专利名称：一种半导体泵浦的腔内倍频激光器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及激光领域，尤其涉及一种微片式半导体泵浦的腔内倍频激光器。
技术背景 微片式腔内倍频激光器已广泛应用于半导体泵浦腔内倍频绿光激光器中，常见 的结构如图l所示，微片激光器由激光增益介质llNd: YV04和倍频晶体12KTP光胶或胶 合或深化光胶为微片1，微片1的两端面镀上高反膜形成激光腔，这样结构是可通过大片制 成切成小片，其成本大幅降低，而且为平平腔结构，激光腔无需调整，易于大规模生产。但 这种结构有局限性，其激光腔是通过热透镜形成稳腔，所以泵浦光源在调制状态下，尤其在 低频调制时，激光输出上升沿时间较长，在横切面尺寸较小时，其长度有限，这样限制它在 较高功率激光腔上应用。
发明内容本实用新型目的是提供一种不需要靠热透镜形成稳腔的半导体泵浦的腔内倍频 激光器。
为了实现以上目的，本实用新型采用如下技术方案腔内倍频激光器包括激光增益介质 与倍频晶体胶合成微片或激光增益介质、倍频晶体与光学材料胶合成微片，其中微片的一端 面镀有激光腔膜层，另一端侧设有一片激光腔片或者微片的两端侧分别设有激光腔片。
所述的一片或两片激光腔片与微片分立。
当激光腔长不要很长且不需要调整时， 一片或两片激光腔片与微片胶合。
本实用新型采用以上结构，自己形成稳腔结构，不需要靠热透镜形成稳腔，因而调制上 升沿较快，同时采用腔片与微片分立，可以根据需要调整腔长，可以应用于较高功率激光腔 设计中，还保持了通常微片式激光器结构紧凑、体积小、成本低的特点，减少了调整环节。
现结合附图对本实用新型做进一步阐述.-
图1是现有微片式腔内倍频激光器的结构示意图2是本实用新型腔内倍频激光器之一的结构示意图3是本实用新型腔内倍频激光器之二的结构示意图4是本实用新型腔内倍频激光器之三的结构示意图；具体实施方式
如图2所示，本实用新型腔内倍频激光器包括激光增益介质11与倍频晶体 12通过光胶或深化光胶胶合成微片1或激光增益介质11、倍频晶体12与光学材料13通过光 胶或深化光胶胶合成微片1，其中微片l的一端面镀有激光腔膜层S1，另一端侧设有一片分 立的激光腔片2，激光腔片2上都有激光腔膜层S2。
如图3所示，本实用新型腔内倍频激光器的微片1的两端侧分别设有分立的激光腔片2、3，分立的激光腔片3、 2上分别镀有激光腔膜层S1、 S2。
如图4所示，本实用新型腔内倍频激光器，当激光腔长不需太长，并且不需要调整时， 腔片2与微片1通过光胶或深化光胶胶合为一体。
上述激光增益介质11、倍频晶体12与光学材料13的排列次序可按设计要求自由排列组 合。光学材料13是指波片、平行棱镜、晶体平片、平行平片以及楔角片组等之一或一个以上 的组合。
权利要求1、一种半导体泵浦的腔内倍频激光器，包括激光增益介质与倍频晶体胶合成微片或激光增益介质、倍频晶体与光学材料胶合成微片，其特征在于其微片的一端面镀有激光腔膜层，另一端侧设有一片激光腔片或者微片的两端侧分别设有激光腔片。
2、 根据权利要求1所述的一种半导体泵浦的腔内倍频激光器，其特征在于其激光腔片与微片分立。
3、 根据权利要求1所述的一种半导体泵浦的腔内倍频激光器，其特征在于其一片或两 片激光腔片与微片胶合。
4、 根据权利要求l、 2或3所述的一种半导体泵浦的腔内倍频激光器，其特征在于其 激光增益介质、倍频晶体与光学材料的排列次序为自由排列组合，它们由光胶或深化光胶胶合成微片。
5、 根据权利要求1所述的一种半导体泵浦的腔内倍频激光器，其特征在于其光学材料 是波片、平行棱镜、晶体平片、平行平片以及楔角片组之一或一个以上的组合。
专利摘要本实用新型涉及一种半导体泵浦的腔内倍频激光器，其包括激光增益介质与倍频晶体胶合成微片或激光增益介质、倍频晶体与光学材料胶合成微片，其中微片的一端面镀有激光腔膜层，另一端侧设有一片激光腔片或者微片的两端侧分别设有激光腔片，采用以上结构，自己形成稳腔结构，不需要靠热透镜形成稳腔，因而调制上升沿较快，同时采用腔片与微片分立，可以根据需要调整腔长，可以应用于较高功率激光腔设计中，还保持了通常微片式激光器结构紧凑、体积小、成本低的特点，减少了调整环节。
文档编号H01S3/08GK201134609SQ200720008219
公开日2008年10月15日 申请日期2007年9月14日 优先权日2007年9月14日
发明者砺 吴, 杨建阳, 胡企铨, 伟 郑, 陈卫民, 黄有义 申请人:福州高意通讯有限公司