一种利用闪存引脚提升反应速率方法与流程

本发明涉及闪存操作技术领域，具体为一种利用闪存引脚提升反应速率方法。

背景技术：

闪存为非消失性的存储器装置，有存储三个比特的三级单元(tlc)，两个比特的多级单元（mlc）闪存以及一个单级单元（slc）闪存，不管何种闪存，都需要透过存储器控制芯片控置闪存芯片，存储器控制芯片发出闪存指令(例如读取指令、写入/编程指令和擦除指令)后，闪存芯片做出对应的行为读取或写入数据，闪存有多根引脚组成有地址锁存使能引脚ale、指令锁存使能引脚cle、数据传输引脚dqs、读取使能引脚re、写入使能引脚we、芯片使能引脚ce、就绪忙碌引脚rb。透过这些引脚控制闪存芯片，

由于存储器控制芯片无法得知闪存芯片的运行状况，当发下读取或写入指令后，存储芯片会引起忙碌做出对应的动作，需要对闪存芯片发出一个读取闪存状态指令，读取正确的闪存状态(成功或失败)，判断闪存动作成功与否。传统方式通常有两种方式可以确认，第一种是用闪存状态指令读取闪存，第二种是透过闪存芯片上的就绪忙碌引脚的状态。前者花费时间，后者会多出一个引脚。多出一根引脚会导致芯片的面积变大，生产成本提高。

传统方式当发出闪存读取状态指令后，如果闪存回复正在忙碌，继续发送读取状态指令，直到完成读取。由于每个通道会接多颗闪存，共享一个通道信息宽度，频繁的发送读取状态指令会占住信道信息宽度，导致效能变差，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种利用闪存引脚提升反应速率方法，利用一个多路选择开关省去一根就绪忙碌引脚并且达到高效率，较传统方式反应速率大大提升，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种利用闪存引脚提升反应速率方法，包括以下步骤：

步骤一：切换多路选择开关至芯片使能引脚；

步骤二：由存储器控制芯片内的闪存指令控制装置对闪存芯片发出读取、写入/编程或擦除指令；

步骤三：切换多路选择开关至就绪忙碌引脚；

步骤四：询问就绪忙碌引脚讯号是否为高电平，若是，回报完成，切换多路选择开关为芯片使能引脚，若否，继续询问就绪忙碌引脚讯号是否为高电平。

优选的，步骤一中存储器控制芯片通过地址锁存使能引脚ale、指令锁存使能引脚cle、数据传输引脚dqs、读取使能引脚re、写入使能引脚we、芯片使能引脚ce、就绪忙碌引脚rb控制闪存芯片。

优选的，步骤二中存储器控制芯片内设有一个闪存指令控制装置并通过闪存指令控制装置发出指令控制闪存芯片。

优选的，步骤二中存储器控制芯片内还设有一个多路选择开关，多路选择开关为多个输入一个输出的装置。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

利用一个多路选择开关省去一根就绪忙碌引脚并且达到高效率，较传统方式反应速率大大提升。

附图说明

图1为本发明方法的流程示意图。

图2为存储器控制芯片结构及与闪存连接结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种利用闪存引脚提升反应速率方法，包括以下步骤：

步骤一：切换多路选择开关至芯片使能引脚；

步骤二：由存储器控制芯片内的闪存指令控制装置对闪存芯片发出读取、写入/编程或擦除指令；

步骤三：切换多路选择开关至就绪忙碌引脚；

步骤四：询问就绪忙碌引脚讯号是否为高电平，若是，回报完成，切换多路选择开关为芯片使能引脚，若否，继续询问就绪忙碌引脚讯号是否为高电平。

如图2所示，存储器控制芯片通过地址锁存使能引脚ale、指令锁存使能引脚cle、数据传输引脚dqs、读取使能引脚re、写入使能引脚we、芯片使能引脚ce、就绪忙碌引脚rb控制闪存芯片，存储器控制芯片内有一个闪存指令控制装置，透过这个装置可以发出指令控制闪存芯片，例如读取、写入、抹除和读取状态指令，控制多根引脚，例如发出闪存读取命令时，会使指令锁存使能引脚维持在高电平，地址锁存使能引脚维持在低电平，写入使能引脚为上升沿，闪存能接收到闪存读取指令，存储器控制芯片内有一个多路选择开关，多路选择开关为多个输入，一个输出的装置，选择开关切到适当的信号，阻断未被选择的信号，例如一个四路选择开关，有四个输入信号，一个输出信号，假设要选择信号三的信号，将多路选择开关切换器切成信号三，只让信号三个信号传输到输出口，阻断信号一、信号二和信号四的信号，芯片使能引脚和就绪忙碌引脚同时接在这个多路选择开关上，透过这个多路选择开关切换器，切换要使用的是芯片使能引脚或是就绪忙碌引脚。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种利用闪存引脚提升反应速率方法，包括以下步骤：步骤一：切换多路选择开关至芯片使能引脚；步骤二：由存储器控制芯片内的闪存指令控制装置对闪存芯片发出读取、写入/编程或擦除指令；步骤三：切换多路选择开关至就绪忙碌引脚；步骤四：询问就绪忙碌引脚讯号是否为高电平，若是，回报完成，切换多路选择开关为芯片使能引脚，若否，继续询问就绪忙碌引脚讯号是否为高电平，该发明利用一个多路选择开关省去一根就绪忙碌引脚并且达到高效率，较传统方式反应速率大大提升。

技术研发人员：许豪江;李庭育;魏智汎;黄中柱
受保护的技术使用者：江苏华存电子科技有限公司
技术研发日：2018.07.20
技术公布日：2018.12.04