉沖的所述吸收层(16) 的各区域(28)与没有施加激光脉冲的该吸收层(16)的各区域(30) 一起被去除。
9、 根据权利要求2或者根据从属于权利要求2时的权利要求3或4的 方法，其中，在所述蚀刻工艺期间，仅仅位于被去除的所述电介质层(14)的各区域(22)之上的所述吸收层(16)的各区域(28)被去除。
10、 根据权利要求2或者根据从属于权利要求2时的权利要求3或4 的方法，其中，所述提供记录层叠(10)的步骤包括提供这样一个记 录层叠(10)，该记录层叠还包括在所述电介质层(14)之下的镜面 层(32 )。
11、 根据权利要求10的方法，其中，所述镜面层(32)是用从下 面的一组中选择的材料制成的Ag、 Al、 Si。
12、 根据权利要求l的方法，其中，所述提供记录层叠(10)的步 骤包括提供这样一个记录层叠(10)，该记录层叠包括在所述电介质 层之上的吸收层(16)以及在该电介质层(14)之下的另一个吸收层(18)。
13、 根据权利要求12的方法，其中，所述提供记录层叠(10)的 步骤包括提供这样一个记录层叠(10)，该记录层叠还包括在所述另 一个吸收层(18)之下的另一个电介质层(36)。
14、 根据权利要求l的方法，其中，所述提供记录层叠U0)的步 骤包括提供这样一个记录层叠(10 )，该记录层叠还包括覆盖层(38 )。
15、 根据权利要求14的方法，其中，所述覆盖层(38)由可蚀刻的电介质层制成。
16、 根据权利要求3的方法，其中，所述掺杂剂(20)是从下面的 一组中选择的N、 Sb、 Ge、 In、 Sn。
17、 根据权利要求l的方法，其中，所述提供记录层叠(10)的步 骤包括提供这样一个记录层叠(10),该记录层叠包括多个交替的电 介质层(14， 54， 58， 62, 66， 70， 74， 78, 82， 86)和吸收层(16， 56， 60， 64， 68， 72， 76， 80， 84， 88)。
18、 根据权利要求17的方法，其中，所述多个交替的电介质层(14， 54， 58， 62， 66， 70， 74， 78， 82， 86)和吸收层(16， 56, 60， 64，68， 72， 76， 80， 84， 88)是由2到20个电介质层和2到20个吸收层形成 的，优选地是由5到15个电介质层和5到15个吸收层形成的，并且最优 选地是由10个电介质层和10个吸收层形成的。
19、 根据权利要求17的方法，其中，所述电介质层的厚度是在0.5 到20nm之间，优选地是在l到10nm之间，并且最优选地是大约5nm。
20、 根据权利要求17的方法，其中，所述吸收层的厚度是在0.1到 10nm之间，优选地是在0.2到5nm之间，并且最优选地是大约lnm。
21、 一种用于产生高密度浮雕结构的母版基板(12),特别是用 于为批量制造光盘制作压模的母版基板U2)或者用于为微接触印刷 产生印模的母版基板，其中，为了形成所述高密度浮雕结构，提供了 由掺杂剂(20)所掺杂的电介质层(14)，从而增强了其对于激光脉 冲的吸收属性。
22、 根据权利要求21的方法，其中，所述掺杂剂(20)是从下面 的一组中选择的N、 Sb、 Ge、 In、 Sn。
23、 一种用于产生高密度浮雕结构的母版基板(12),特别是用 于为批量制造光盘制作压模的母版基板(12)或者用于为微接触印刷 产生印模的母版基板，其中，为了形成所述高密度浮雕结构，提供了 包含通过退火工艺生长的纳米晶体(34)的电介质层(14)。
24、 一种用于在母版基板(12)的记录层叠(10)中提供高密度 浮雕结构的方法，特别是用于为批量制造光盘制作压模的母版基板 (12)或者用于为微接触印刷产生印模的母版基板，该方法包括以下步 骤-提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14);-在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉沖而形成坑/突起 (24)的区域中导致热量引发的相位过渡，所述激光脉冲的波长在250 到800nm之间，优选地是在257到40Snm之间；以及-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14 )的已经经历了相位过渡的区 域(22);或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14 )的尚未经历过相位过渡的区 域(26)。
25、 根据权利要求24的方法，其中，所述电介质层(14)是ZnS-Si02层。
26、 根据权利要求25的方法，其中，所述ZnS-SK)2层(14)的ZnS 成分占有少于80%的重量百分比。
27、 根据权利要求24或25的方法，其中，所述记录层叠包括至少 一个吸收层(16)。
28、 根据权利要求24或25的方法，其中，在所述蚀刻工艺之后应 用涂覆(116)。
29、 根据权利要求24或25的方法，其中，在不应被去除的电介质 层(H)的各区域的欠蚀刻发生之前停止所述蚀刻工艺。
30、 根据权利要求24或25的方法，其中，所述电介质层(14)包 括第一表面和第二表面，其中第一表面在施加激光脉沖的过程中被设 置成靠近所述激光，第二表面在施加激光脉沖的过程中被设置成远离 所述激光，并且其中所述蚀刻工艺开始在该电介质层(14)的第二表 面上。
31、 一种用于为批量制造光盘(50)制作压模(40)的方法，该 方法包括以下步骤-提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14)和用于在该电介质 层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16， 18; 20; 34);-在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉沖而形成坑/突起 (24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡；-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14 )的已经经历了相位过渡的区 域(22);或者域(26);以及画在该记录层叠U0)的基础上制作所述压模(40)。
32、 一种用于制作光盘(50)的方法，该方法包括以下步骤-提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14)和用于在该电介质层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16， 18; 20; 34);-在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起(24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡；-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的已经经历了相位过渡的区域(22);或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的尚未经历过相位过渡的区域(26 );-在该记录层叠(10)的基础上制作所述压模(40);以及 -使用该压模(40)来制作光盘。0)。
33、 一种用于为微接触印刷制作印模(42)的方法，该方法包括 以下步骤-提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14)和用于在该电介质 层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16， 18; 20; 34);-在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起 (24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡；-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14 )的已经经历了相位过渡的区 域(22);或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的尚未经历过相位过渡的区 域(26);以及-在该记录层叠(10)的基础上制作所述印模(42)。
34、 一种用于制作缩微印刷品(52)的方法，该方法包括以下步骤-提供记录层叠UO)，其包括电介质层(14)和用于在该电介质 层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16， 18; 20; 34);-在该电介质层U4)的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起 (24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡；-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的已经经历了相位过渡的区 域(22);或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的尚未经历过相位过渡的区 域(26);-在该记录层叠(10)的基础上制作印模；以及 -使用该印模(42)来制作所述缩微印刷品(52)。
35、 一种用于为批量制造光盘(50)制作压模(40)的方法，该 方法包括以下步骤-提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14);-在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起 (24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡，所述激光脉冲的波长 在245到270nm之间，特别是在2"到266nm之间； -通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的已经经历了相位过渡的区 域(22);或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的尚未经历过相位过渡的区 域(26);以及-在所述记录层叠(10)的基础上制作所述压模(40)。
36、 一种用于制作光盘(50)的方法，该方法包括以下步骤 -提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14);-在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉沖而形成坑/突起 (24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡，所述激光脉冲的波长 在245到270誰之间，特别是在257到266nm之间;-通过蚀刻工艺去除该电介质层U4)的已经经历了相位过渡的区 域(22);或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的尚未经历过相位过渡的区 域(26);画在所述记录层叠(10)的基础上制作压模(40);以及 -使用该压模(40)来制作光盘。
37、 一种用于为微接触印刷制作印模(42)的方法，该方法包括 以下步骤-提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14);-在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉冲而形成坑/突起 (24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡，所述激光脉沖的波长 在245到270腿之间，特别是在257到266腿之间;-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14 )的已经经历了相位过渡的区 域(22);或者-通过独刻工艺去除该电介质层(14)的尚未经历过相位过渡的区 域(26) s以及-在所述记录层叠(10)的基础上制作所述压模(40)。
38、 一种用于制作缩微印刷品(52)的方法，该方法包括以下步骤-提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14); -在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉沖而形成坑/突起 (24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡，所述激光脉冲的波长 在245到270nm之间，特别是在257到266nm之间；-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14 )的已经经历了相位过渡的区 域(22);或者-通过蚀刻工艺去除该电介质层(14 )的尚未经历过相位过渡的区 域(26 );画在所述记录层叠(10)的基础上制作印模(42);以及 -使用该印模(42)来制作所述缩微印刷品(52)。
全文摘要
本发明涉及一种用于在母版基板(12)的记录层叠(10)中提供高密度浮雕结构的方法，特别是用于为批量制造光盘制作压模的母版基板(12)或者用于为微接触印刷产生印模的母版基板，该方法包括以下步骤提供记录层叠(10)，其包括电介质层(14)和用于在该电介质层(14)内支持热量引发的相位过渡的装置(16，18；20)；在该电介质层(14)的将要通过施加激光脉冲而形成坑(24)的区域(22)中导致热量引发的相位过渡；以及通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的已经经历了相位过渡的区域(22)；或者通过蚀刻工艺去除该电介质层(14)的尚未经历过相位过渡的区域(26)。
文档编号G11B7/26GK101160629SQ200680007253
公开日2008年4月9日 申请日期2006年1月2日 优先权日2005年1月6日
发明者E·R·梅因德斯, H·S·P·鲍曼斯, J·J·X·德洛伊纳斯德福米乔, P·G·J·M·皮特斯 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司