一种晶圆针测方法及装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种晶圆针测方法及装置，涉及半导体芯片制造工艺【技术领域】，用以在晶圆针测过程中，即使发生参数规范改变的情况，也不需要对已经测试过的晶粒进行重新测试。该方法包括：根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息；在所述第一参数规范改变为第二参数规范时，根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息；利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息，形成第二测试结果。
【专利说明】—种晶圆针测方法及装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及半导体芯片制造工艺【技术领域】，具体涉及一种晶圆针测方法及装置。【背景技术】
[0002]芯片在进行组装之前，需进行晶圆针测(Chip Probing, CP)，晶圆针测是利用测试机台(Tester),针测机(Prober)与探针卡(Probe Card)之间的搭配组合来测试芯片(Wafer)上每一个晶粒(Die)，旨在通过电性测试判别晶粒的产品功能是否达到要求，相关电性参数是否在规范之内，将不符合规范的晶粒尽早筛选出来，通过打点工艺打点打掉，从而避免芯片在封装时对失效的晶粒也进行了封装，避免了由于不良率的偏高因而增加后续制程所带来的制造成本。
[0003]在进行CP测试时，经常会遇到需要临时对参数规范进行更改情况，而在某项参数的规范发生更改时，需要对晶粒的功能是否失效重新进行判断，通常的作业手法是在测试机台中更改此项参数的产品规格后重新测试，重测之后生成新的测试数据以及测试文件，后续的在打点工艺中根据新生成的测试文件的指示进行打点动作。但是重新测试不仅会使晶粒表面因为重复扎针可能会造成损伤，还会增加由于测试时人员的操作不当、外在环境的变化、探针卡的状态不佳或者是针测机台间硬件及操作参数设置的不当，进而造成晶圆针测的过程中有针痕偏移或者是铜裸露等不正常情况发生，造成测试时的误宰的几率，也因此会造成良品率的下降、产品的流通速度降低以及高昂的测试成本。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供了一种晶圆针测方法及装置，用以在晶圆针测过程中，即使发生参数规范改变的情况，也不需要对已经测试过的晶粒进行重新测试。
[0005]本发明实施例提供的一种晶圆针测方法，该方法包括:
[0006]根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息；
[0007]在所述第一参数规范改变为第二参数规范时，根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息；
[0008]利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息，形成第二测试结果。
[0009]本发明实施例提供的一种晶圆针测装置，该装置包括:
[0010]测试模块，用于根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息；
[0011]比对模块，用于在所述第一参数规范改变为第二参数规范时，根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息；
[0012]修改模块，用于利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息，形成第二测试结果O
[0013]本发明实施例，在具有第一次测试结果的情况下，通过设置的比对模块可以在参数规范修改情况下，使用第一测试结果与修改后的参数规范进行自动比对，修改模块根据比对结果直接形成第二测试结果，不需要重复进行实际测试，从而避免了二次测试，芯片的良品率得到了提升、产品的流通速度加快以及降低了芯片的测试成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为本发明实施例提供的一种晶圆针测方法的方法流程示意图；
[0015]图2为本发明实施例提供的一种晶圆针测装置的装置结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]本发明实施例提供了一种晶圆针测方法及装置，用以在晶圆针测过程中，即使发生参数规范改变的情况，也不需要对已经测试过的晶粒进行重新测试。
[0017]首先，本发明实施例提供了一种晶圆针测方法，如图1所示，该方法包括:
[0018]S101，根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息；
[0019]S102，在所述第一参数规范改变为第二参数规范时，根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息；
[0020]S103，利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息，形成第二测试结果。
[0021]在本发明实施例中，在对晶粒进行完一次测试后，如果发生需要更改参数规范的情况，不需要重新对晶粒进行二次测试，只需要利用更改后的参数规范与第一次测试结果进行比对，重新生成一个最新的打点信息，替代原来的第一测试结果中的原打点信息，形成第二测试结果，避免了二次测试，芯片的良品率得到了提升、产品的流通速度加快以及降低了芯片的测试成本。
[0022]进一步地，根据所述第二测试结果，进行后续的打点工艺步骤。
[0023]在本实施例中，准确的说，打点工艺如何进行打点，对哪些晶粒打点完全是由打点信息决定的，所以在打点信息及时更新的情况下，完全可以根据由第一测试结果在打点信息更新后形成的最新的第二测试结果直接进行打点工艺。
[0024]更进一步的展开本发明中的技术方案，可以理解的是，上述进行自动的比对的步骤S102，可以基于上述原理采取多种【具体实施方式】，例如:
[0025]实施例一
[0026]根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动形成第二打点信息，具体包括:
[0027]利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对；
[0028]对不符合任意一项参数要求的晶粒的位置信息进行标记；
[0029]统计所有带有标记的位置信息,形成所述第二打点信息。
[0030]在本实施例中，采取的是替换的方式，第二参数规范与第一测试结果中的每对应项逐一进行参数比对，在某个晶粒的某一项或几项的参数测试结果不符合参数规范所规定的话，则对该晶粒的位置信息进行标记，在比对完毕后，统计所有的带有标记的位置信息，形成第二打点信息，采用该第二打点信息将第一打点信息完全替换根据该信息进行打点就可以准确的根据新的参数规范进行后续晶粒的筛选工作，而不需要进行二次重测。
[0031]值得注意的是，参数规范中的参数要求的项数更改前后应保持一致，与测试结果中的项数也应保持统一。
[0032]实施例二
[0033]所述根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动形成第二打点信息，具体包括:
[0034]将所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的所述第一参数规范中的每一项对应原参数要求一一进行替换；
[0035]利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对；
[0036]根据比对结果，对所述第一打点信息自动进行修改，形成第二打点信息。
[0037]在本发明实施例二中，采用的是修改的方式，基于第一测试结果进行修改，将其中的第一参数规范修改为第二参数规范，再根据该规范进行自动比对，然后直接自动对第一打点信息进行修改，形成第二打点信息，米用该基于第一打点信息修改而来的第二打点信息进行打点就可以准确的根据新的参数规范进行后续晶粒的筛选工作，而不需要进行二次重测。
[0038]需要说明的是，所述打点信息可以包括用于表示晶粒位置的位置信息和用于表示不符合参数规范原因的失效信息。
[0039]所述位置信息用于指示后续的打点工艺中的打点位置，所述失效信息可以用于辅助操作人员得知晶粒不符合规范的原因，例如可以指出不符合当前参数规范哪项参数要求。
[0040]与上述方法配合，本发明实施例还提供了一种晶圆针测装置，如图2所示，该装置包括:
[0041]测试模块1，用于根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息；
[0042]比对模块2，用于在所述第一参数规范改变为第二参数规范时，根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息；
[0043]修改模块3，用于利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息，形成第二测试结
果O
[0044]在本发明实施例中，在测试模块对晶粒进行完一次测试后，如果发生需要更改参数规范的情况，不需要重新对晶粒进行二次测试，只需要利用比对模块将更改后的参数规范与第一次测试结果进行比对，重新生成一个最新的打点信息，修改模块将该最新的打点信息替代原来的第一测试结果中的原打点信息，形成第二测试结果，这样使用本装置可以在不进行重复测试的情况下就可以直接得到测试结果，可以避免二次测试，芯片的良品率得到了提升、产品的流通速度加快以及降低了芯片的测试成本。[0045]优选地，该装置还可以包括打点模块，用于根据所述第二测试结果，进行后续的打点工艺步骤。
[0046]可以理解的是，比对模块进行自动比对的具体过程在基于上述原理的情况下，可以分为多种实施方式，例如:
[0047]实施例一
[0048]所述比对模块，可以具体用于:
[0049]利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对；
[0050]对不符合任意一项参数要求的晶粒的位置信息进行标记；
[0051]统计所有带有标记的位置信息，形成所述第二打点信息。
[0052]在本实施例中，采取的是替换的方式，第二参数规范与第一测试结果中的每对应项逐一进行参数比对，在某个晶粒的某一项或几项的参数测试结果不符合参数规范所规定的话，则对该晶粒的位置信息进行标记，在比对完毕后，统计所有的带有标记的位置信息，形成第二打点信息，采用该第二打点信息将第一打点信息完全替换根据该信息进行打点就可以准确的根据新的参数规范进行后续晶粒的筛选工作，而不需要进行二次重测。
[0053]值得注意的是，参数规范中的参数要求的项数更改前后应保持一致，与测试结果中的项数也应保持统一。
[0054]实施例二
[0055]所述比对模块，可以具体用于:
[0056]将所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的所述第一参数规范中的每一项对应原参数要求一一进行替换；
[0057]利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对；
[0058]根据自动比对结果，对所述第一打点信息进行修改，自动形成第二打点信息。
[0059]在本发明实施例二中，采用的是修改的方式，基于第一测试结果进行修改，将其中的第一参数规范修改为第二参数规范，再根据该规范进行自动比对，然后直接自动对第一打点信息进行修改，形成第二打点信息，米用该基于第一打点信息修改而来的第二打点信息进行打点就可以准确的根据新的参数规范进行后续晶粒的筛选工作，而不需要进行二次重测。
[0060]需要说明的是，所述打点信息可以包括用于表示晶粒位置的位置信息和用于表示不符合参数规范原因的失效信息。
[0061]所述位置信息用于指示后续的打点工艺中的打点位置，所述失效信息可以用于辅助操作人员得知晶粒不符合规范的原因，例如可以指出不符合当前参数规范哪项参数要求。
[0062]为了更好的理解本发明方案，下面详细介绍一个具体的参数比对过程:
[0063]首先介绍一下，本发明实施例中的第一测试结果，该测试结果如表I所示:
【权利要求】
1.一种晶圆针测方法，其特征在于，该方法包括: 根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息； 在所述第一参数规范改变为第二参数规范时，根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息； 利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息，形成第二测试结果。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第二测试结果，进行后续的打点工艺步骤。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动形成第二打点信息，具体包括: 利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对； 对不符合任意一项参数要求的晶粒的位置信息进行标记； 统计所有带有标记的位置信息，形成所述第二打点信息。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动形成第二打点信息，具体包括: 将所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的所述第一参数规范中的每一项对应原参数要求一一进行替换； 利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对； 根据比对结果，对所述第一打点信息自动进行修改，形成第二打点信息。
5.如权利要求1、2、3或4任一权项所述的方法,其特征在于,所述打点信息包括用于表示晶粒位置的位置信息和用于表示不符合参数规范原因的失效信息。
6.一种晶圆针测装置，其特征在于，该装置包括: 测试模块，用于根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息； 比对模块，用于在所述第一参数规范改变为第二参数规范时，根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息； 修改模块，用于利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息，形成第二测试结果。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，该装置还包括打点模块，用于根据所述第二测试结果，进行后续的打点工艺步骤。
8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述比对模块，具体用于: 利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对； 对不符合任意一项参数要求的晶粒的位置信息进行标记； 统计所有带有标记的位置信息，形成所述第二打点信息。
9.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述比对模块，具体用于:将所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的所述第一参数规范中的每一项对应原参数要求一一进行替换； 利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对； 根据比对结果，对所述第一打点信息自动进行修改，形成第二打点信息。
10.如权利要求6、7、8或9任一权项所述的装置，其特征在于，所述打点信息包括用于表示晶粒位 置的位置信息和用于表示不符合参数规范原因的失效信息。
【文档编号】H01L21/66GK103972122SQ201310045925
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年2月5日 优先权日:2013年2月5日
【发明者】邱海亮, 蔡新春 申请人:北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司