用于热辅助磁记录介质的铱下层的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于热辅助磁记录介质的铱下层。本申请提供了一种热辅助磁记录(HAMR)介质堆栈，其中基于铱(Ir)的材料可以被利用为次级的下层代替被利用在传统的介质堆栈中的氧化镁(MgO)下层。这样的基于铱的材料可以包括，例如，纯铱、基于铱的合金、基于铱的化合物、以及具有分离子的颗粒状的铱层。将铱或者基于铱的材料用作下层，提供了优于使用MgO作为下层的优势。例如，直流(DC)溅射能够被用于沉积介质堆栈层，其中Ir的沉积率明显高于MgO的沉积率，导致较高的制造产量。更进一步地，较小的粒子在基于铱层的沉积过程中被生成，并且基于铱的下层能够作为更好的散热器。更进一步地，沉积在基于铱层上的记录层的晶体形态和结构能够被更好地控制。
【专利说明】
用于热辅助磁记录介质的铱下层
【背景技术】
[0001]对于所有类型的衬底，磁记录介质已经开始结合垂直磁记录(PMR)技术，以努力增加面密度。一般地，PMR介质可以被分割成两个初级功能区域:软下层性下层(SUL)和(一个或更多个)磁记录层(RL)。图1说明了部分的传统的PMR盘驱动系统，其具有记录头101，记录磁头101包括拖尾写入极(trailing write pole) 102和主导的返回(相反的)极(leadingreturn(opposing)pole)103，返回极103磁性親合到写入极102。导电的磁化线圈104围绕写入极102的轭(yoke)。相反极103的底部的表面积极大地超过写入极102的尖端的表面积。当磁记录盘105旋转经过记录磁头101时，电流经过线圈104以在写入极102中创造磁通量。磁通量从写入极102经过磁记录盘105，并且越过相反极103记录在PMR层150中。SUL 110能够使磁通量从拖尾写入极102回到具有低阻抗的主导的相反极103。
[0002]随着热辅助磁记录(HAMR)介质的出现，硬磁盘驱动器上的面密度能够被延伸超过1.5Tb/in2。可是，超顺磁限制、热稳定性以及可写性问题能够限制使用传统的PMR介质在硬盘驱动器中增加面密度的能力。因此，并且为了支持较高的面密度同时也提供热稳定性，HAMR介质常常用磁性材料或化合物制成，其具有比非HAMR介质(例如，铬钴铂(CoCrPt)合金)的磁晶各向异性(由磁性各向异性常数Ku所表示)大体上更高的磁晶各向异性。具有大体上较高的磁晶各向异性的这样的合金的一个示例是铁-铂(FePt)合金的LI ο相。原则上，Ll0FePt的较高的Ku允许晶粒小到2-5nm，以保持热稳定。然而，不像CoCrPt合金，化学地排序的LloFePt的生长需要高于400°C的沉积温度。另外，因为在可用的写入区域的限制，写入辅助机制(例如，HAMR)被需要用于高Ku介质。除此之外，具有SUL的HAMR介质与没有SUL的介质相比典型地具有较宽的磁写入宽度(Mffff)，从而限制其面密度性能。
[0003]因为HAMR介质是由较高稳定性的磁性化合物制成，如上面所述，HAMR介质依赖于热的应用，以完成在磁取向上的改变。HAMR介质短暂地被加热以将其矫顽力减少到低于来自记录头的被应用的磁写入场的矫顽力，也就是，在HAMR介质上的记录位置的温度被升高，以便充分地降低此位置的Ku以允许其磁取向的改变(也就是，记录数据)。这允许较高的介质各向异性以及较小的热稳定晶粒。
【附图说明】
[0004]各种实施例以示例并且非限制的方式在附图中被说明，其中:
[0005]图1说明了示例的传统的PMR磁盘驱动器系统；
[0006]图2说明了一种示例介质结构的横截面视图，其中传统的MgO下层被使用；
[0007]图3说明了根据各种实施例的一种包括基于铱的下层的示例介质结构的横截面视图；
[0008]图4说明了图3的包括示例层材料的示例介质结构的横截面视图。
[0009]图5A是XRD显微图，描述在基于铱的下层上的FePt的面内(in-plane)XRD图谱；
[0010]图5B是XRD显微图，描述在基于铱的下层上的FePt的面外(out-of-plane)XRD图谱；
[0011]图6是说明X射线反射性测量的示例图，示出基于铱的下层的不混溶性；
[0012]图7是一个示例图表，根据各种实施例说明使用基于铱的下层的影响；
[0013]图8是根据各种实施例执行用于制造使用基于铱的下层的HAMR盘的示例过程的流程图；以及
[0014]图9说明了一种示例磁盘驱动器，其中根据各种实施例能够实施使用基于铱的下层的HAMR盘。
【具体实施方式】
[0015]在下面的说明中，阐述大量具体细节以提供对本公开的各种实施例的深入理解。然而，这些具体细节不需要被用于实践本公开的各种实施例，这将对本领域技术人员是显而易见的。在其他例子中，为人所熟知的部件或者方法没有被详细地描述，以避免本公开的各种实施例的不必要模糊。
[0016]正如先前所提及的，特征(例如，小晶粒尺寸和弱交换耦合)是在极端高密度磁记录介质(HAMR介质是其一个示例)中被期望的。当如磁记录按比例减少时，在提高的温度下降低的HAMR介质的矫顽力为“可写性对抗热稳定性”的基本约束提供了解决方案。一旦“可写性对抗热稳定性”的约束被打破，磁记录密度随着晶粒尺寸按比例减少而被预期增长。因此，HAMR介质(例如,LloFePt)为在室温下稳定的存储提供了足够强的各向异性。这使HAMR介质保持高的热稳定性并且克服超顺磁限制，甚至在晶粒尺寸低于3nm时。这与例如依赖于低温处理的PMR记录介质形成对照，并且因此通常不导致FePt(或铁钯(FePd)或钴铂(CoPt))薄膜具有高度有序的Llo结构。
[0017]为了在磁记录层中获得所期望的高度垂直的各向异性，磁性晶粒的结晶取向应该被适当的下层选择控制。下层也作为扩散屏障，为了阻挡外部的原子扩散到磁记录层中，夕卜部原子另外也破坏磁记录层的磁性。传统下层的示例是包括氧化镁(MgO)以提供取向控制层并且作为扩散屏障的下层。
[0018]图2说明了一种示例介质结构200的横截面视图，其包括传统的MgO下层。应该注意到术语介质结构能够指整个的记录介质堆栈，如根据本文的各个实施例所描述和说明的。
[0019]介质结构200可以包括以下构造:衬底202;粘附层204;散热层206;第一下层208;第二下层210;记录层212;覆盖层214;以及润滑层216。衬底202可以是，例如高温玻璃、金属、和/或金属合金材料。在一个实施例中，衬底202能够是圆盘形的或环形的。可以使用的玻璃衬底包括，例如，高温玻璃、含二氧化硅的玻璃(例如，硼硅酸盐玻璃和铝硅酸盐玻璃)。可以使用的金属和金属合金衬底包括，例如，铝(Al)、钽(Ta)、和铝镁(AlMg)衬底，例如镀镍磷(NiP)的AlMg。在可选择的实施例中，其他衬底材料例如聚合物和陶瓷，例如非晶玻璃，可以被使用，还有蓝宝石、石英、硅碱钙石、和碳化硅(SiC)。
[0020]粘附层204，其能够是合金材料，例如，如，铌钽合金(N1-Ta)，可以被沉积在衬底202上方。散热层206能够被配置以特别地为HAMR介质促进热传递。根据一个实施例，散热层206 可以是银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、铜(Cu)、Cr、钼(Mo)、钨(W)、钌钴(RuCo)、铜硅(CuSi)、CuAl、CuN1、铜锡(CuSn)、Ru、铜锆(CuZr)、钼铜(MoCu)、CuFeCo、CuNiFe、银钯(AgPd)、CrRu、CrV、CrW、CrMo、CrNd、Ru-Si02、钌-二氧化钛(Ru-Ti02)、Ru-Co0、W-Si02、W-Ti02 和 W-CoO 中的一个或更多个。另外，散热层206可以具有大于lOOW.m—1I1的热导率值。
[0021]如先前所提及的，下层208能够是合金，以用于提升磁记录层中适当的/所期望的织构。根据各种实施例，下层(无论是单层的下层，层压的下层，还是多个层压层的下层)可以是具有至少一个添加物的Co或CoFe材料中的一种，至少一个添加物包括N1、Zr、硼(B)、Ta、W、或Mo。这种Co或CoFe材料也可以具有不同的成分，由于每种(一种或更多种)材料的量被包括在其中，例如，20 %到90 %的(:0、O到60 %的Fe、O到20 %的附、O到20 %的21、O到15 %的B、O到20 %的Ta、O到1 %的W以及O到1 %的Mo。
[0022]因此，根据一个实施例，下层208能够是，例如，基于CoFe的合金(如，Co-Fe-Zr-B-W合金)。根据另一个实施例，下层208能够是，例如，Co-Fe-Ta-B合金。
[0023]更进一步地，额外的下层材料被选择以至于互扩散不会发生在这些高温时。如以前所讨论的，这个层210能够是，例如，氧化镁(MgO) ^gO由于它的高熔点适于在HAMR介质中使用JgO的熔点为2852°C，并且因此，能够在HAMR介质的情况下避免互扩散，特别地，抵抗对于HAMR介质的生长/加工和写入所需的温度。此外，MgO显示出极小的衍射衬度，表明甚至在高温(例如，550 °C)退火以后MgO仍具有非晶的微观结构。
[0024]配置在MgO下层210上方的是记录层212，其可以是，如以前所提到的，LloFePt、FePt、FePd、CoPt或MnAl磁记录层，或者钴铀(CoPt)或钴钯(CoPd)多层合金，其具有预定/优选厚度、粒状结构、小晶粒尺寸、所期望的均匀性、高矫顽力、高磁通量、以及良好的原子排序，将会适合于HAMR介质。其他添加元素可以被加入前面所提到的合金记录层318，包括，例如，Ag、Au、Cu、或 Ni。
[0025]更进一步地，覆盖层214可以被形成在记录层212的顶部上，例如，以满足摩擦学的要求，例如接触-起-停(CSS)性能和腐蚀防护。能够被用于覆盖层214的材料可以是，例如基于碳的材料，例如氢化的碳或者氮化的碳。
[0026]可是，MgO用作下层能够出现某些问题。例如，MgO是具有高电阻率的电绝缘体，因此，这就需要使用射频(RF)溅射，与直流(DC)溅射相比，其能够是非期望的溅射方法，其只可以被用于沉积导电物质。此外，MgO具有低沉积率，导致制造过程中较低的总产品收得率，并且在MgO的沉积过程中，常常能够生成粒子污染。这样的粒子能够破坏记录介质并且很难清理。更进一步地，通过改变沉积条件存在对MgO的晶体形态和结构的较小控制，因为晶体形态和结构是由MgO的固有性质决定的。
[0027]因此，各种实施例提供了介质结构，其中基于铱(Ir)的材料可以代替MgO被用作次级的下层。这类基于铱的材料可以包括，例如，纯铱、基于铱的合金、基于铱的化合物、还有具有分离子的颗粒状的铱层。根据各种实施例，能够被使用的基于铱的合金的例子可以包括，例如，IrT1、IrZr、和 IrC。
[0028]因此，基于铱的材料能够作为取向控制层和扩散屏障，并且避免前面所提到的与MgO的使用有关的问题。例如，Ir是导电金属，从而允许使用DC溅射以沉积Ir或(一种或更多种)基于Ir的材料。应该注意到DC溅射的使用优于RF溅射，因为沉积大多数或所有层材料已经使用DC溅射将它们沉积在介质堆栈上，导致，例如，更有效的和简单的制造工艺，更不用说避免RF溅射的使用通常需要的更精细的控制的能力。铱的沉积率也相当地高，S卩，不只是MgO的沉积率的8倍，导致制造期间更好的产品收得率。另外，在基于铱的层的沉积过程中生成更少的粒子，并且实际上，与MgO相比，铱/基于铱的下层能够作为更好的散热层。更进一步地，沉积在基于铱的层上的记录层的晶体形态和结构能够通过增加合金元素、增加分离子、形成基于铱的化合物、和改变沉积参数中的至少一种更好地控制。
[0029]图3根据各种实施例说明了一种示例介质结构300的横截面视图，其包括基于铱的材料下层。介质结构300可以包括以下构造:衬底302;粘附层304;散热层306;下层308;基于铱的下层310;记录层312;和覆盖层314。衬底302可以是，例如，能够承受例如在近似于400C-750°C范围内的这种温度的高温玻璃、金属、和/或金属合金材料。在一个实施例中，衬底302能够是圆盘形的或环形的。可以被使用的玻璃衬底包括，例如，高温玻璃、含二氧化硅的玻璃(例如，硼酸盐玻璃)。可以被使用的其他的高温金属和金属合金衬底包括，例如，铝镁(AlMg)衬底、镀镍磷(NiP)的AlMg，等等。在可选择的实施例中，其他衬底材料例如聚合物和陶瓷，例如非晶玻璃，可以被使用，还有蓝宝石、石英、硅碱钙石和碳化硅(SiC)。
[0030]粘附层304能够是合金材料，例如镍钽合金(N1-Ta)，可以被沉积在衬底302上方。
[0031]散热层306能够被配置以特别地为HAMR介质促进热传递。根据一个实施例，散热层206 可以是 Ag、Al、Au、Cu、Cr、Mo、W、RuCo、CuS1、CuAl、CuN1、CuSn、Ru、CuZr、MoCu、CuFeCo、01附卩6、厶8卩(1、01?11、0￥、0￥、0]\10、0制、1?11-5102、1?11-1^02、1?11-(:00、￥-5102、￥-1102和￥-CoO中的一种或更多种。此外，散热层306可以有大于100W.m—1.K—1的热导率值。应该注意到如以前所提到的，传统的PMR设计可依赖于主要为Llo的记录介质结构，其中，大约60%到80 %的排序是可接受的。换句话说，具有这种结构，必要的各向异性被充分地优化用于写入传统的PMR系统中。可是，在HAMR环境中，其中本文所公开的各种实施例被应用，具有显著更高的“质量”的记录介质(例如，其中出现大约98 %或更大的正确取向的晶粒的FePt Llo)是期望的。用这个较高的各向异性在记录介质上写入不能用传统的PMR记录介质执行。散热层306被沉积在下层308和纯铱/基于铱的下层310下面，以控制热流动并且保持记录层312中的高的热梯度。在层308至层312中的分离子能够根据它们吸收光和热的能力被选择，以获得高质量的写入和信噪比(SNR)。
[0032]下层308能够是单层的下层、层压的下层、或多个层压层的下层，并且可以是体心立方(BCC)下层，例如具有至少一个添加物的Co或CoFe材料中的一种，至少一个添加物包括N1、Zr、硼(B)、Ta、W或Mo。这样的Co或CoFe材料也可以有不同的成分，由于每个(一种或更多种)材料的量被包括在其中，例如，20 %到90 %的Co、O到60 %的Fe、O到20 %的N1、O到20 %的Zr、0到15%的B、0到20%的Ta、0到10%的W、以及O到10%的Mo。在一个实施例中，下层308能够包括Ag层和包括70%的Cr、10%的Zr、10%的W、和10%的Mo的另一个合金层。下层308能够被用于生长具有正确的晶体织构的基于铱的下层310并且在(位)写入过程中作为热敏电阻。
[0033]如上面所述，基于铱的下层310能够被沉积在下层308上以作为取向控制层和扩散屏障。应该注意到基于铱的材料被证明是不与例如FePt混溶并且控制FePt磁记录层的
(001)取向。
[0034]被配置在基于铱的下层310上方的记录层312，其可以是，如以前所提到的，LloFePt、FePt、FePd、CoPt或MnAl磁记录层，或者钴铂(CoPt)或钴钯(CoPd)多层合金，其具有预定/优选厚度、粒状结构、小晶粒尺寸、所期望的均匀性、高矫顽力、高磁通量、以及良好的原子排序，将会适合于HAMR介质。其他添加元素可以被加入前面所提到的合金记录层318，包括，例如48^11、(:11、或附。
[0035]更进一步地，覆盖层314可以被形成在记录层212的顶部上，例如，以满足摩擦学的要求，例如接触-起-停(CSS)性能和腐蚀防护。能够被用于覆盖层314的材料可以是，例如基于碳的材料，例如氢化的碳或者氮化的碳。
[0036]图4说明了图3的示例介质结构，其包括根据一个实施例使用的特别层的材料。特别地，衬底302可以是N105X玻璃衬底。粘附层304可以包括非晶的NiTa。散热层306可以包括多层，包括非晶的CrTa、(002)RuAl、和(002)W。应该注意到“(002)”的名称是材料各自的结晶取向的表示。
[0037]此外，(002)Ag层和(002)Cr70Mo30层能够是第一下层308，并且第二下层310可以是(002)Ir。磁记录层312，如以前所讨论的，可以是(002)FePt。
[0038]基于铱的下层控制磁记录层如FePt或CoPt的取向的能力能够通过图5A中所示的面内X射线衍射(XRD)测量被看到。特别地，图5A提供了(I 10)、(200)和(220)取向的FePt磁记录层的面内XRD的2Θ扫描的结果，其中一般地，峰值强度越高，结晶度越好，以及摇摆曲线半峰全宽(FWHM)值越窄，织构越好。在这种情况下，使用铱或基于铱的下层导致良好的FePt织构。还能观察到没有(OOl)FePt峰值，其暗示所期望的面外取向。作为对比，图5B说明了
(001)取向的FePt、(111)和(002)取向的Ir和FePt的示例面外XRD的2Θ扫描。如500处所示，在顺序度中没有可感知的改变，并且具有Ir下层的峰值远远高于没有Ir下层的，如(002)Ir和FePt求峰值所示。通过对比，当使用MgO作为下层时，例如，10 %的晶粒在面内生长，其不期望用于记录。因此，不存在/存在可忽略的不期望的FePt面内生长。
[0039]还应该注意到具有铱/基于铱的下层的FePt不扩散，因此甚至在退火之后保持晶格结构。如图6所说明的，其是Ir-FePt薄膜堆栈的示例X射线反射率的测量，与前退火(线601)相比，超晶格峰值变成更强的后退火(线600)，表明Ir和FePt是不混溶的。因此，并且还有，Ir或基于铱的材料将会是合适的扩散屏障。
[0040]图7比较了传统的FePt-MgO介质结构700的极向克尔测量中的示例滞回曲线和FePt-1r介质结构701的滞回曲线。如能够由示例测量理解到，FePt-MgO介质结构的矫顽力接近于75000e，并且这不随着使用铱/基于铱的材料代替MgO而改变/减小。即，当与FePt-MgO介质结构比较时,FePt-1r介质结构的磁特性没有可感知的退化，导致两个介质结构之间接近-同一的磁特性。进一步地，应该注意到使用基于铱的下层能够导致，例如，低于使用由于良好控制织构导致的近于10%的MgO下层时的磁阻率(MR)(表明了难磁化轴(hardaxi s)的数量，难磁化轴与FePt层中的面内方向在磁性上一致)。
[0041]图8是根据各种实施例说明用于制造HAMR盘的示例过程的流程图。在800，衬底被生成或以其他方式提供。如以前所讨论的，衬底可以是玻璃衬底。在802，粘附层被沉积在衬底上方。在804，散热层被沉积在粘附层上方。在806，第一下层被沉积在散热层上方。在808，第二下层被沉积在第一下层上方，第二下层包括铱或基于铱的下层中的一个。在810，记录层被沉积在下层上方。
[0042]应该注意到根据各种实施例使用铱或基于铱的下层能够在(例如，具有分离子)颗粒介质的环境中完成，不需要被畴壁运动限制在钉扎点。此外，各种实施例导致相对光滑的记录介质(不需要额外的化学蚀刻过程)，比传统的记录介质的颗粒机械上更稳定的空气隙较少的颗粒，并且不需要考虑磁记录层和驻留在铱/基于铱的下层下方的下层之间的接触。更进一步地，前面所提到的介质结构能够被用于基于BCC的下层材料上，(不仅是，例如，Cu下层上)以控制取向。
[0043]图9说明了具有一个或更多个盘902的磁盘驱动器900。盘902驻留在主轴组件904上，主轴组件904被安装到传动箱908。数据可以沿着轨道被存储在盘902的磁记录层中。用磁头910完成数据的读取和写入，其具有读取元件和写入元件二者。写入元件被用于改变盘902的垂直磁记录层的特性。在一个实施例中，磁头910可以具有MR或巨磁阻效应(GMR)元件。在一个替代实施例中，磁头910可以是其他类型的磁头，例如，感应的读取/写入磁头或霍尔效应磁头。在一些实施例中，盘902具有图3和4中所描述的介质结构，并且磁盘驱动器900是热辅助磁记录(HAMR)驱动器并且包含激光源、波导、和近场换能器(未显示)部件。生成和聚焦激光束的技术是本领域所知的，并且因此，不做特别地详细描述。主轴电机(未显示)旋转主轴组件904并且，因此，旋转盘902以将磁头910定位在沿着所期望的盘轨道的特定位置。磁头910相对于盘902的定位可以被位置控制电路906控制。
[0044]尽管以上依据各种可效仿的实施例和实施方式进行描述，应该理解到在一个或更多个单独的实施例中所描述的各种特征、方面和功能的适用性没有被限制到它们所被描述的特定实施例中，相反，它们能够被单独或以各种组合应用到本申请的一个或更多个其他实施例中，无论是这样的实施例是否被描述，以及无论这些特征是否作为描述的实施例的一部分被呈现。因此，本申请的宽度和范围不应该被上面所述的任何示例性实施例限制。
[0045]此中所使用的术语“在……上方”、“在……下面”、“在……之间”和“在……上”指示一个介质层关于其他层的相对位置。因此，例如，沉积在另一层上方或下面的一层可以与其它层直接地接触或可以具有一个或更多个中间层。另外，沉积在两层之间的一层可以直接地与两个层接触或可以具有一个或更多个中间层。作为对比，在第二层“上”的第一层与该第二层接触。此外，一个层关于其它层的相对位置被提供，假设相对于衬底执行操作，不考虑衬底的绝对取向。
[0046]本文件中所使用的术语和短语，以及由此的变化，除非另外明确说明，应该被解释为开放式的而不是限制性的。如前面的示例:术语“包括”应该被解读意思为“包括，但不限于”或类似的；术语“示例”被用于提供讨论中的条目的示例性实例，不是其穷尽性的或限制性的列表;术语“一个(a、an)”应该被解读意思为“至少一个”，“一个或更多个”或类似的;并且形容词例如“传统的”，“惯例的”，“正常的”，“标准的”，“已知的”以及相似意思的术语不应该被解释限制所描述的条目为给定的时间阶段或者给定的时间可用的条目，而相反应该被解读成包含传统的、惯例的、正常的或标准的技术，其现在或在未来的任何时间内可以是可用的或已知的。同样地，如果这个文件指示对本领域技术人员将会是显然的或已知的技术，这样的技术包含那些现在或在未来的任何时间对本领域技术人员是显然的或已知的技术。
[0047]扩展的单词和短语的出现例如“一个或更多个”，“至少”，“不限于”或在一些实例中的其他类似的短语不应该被解读意为在不存在这样的扩展短语的实例中意在或者要求比较狭窄的情况。术语“模块”的使用不暗指所描述或要求的组件或功能作为模块的一部分全部被配置在共同的封装中。事实上，模块的任何的或所有的各种组件，无论是控制逻辑还是其他组件，能够被结合在单一封装或分开维护，并且能够进一步被分布在多个组群或封装中或者跨越多个位置。
[0048]此外，本文所提出的各种实施例依据可效仿的方框图、流程图和其他说明被描述。正如读过这个文件之后对本领域的一般技术人员会变得明显，被说明的实施例和它们的各种替代方案能够被实施而不限制于所说明的示例。例如，方框图和它们所附的说明不应该被解读为要求特别的结构或配置。
【主权项】
1.一种热辅助磁记录介质，包括: 衬底； 沉积在所述衬底上方的粘附层； 沉积在所述粘附层上方的散热层； 沉积在所述散热层上方的第一下层； 沉积在所述第一下层上方的第二下层，所述第二下层包括基于铱的材料；以及 磁记录层，所述磁记录层用于通过沉积在所述第二下层上方的热辅助磁记录存储数据。2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，进一步包括沉积在所述磁记录层上方的覆盖层。3.根据权利要求2所述的热辅助磁记录介质，其中所述覆盖层包括氢化的碳或者氮化的碳中的一种。4.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其中所述第一下层是体心立方材料。5.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其中所述散热层包括002钨W、002钌铝RuAl、和非晶的铬钽Cr Ta。6.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其中所述粘附层包括非晶的镍-钽N1-Ta。7.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其中所述衬底包括能够承受至少接近于400 0C -750 0C的温度的玻璃材料、金属材料、聚合物材料或陶瓷材料中的一种。8.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其中所述磁记录层是包括001铁-铂FePt的合金。9.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其中所述基于铱的材料包括纯铱、基于铱的合金、基于铱的化合物、和具有分离子的颗粒状的铱层中的一种。10.根据权利要求9所述的热辅助磁记录介质，其中所述基于铱的合金包括铱钛IrTi合金、铱错IrZr合金、或铱碳IrC合金中的一种。11.根据权利要求9所述的热辅助磁记录介质，其中所述分离子包括光热吸收材料和热吸收材料中的至少一种。12.一种方法，包括: 生成或提供衬底； 在所述衬底上方沉积粘附层； 在所述粘附层上方沉积散热层； 在所述散热层上方沉积第一下层； 在所述第一下层上方沉积第二下层，所述第二下层包括铱Ir或基于铱的下层中的一种；以及 在所述第二下层上方沉积记录层。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述衬底包括能够承受至少接近于400°C-75(TC的温度的玻璃材料、金属材料、聚合物材料或陶瓷材料中的一种。14.根据权利要求12所述的方法，其中所述粘附层包括非晶的镍-钽N1-Ta，并且其中所述散热层包括002钨W、002钌铝RuAl、和非晶的铬钽Cr Ta。15.根据权利要求12所述的方法，其中所述磁记录层是热辅助磁记录的记录层，即HAMR的记录层。16.根据权利要求12所述的方法，其中所述HAMR记录层是包括OOl铁-铂FePt的合金。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述001铁-铂FePt合金包括具有至少98%的正确的晶粒取向结构的001铁-铂FePt薄膜。18.根据权利要求12所述的方法，其中所述基于铱的材料包括基于铱的合金、基于铱的化合物、和具有分离子的颗粒状的铱层中的一种。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述基于铱的合金包括铱钛IrTi合金、铱锆IrZr合金、或铱碳IrC合金中的一种。20.根据权利要求18所述的方法，其中所述分离子包括光吸收材料和热吸收材料中的至少一种。
【文档编号】G11B5/66GK106024028SQ201610206138
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月31日
【发明人】刘家兴, T·西科, A·阿詹, R·张
【申请人】西部数据传媒公司