专利名称：一种金属薄膜磁敏电阻的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种金属薄膜磁敏电阻。
金属薄膜磁敏电阻的作用原理是磁性材料的磁致伸缩效应，金属薄膜条在磁场作用下，当磁场方向与金属条平行时，金属薄膜条长度增大，宽度减少，此时金属薄膜条电阻值增大，当磁场方向与金属薄膜条垂直时，则金属薄膜条长度减少，宽度增大，此时金属薄膜条电阻值减少。现有的金属薄膜磁敏电阻，包括日本索尼公司DM106型强磁性磁气抵抗素子(磁敏电阻)，日本KASEI公司MR-400型薄膜合金磁敏电阻，营口市华光传感元件厂RCM01型强磁性金属薄膜磁敏电阻，其芯片衬底都是平面结构，附着在衬底上的金属薄膜条裸露在外面容易被氧化腐蚀，同时由于磁致伸缩效应，容易剥离脱落，影响磁敏电阻的使用性能和寿命。
本实用新型的目的在于提供一种使用稳定性高、寿命长的金属薄膜磁敏电阻。
为实现上述目的，本实用新型的金属薄膜磁敏电阻包含安装于壳体内部的芯片，该芯片有衬底、附着于衬底上的金属薄膜条和连接该金属薄膜条引出端的电极，该衬底有两个相互垂直配置的相同迂回状凹槽，所述金属薄膜条位于该凹槽中，金属薄膜条上面有二氧化硅密封层。
上述芯片衬底的凹槽底部还可以有二氧化硅垫底层。
上述芯片衬底采用磁敏电阻通常所用的玻璃片、硅片或陶瓷片材料制成，凹槽采用机械雕刻或光刻腐蚀的方法按设计的金属薄膜条图形在衬底上制作而成，二氧化硅密封层可由硅烷氧化形成二氧化硅沉积在已经镀上金属薄膜条的芯片上，也可用真空溅射法将二氧化硅溅射到已经镀上金属薄膜条的芯片上。二氧化硅垫底层是在制作凹槽后先用上述硅烷氧化法或真空溅射法在衬底上沉积二氧化硅，对于硅片材料制成的衬底还可以直接在硅片上氧化形成二氧化硅垫底层，然后再进行蒸镀金属薄膜，沉积二氧化硅密封层等工艺处理。
本实用新型金属薄膜磁敏电阻由于金属薄膜条被封闭在凹槽中，阻止金属扩散运动，不受磁致伸缩效应影响而剥离脱落，抗冲击，抗振动，不易被氧化腐蚀，因而该磁敏电阻使用稳定性好，可靠性高、寿命长，不因长期使用而影响灵敏度。
以下结合附图对本实用新型作进一步说明；
图1是本实用新型金属薄膜磁敏电阻芯片衬底凹槽形状示意图；图2是本实用新型金属薄膜磁敏电阻芯片结构示意图；图1、图2所示的芯片是本实用新型金属薄膜磁敏电阻的一种实施例，衬底5有一个二氧化硅垫底层1，该垫底层1上有两个相互垂直配置的相同迂回状凹槽3A、3B，金属薄膜条位于该凹槽3中，其引出端通过电极2、2A、2B和管脚引向壳体外，在芯片表面有一个二氧化硅密封层4。这种结构由于金属薄膜条被封闭在二氧化硅保护层内，与外界隔绝，金属薄膜不磨损、不脱落，不发生腐蚀，阻止金属扩散运动，因而本实用新型的磁敏电阻性能稳定、误差小、可靠性高、寿命长。
权利要求1.一种金属薄膜磁敏电阻，包含安装于壳体内部的芯片，该芯片有衬底、附着于衬底上的金属薄膜条和连接该金属薄膜条引出端的电极，其特征在于，所述衬底有两个相互垂直配置的相同迂回状凹槽，所述金属薄膜条位于该凹槽中，金属薄膜条上面有二氧化硅密封层。
2．根据权利要求1所述的金属薄膜磁敏电阻，其特征在于所述芯片衬底的凹槽底部有二氧化硅垫底层。
专利摘要本实用新型的金属薄膜磁敏电阻包含安装于壳体内部的芯片,该芯片有衬底,金属薄膜条和电极,衬底有两个相互垂直配置的相同迂回状凹槽,金属薄膜条位于该凹槽中,金属薄膜条上面有二氧化硅密封层。该磁敏电阻由于金属薄膜条被封闭在凹槽中,阻止金属扩散运动,不易剥离脱落,抗冲击,抗振动,不易被氧化腐蚀,因而该磁敏电阻使用稳定性高,可靠性好、寿命长,不因长期使用而影响灵敏度。
文档编号H01L43/08GK2446664SQ0023280
公开日2001年9月5日 申请日期2000年4月30日 优先权日2000年4月30日
发明者孟庆波 申请人:孟庆波