半导体变流器保护用高能无感电阻器的制作方法

文档序号:6911041阅读:141来源:国知局
专利名称:半导体变流器保护用高能无感电阻器的制作方法
技术领域
本实用新型属于半导体变流技术领域,特别是涉及一种半导体变流器保 护用高能无感电阻器。
背景技术
半导体变流器中的缓冲回路、保护回路、限流回路、制动回路等往往需 要配置电阻器, 一般要求电阻器功率大、分布电感小等,这里暂称这类电阻 器为功率电阻器。其中保护回路用的功率电阻器一般要求该电阻器阻值低、 分布电感小、瞬时功率大、安装方便等。
目前,市场上常见的功率电阻器主要有管形陶瓷线绕电阻器、管形陶瓷 波纹线绕电阻器、康铜线绕板形电阻器、铸铁电阻器、水冷电阻器等等。现 有的各种功率电阻器与半导体功率器件的连接均需要用母线或电缆,这使其 回路结构松散、杂散电感大、在变流过程中附加感应电压高和附加损耗大。 特别是用于保护回路时,上述这些电阻器存在体积过大、安装不便、回路分 布电感大等技术缺陷。 发明内容
本实用新型为解决现有公知技术存在的某些技术缺陷,提供了一种半导 体变流器保护用高能无感电阻器。
本实用新型的目的是提供一种阻值低、瞬时功率大、结构紧凑、分布电 感小、可靠性高、安装方便,满足半导体变流器保护用高能无感电阻器。
本实用新型选用厚度均匀的非导磁不绣钢薄板制造毫欧级功率电阻器, 其电阻形状根据需要的电阻值大小和预计的瞬时通流容量来设计,灵活方便。
对于片状导体,单位长度的分布电感与其宽度成反比,即导体越宽,其 单位长度的分布电感越小。本实用新型将电阻做成薄而宽的形状,可与半导体功率器件(如二极管、晶闸管等)、或铜母线直接压接连接,这样取消了电 阻和半导体功率器件之间的电缆或母线,不仅使结构非常紧凑,且分布电感 极小,也有利于电阻散热,使电阻的瞬时功率能力很高。
在常温常压下非导磁不锈钢材料的磁导率与空气的磁导率接近,因此在 半导体变流器工作的强磁场下不磁化,不产生附加磁滞损耗。
不锈钢材料强度高,在半导体变流器冲击性电流下的抗电动力变形能力 强。此外,不锈钢材料耐腐蚀,寿命长。因此,采用不锈钢材料制造功率电 阻器,可靠性高。
本实用新型采用如下技术方案
半导体变流器保护用高能无感电阻器,其电阻器为厚度均匀的非导磁不 锈钢板材毫欧级电阻器。
本实用新型具有以下特征
所述的半导体变流器保护用高能无感电阻器,采用厚度均匀的非导磁不 锈钢薄板材,使板材宽度为厚度的30-150倍。
所述的半导体变流器保护用高能无感电阻器,其电阻器为I或L形状。
所述的半导体变流器保护用高能无感电阻器,为减小分布电感,用两段 I或L形状的厚度均匀的非导磁不锈钢板材组成合成高能无感电阻器。两段电 阻中流过的电流方向相反,使得合成电阻中的分布电感更小。
本实用新型具有的优点和积极效果
与现有技术相比,本实用新型采用不锈钢薄板材料制造高能无感电阻器, 阻值低、瞬时功率大、结构紧凑、分布电感小、可靠性高、设计灵活、安装 方便,满足半导体变流器保护用功率电阻器的特殊要求。

图1是I形高能无感电阻器结构示意图; 图2是L形高能无感电阻器结构示意图; 图3为合成高能无感电阻器结构示意图;图4为合成高能无感电阻器结构示意图。
图中,l-I形高能无感电阻器,2-孑L 3-L形高能无感电阻器,4-孑L, 5-半导体功率器件,6-压装组件,7-高能无感电阻器,8-半导体功率器件,9-压装组件,10-高能无感电阻器。
具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的发明内容、特点及功效,配合附图举例说
明如下 例l
参照附图l。半导体变流器保护用高能无感电阻器l,由厚度均匀的非导
磁不锈钢薄板材制造,形状为I形,下有4个孔2。 例2
参照附图2。半导体变流器保护用高能无感电阻器3,由厚度均匀的非导 磁不锈钢薄板材制造,宽度为76mm,厚度为1.5mm,形状为L形,下有4 个孔4。
例3
参照附图3。半导体变流器保护用高能无感电阻器,为合成高能无感电阻 器。由1个半导体功率器件5、 2段L形高能无感电阻器7及压紧组件6构成 的1个半导体功率器件与1个合成高能无感电阻器串联的结构。
例4
参照附图4。半导体变流器保护用高能无感电阻器,为合成高能无感电阻 器。由2个半导体功率器件8、 2段L形和1段I形高能无感电阻器10及压 紧组件9构成的2个半导体功率器件与2个合成高能无感电阻器分别串联的 结构,其中每个L形高能无感电阻器分别与I形高能无感电阻器构成2个合 成电阻(I形高能无感电阻器为2个合成电阻公用),分别与l个半导体功率 器件串联连接。
权利要求1.一种半导体变流器保护用高能无感电阻器,其特征是电阻器为厚度均匀的非导磁不锈钢板材毫欧级电阻器。
2. 根据权利要求l所述的半导体变流器保护用高能无感电阻器,其特征是 电阻器为I或L形状。
3. 根据权利要求l所述的半导体变流器保护用高能无感电阻器,其特征是 板材的宽度为厚度的30—150倍。
4. 根据权利要求1所述的半导体变流器保护用高能无感电阻器,其特征是 用两段I或L形状的厚度均匀的非导磁不锈钢板材组合成高能无感电阻 器。
专利摘要本实用新型涉及一种半导体变流器保护用高能无感电阻器。本实用新型属于半导体变流技术领域。本实用新型特点是电阻器为厚度均匀的非导磁不锈钢薄板材毫欧级电阻器。本实用新型具有阻值低、瞬时功率大、结构紧凑、分布电感小、可靠性高、设计灵活、安装方便、满足半导体变流器保护用功率电阻器的特殊要求等优点。
文档编号H01C3/00GK201167006SQ20082007384
公开日2008年12月17日 申请日期2008年2月3日 优先权日2008年2月3日
发明者伍丰林, 刘国林, 徐道恒, 楚子林, 维 蔡, 希 许, 赵相宾, 高树瑞 申请人:天津电气传动设计研究所
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