一种可控硅边缘结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种可控硅边缘结构，包括阴极区，该阴极区的三个拐角边缘为内弯大圆弧，该内弯大圆弧的弧度为90°~140°。本实用新型的优点是：内弯的大圆弧拐角边缘削弱了电荷的聚集，同时一部分短路作用也较大地辅助了电流和电压的泄放，有效地避免了可控硅经常被大电流和高电压烧毁的现象，提高了可控硅的可靠性和寿命。
【专利说明】一种可控硅边缘结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种可控硅的边缘结构。
【背景技术】
[0002]可控硅在实际应用中，由于受到大电流和高电压的冲击，经常会出现烧毁的现象，而烧毁的区域绝大多数在可控硅的阴极区拐角处，该拐角边缘通常呈圆角形状，如图1所示。如果此种现象得以避免，则对可控硅的可靠性和寿命都有大幅度提高。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的是提供一种可有效避免可控硅被烧毁的边缘结构。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是:
[0005]一种可控硅边缘结构，包括阴极区，该阴极区的三个拐角边缘为内弯大圆弧，该内弯大圆弧的弧度为90°?140°。
[0006]本实用新型的优点是:内弯的大圆弧拐角边缘削弱了电荷的聚集，同时一部分短路作用也较大地辅助了电流和电压的泄放，有效地避免了可控硅经常被大电流和高电压烧毁的现象，提高了可控硅的可靠性和寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述。
[0008]图1是现有技术的可控硅边缘结构示意图；
[0009]图2是本实用新型的可控硅边缘结构示意图。
[0010]其中，1、阴极区，2、拐角边缘。
[0011]【具体实施方式】:
[0012]如图2所示，一种可控硅边缘结构，包括阴极区1，该阴极区I的三个拐角边缘2为内弯大圆弧，该内弯大圆弧的弧度为90°?140°。内弯的大圆弧拐角边缘削弱了电荷的聚集，同时一部分短路作用也较大地辅助了电流和电压的泄放，有效地避免了可控硅经常被大电流和高电压烧毁的现象，提高了可控硅的可靠性和寿命。
【权利要求】
1.一种可控硅边缘结构，包括阴极区，其特征在于:所述阴极区的三个拐角边缘为内弯大圆弧。
2.根据权利要求1所述的一种可控硅边缘结构，其特征在于:所述内弯大圆弧的弧度为 90。?140。。
【文档编号】H01L29/06GK203659872SQ201320822981
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2013年12月16日 优先权日:2013年12月16日
【发明者】邹有彪, 张鹏 申请人:启东吉莱电子有限公司