专利名称：检测新旧掩膜版差别的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体工艺中的检测方法，尤其涉及一种检测新旧掩膜版差别的方法。
背景技术：
在生产过程中使用新掩膜版时，为了保证新掩膜版没有错误，必须进行掩膜版检查。而已有技术对掩膜版的检查包括以下三方面首先，将新掩膜版与旧掩膜版的原始数据进行比较，确认是否有错误；其次，用掩膜版专用激光检测仪器来检测掩膜版，但这仅次于检查掩膜版的损伤和颗粒；最后，用掩膜版直接制造产品，最终以产品来确认掩膜版是否正确。但这种方法耗费的时间周期太长。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种检测新旧掩膜版差别的方法，它可以直观的比较新旧掩模，并且精确度高，时间周期短。
为解决上述技术问题，本发明所述的检测新旧掩膜版差别的方法，包括以下步骤第一步，在预备的光片上曝光要进行比较的两块不同掩膜版的图形；第二步，编检查缺陷机台检查文件；第三步，定义一个曝光单元内所检查的图形，并对硅片图形的明暗度进行测光，使检查缺陷机台得到最佳的光强；第四步，找到并定义硅片扫描对准所需的两个有特征的图形；第五步，定义该文件的模式及参数，并测试硅片，根据硅片的测试结果，即缺陷的多少来调整机台的感度值，使之找到我们所要求的缺陷；第六步，给文件取名并保存。
本发明的检测新旧掩膜版差别的方法，直接曝光图形，更真实的反映掩膜板的细微差别，可以直观的比较新旧掩模。本发明中所用的检查缺陷机台检测机台对图形的细微差别及颗粒都有相当高的感度，对掩膜板的微小图形也能够敏感的检测到，提高了检测精确度。本发明不必最终以产品来确认掩膜版是否正确，所需时间周期短。
图1为单个曝光单元为检测单元、划线槽为0的芯片布局图；图2为几个曝光单元为检测单元的芯片布局图；图3为单个曝光单元为检测单元、几个检测单元相互错开的芯片布局图；图4为本发明检测新旧掩膜版差别的方法步骤流程图。
具体实施例方式
首先，在预备的光片上曝光要进行比较的两块不同掩膜板的图形。由于检查缺陷机台检测机必须有3列以上的图形才能进行比较，所以在光片上掩膜板的图形需要新旧掩膜板共3列。具体的排列方式可以为“新旧新”或“旧新旧”，这个根据具体情况来定义。行数则根据掩膜板的要求自由定义，无具体要求。
其次，编检查缺陷机台检查文件。在编检查缺陷机台检查文件的过程中第一步是把硅片搬送到缺陷检测机台里，对硅片进行水平方向的对准，使硅片进行扫描对比时，能够始终保持水平，图形对比无误。第二步定义硅片上芯片的布局。定义硅片上芯片的布局可以根据不同的情况采用以下几种方法定义一，找到光刻曝光的特征图形，以此来定义一个曝光单元的大小；二，若要对曝光单元内图形进行比较，就直接以曝光单元为单位来定义。三，如果还要对划线槽内的图形进行比较的话，那有以下3种方法1，如图1所示，定义完曝光单元大小之后，把划线槽宽度的值定义为0。(划线槽的起始点放在划线槽宽度的中心，不移动位置，接着定义终点。)这种方法在定义曝光单元的检查范围时稍有不同，即在允许范围内，把划线槽里的内容尽量的定义为检查区域。当然，总会有一部分的划线槽图形不能被测到。方法2，如图2所示，把几个曝光单元定义为一个单元，这个单元内的划线槽自然就被检测到了。方法3，如图3所示，利用检查缺陷机台多次检测结果的叠加来得到划线漕内的图形。具体方法为，先以曝光单元为单位来定义硅片上芯片的布局，接着可以与原来的原点错开一定位置来定义芯片的布局。第一次和第二次的测试区域总和即为划线漕的内容。若还有两块极小的区域可能被遗漏，则再错开一点位置，再定义芯片布局，这样可以把所有的划线漕内的图形包括进去。
第三步，定义一个曝光单元内所检查的图形，并对硅片图形的明暗度进行测光，使检查缺陷机台得到最佳的光强.
第四步，找到并定义硅片扫描对准所需的两个有特征的图形。
第五步，定义该文件的模式及参数，并测试硅片。根据硅片的测试结果，即缺陷的多少来调整机台的感度值，使之找到我们所要求的缺陷。
最后，给文件命名并保存。
本发明一种检测新旧掩膜版差别的方法，利用检查缺陷机台检测机台来检查新旧掩膜板图形不同点，直接要比较的曝光图形，更真实直观地反映掩膜板的差别。并且本发明所用的检查缺陷机台检测机台对图形的细微差别及颗粒都有相当高的感度，检测精度更高。本发明无需用最终产品来检验掩膜版是否正确，所需检测时间短。
权利要求
1.一种检测新旧掩膜版差别的方法，其特征在于，包括以下步骤第一步，在预备的光片上曝光要进行比较的两块不同掩膜版的图形；第二步，编检查缺陷机台检查文件；第三步，定义一个曝光单元内所检查的图形，并对硅片图形的明暗度进行测光，使检查缺陷机台得到最佳的光强；第四步，找到并定义硅片扫描对准所需的两个有特征的图形；第五步，定义该文件的模式及参数，并测试硅片，根据硅片的测试结果，即缺陷的多少来调整机台的感度值，使之找到我们所要求的缺陷；第六步，给文件命名并保存。
2.如权利要求1所述的一种检测新旧掩膜版差别的方法，其特征在于，其所述的第二步包括以下步骤第一步，把硅片搬送到缺陷检测机台里，对硅片进行水平方向的对准，使硅片进行扫描对比时，能够始终保持水平，图形对比无误；第二步，定义硅片上芯片的布局。
3.如权利要求2所述的一种检测新旧掩膜版差别的方法，其特征在于，其所述的第二步为要找到光刻曝光的特征图形，以此来定义一个曝光单元的大小；
4.如权利要求2所述的一种检测新旧掩膜版差别的方法，要对曝光单元内图形的比较的话，其特征在于，其所述的第二步为直接以曝光单元为单位来定义。
5.如权利要求2所述的一种检测新旧掩膜版差别的方法，如果还要对划线槽内的图形进行比较的话，其特征在于，其所述的第二步为定义完曝光单元大小之后，把划线槽宽度的值定义为0。
6.如权利要求2所述的一种检测新旧掩膜版差别的方法，其特征在于，其所述的第二步为把几个曝光单元定义为一个单元。
7.如权利要求2所述的一种检测新旧掩膜版差别的方法，其特征在于，其所述的第二步包括以下步骤第一步，以曝光单元为单位来定义硅片上芯片的布局；第二步，与原来的原点错开一定位置来定义芯片的布局。
8.如权利要求7所述的一种检测新旧掩膜版差别的方法，其特征在于，当还有两块极小的区域被遗漏，再错开一点位置，再次定义芯片布局，把所有的划线漕内的图形包括进去。
全文摘要
本发明公开了一种检测新旧掩膜版差别的方法。利用缺陷检测设备来区别新旧两块掩膜板的不同图形，通过定义硅片上芯片的布局，在曝光后直接比较的两块不同掩膜板的图形。本发明的检测方法直观、精确度高，且所需的时间短，可用于检测新旧掩膜版的差别。
文档编号H01L21/02GK1790655SQ20041009301
公开日2006年6月21日 申请日期2004年12月15日 优先权日2004年12月15日
发明者陈杰 申请人:上海华虹Nec电子有限公司