一种具有双环3dB电桥的同频合路器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了具有双环3dB电桥的同频合路器,通过设置的圆环形的第一耦合部和第二耦合部及第三耦合部和第四耦合部，可使得环形耦合效果大大增强，其通过仿真软件测算出的耦合系数高，耦合频率可以达2950KHZ，大大的满足了目前主流LTE技术标准的要求，其实用性大大的增加，另外其结构简单，不易损坏，使用寿命长。
【专利说明】 —种具有双环3dB电桥的同频合路器
【技术领域】
[0001]本发明涉及同频合路器【技术领域】，具体涉及一种具有双环3dB电桥的同频合路器。
【背景技术】
[0002]在同频合路器中，主要的元部件就是3dB电桥，3dB电桥是一种将两种频率相同的信号进行耦合成一路信号输出的电器件；其要求耦合度高，精确，频段宽；在通信行业中被广泛使用，其中，通信行业的新增标准LTE中，LTE标准要求的频段为2570MHz-2750MHz，目前市场上的同频合路器中，所采用的3dB电桥普遍耦合频率宽度为600MHz-2400MHz，不能满足新增LTE标准要求的频段。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服以上所述的缺点，提供一种耦合频率宽能达到2950MHZ、且两个耦合线形状相同，节省成本、隔离度大的一种具有双环3dB电桥的同频合路器。
[0004]为实现上述目的，本发明的具体方案如下:具有双环3dB电桥的同频合路器，包括有壳体及设于壳体内的3dB电桥；所述3dB电桥包括有第一稱合线和第二稱合线,所述第一率禹合线包括圆环形的第一I禹合部及从第一I禹合部底端向下延伸出的第三I禹合部；所述第一耦合线还包括有从第一耦合部一侧斜向上延伸出的第一输出脚、从第三耦合部相对于第一输出脚的一侧斜向下延伸出的第一输入脚；所述第一输出脚的自由端设第一输出端，第一输入脚的自由端设第一输入端；
所述第二耦合线包括圆环形的第二耦合部及从第二耦合部底端向下延伸出的第四耦合部；所述第二I禹合线还包括从第二I禹合部一侧斜向上延伸出的第二输出脚、从第四I禹合部相对于第二输出脚的一侧斜向下延伸出的第二输入脚；所述第二输出脚的自由端设第二输出端，第一输入脚的自由端设第二输入端；
所述第一耦合线和第二耦合线平行且重叠设置，第一耦合部与第二耦合部重之间距离为 4mm-8mm ；
所述第一耦合部与第二耦合部的两侧分别设有安装孔，所述第一耦合部的安装孔与第二耦合部的对应的安装孔之间设有绝缘支柱，所述第一耦合部与第二耦合部之间通过绝缘支柱固定。
[0005]其中，所述第一耦合部和第二耦合部的内环直径均为25mm。
[0006]其中，每个绝缘支柱上均设有两道卡槽，并且每个绝缘柱体的两道卡槽距离相等。
[0007]其中，第一耦合部与第二耦合部重之间距离为5_。
[0008]其中，第一耦合部的一侧斜向下延伸出有第五分离杆；所述第三耦合部相对于第五分离杆的一侧斜向上延伸出有第六分离杆。
[0009]其中，第二耦合部的一侧斜向下延伸出有第七分离杆；所述第四耦合部相对于第七分离杆的一侧斜向上延伸出有第八分离杆。[0010]本发明的有益效果为:通过设置的圆环形的第一耦合部和第二耦合部及第三耦合部和第四耦合部，可使得环形耦合效果大大增强，其通过仿真软件测算出的耦合系数高，耦合频率可以达2950KHZ，大大的满足了目前主流LTE技术标准的要求，其实用性大大的增力口，另外其结构简单，不易损坏，使用寿命长。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是本发明的3dB电桥正视图；
图2是第一耦合线的正视图；
图3是第二耦合线的正视图；
图4是本发明的正视图；
图5是第一耦合线、第二耦合线及绝缘支柱配合时的剖面图；
图6是本发明在仿真软件中达到最高耦合频率的曲线示意图；
图1至图6中的附图标记说明:
1-第一稱合线；lla-第一稱合部；llb-第三稱合部；12_第一输出脚；13_第一输入脚；14-第一输出端；15a-第一互扰部；15b-第三互扰部；15c_第一分离块；16a_第五分离杆；16b-第六分离杆；
2-第二耦合线；21a-第二耦合部；21b-第四耦合部；22_第二输出脚；23_第二输入脚；24-第二输出端；25a-第二互扰部；25b-第四互扰部；25c_第二分离块；26a_第七分离杆；26b-第八分离杆；
3-安装孔；3a-绝缘支柱；
4-壳体。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的说明，并不是把本发明的实施范围局限于此。
[0013]如图1至图6所示,本实施例所述的具有双环3dB电桥的同频合路器,包括有壳体及设于壳体4内的3dB电桥；所述3dB电桥包括有第一稱合线I和第二稱合线2,所述第一耦合线I包括圆环形的第一耦合部Ila及从第一耦合部Ila底端向下延伸出的第三耦合部Ilb ;所述第一耦合线I还包括有从第一耦合部Ila—侧斜向上延伸出的第一输出脚12、从第三耦合部Ilb相对于第一输出脚12的一侧斜向下延伸出的第一输入脚13 ;所述第一输出脚12的自由端设第一输出端14,第一输入脚13的自由端设第一输入端；所述第二I禹合线2包括圆环形的第二耦合部21a及从第二耦合部21a底端向下延伸出的第四耦合部21b ；所述第二耦合线2还包括从第二耦合部21a —侧斜向上延伸出的第二输出脚22、从第四耦合部21b相对于第二输出脚22的一侧斜向下延伸出的第二输入脚23 ;所述第二输出脚22的自由端设第二输出端24,第一输入脚13的自由端设第二输入端；所述第一I禹合线I和第二率禹合线2平行且重叠设置,第一稱合部Ila与第二稱合部21a重之间距离为4mm-8mm。所述第一耦合部I Ia与第二耦合部21a的两侧分别设有安装孔3，所述第一耦合部I Ia的安装孔3与第二耦合部21a的对应的安装孔3之间设有绝缘支柱3a，所述第一耦合部Ila与第二耦合部21a之间通过绝缘支柱3a固定；通过设置的圆环形的第一耦合部Ila和第二耦合部21a，可使得环形耦合效果大大增强，其通过仿真软件测算出的耦合系数高，耦合频率可以达2950KHZ，大大的满足了目前主流LTE技术标准的要求，其实用性大大的增加，另外其结构简单，不易损坏，使用寿命长。
[0014]进一步的，利用本实施例所述的3dB电桥制作的与之对应的同频合路器，包括有壳体4及上述所述3dB电桥；上述的3dB电桥固定于壳体4内形成同频合路器。
[0015]进一步的，本实施例所述的一种具有双环3dB电桥的同频合路器，所述第一耦合部Ila和第二稱合部21a的内环直径均为25_ ;通过计算机软件仿真测算，当第一稱合部Ila和第二稱合部21a的内环直径均为25mm时,其频率宽带最优,效果最好。
[0016]进一步的，本实施例所述的一种具有双环3dB电桥的同频合路器，每个绝缘支柱3a上均设有两道卡槽，并且每个绝缘柱体的两道卡槽距离相等；如此设置，可精准的控制第一耦合部Ila和第二耦合部21a之间的距离，防止距离的变化产生效果的失真。
[0017]进一步的，本实施例所述的一种具有双环3dB电桥的同频合路器,第一稱合部Ila与第二耦合部21a重之间距离为5_。通过计算机软件仿真测算，当一耦合部与第二耦合部21a重之间距离为5_时，其频率宽带最优，效果最好。
[0018]进一步的，本实施例所述的一种具有双环3dB电桥的同频合路器，所述第一耦合部Ila的内环顶端向下延伸出有一长方形的第一分离杆，所述第三耦合部Ilb的内环底端向上延伸出有一长方形的第三分离杆，所述第一分离杆及第三分离杆的横向宽度为2mm,竖直高度为3mm ;所述第一分离杆向第一输出脚12的一侧斜向下延伸有一第一互扰部15a，所述第一互扰部15a的自由端向下延伸有一正方形的第一分离块15c ;所述第三分离杆向相对于第一输出脚12的一侧斜向上延伸有一第三互扰部15b，所述第三互扰部15b的自由端向上延伸有一正方形的第是三分离块；通过设置的第一分离杆、第三分离杆可使得电桥的隔离度大大增加，通过计算机软件仿真，可知，如此设置可达到25db的隔离度，而梯形的第三互扰部15b、圆形的第三分离块、梯形的第一互扰部15a及圆形的第一分离块15c起到了更大的隔离度，通过计算机软件仿真，其达到了 30db的隔离度。
[0019]进一步的，本实施例所述的一种具有双环3dB电桥的同频合路器，所述第四耦合部21b的内环顶端向下延伸出有一长方形的第四分离杆，所述第二耦合部21a的内环底端向上延伸出有一长方形的第二分离杆，所述第四分离杆及第二分离杆的横向宽度为2mm，竖直高度为3mm ;所述第二分离杆向相对于第一输出脚12的一侧斜向上延伸有一第二互扰部25，所述第二互扰部25的自由端向上延伸有一正方形的第二分离块25c ;所述第四分离杆向第一输出脚12的一侧斜向上延伸有一第四互扰部25b，所述第四互扰部25b的自由端向下延伸有一正方形的第是四分离块；同上通过设置的第二分离杆、第四分离杆可使得电桥的隔离度大大增加，通过计算机软件仿真，可知，如此设置可达到25db的隔离度，而梯形的第二互扰部25、圆形的第二分离块25c、梯形的第四互扰部25b及圆形的第四分离块起到了更大的隔离度，通过计算机软件仿真，其达到了 30db的隔离度。
[0020]进一步的，第一耦合部Ila的一侧斜向下延伸出有第五分离杆16a ;所述第三耦合部Ilb相对于第五分离杆16a的一侧斜向上延伸出有第六分离杆16b。进一步的,第二率禹合部21a的一侧斜向下延伸出有第七分离杆26a ;所述第四耦合部21b相对于第七分离杆26a的一侧斜向上延伸出有第八分离杆26b ;通过设置的第二分离杆及第四分离杆，可使得电桥的隔离度大大增加，通过计算机软件仿真，可知，如此设置可增加1.2%的隔离度。[0021]以上所述仅是本发明的一个较佳实施例，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，包含在本发明专利申请的保护范围内。
【权利要求】
1.一种具有双环3dB电桥的同频合路器,包括有壳体及设于壳体(4)内的3dB电桥；所述3dB电桥包括有第一耦合线(I)和第二耦合线(2)，其特征在于:所述第一耦合线(I)包括圆环形的第一耦合部(Ila)及从第一耦合部(Ila)底端向下延伸出的第三耦合部(lib);所述第一耦合线(I)还包括有从第一耦合部(Ila)—侧斜向上延伸出的第一输出脚(12)、从第三耦合部(Ilb)相对于第一输出脚(12)的一侧斜向下延伸出的第一输入脚(13);所述第一输出脚(12)的自由端设第一输出端(14),第一输入脚(13)的自由端设第一输入端； 所述第二耦合线(2)包括圆环形的第二耦合部(21a)及从第二耦合部(21a)底端向下延伸出的第四耦合部(21b);所述第二耦合线(2)还包括从第二耦合部(21a)—侧斜向上延伸出的第二输出脚(22)、从第四耦合部(21b)相对于第二输出脚(22)的一侧斜向下延伸出的第二输入脚(23);所述第二输出脚(22)的自由端设第二输出端(24)，第一输入脚(13)的自由端设第二输入端； 所述第一耦合线(I)和第二耦合线(2 )平行且重叠设置，第一耦合部(Ila)与第二耦合部(21a)重之间距离为4mm-8_ ； 所述第一耦合部(Ila)与第二耦合部(21a)的两侧分别设有安装孔(3)，所述第一耦合部(I Ia)的安装孔(3)与第二耦合部(21a)的对应的安装孔(3)之间设有绝缘支柱(3a)，所述第一耦合部(Ila)与第二耦合部(21a)之间通过绝缘支柱(3a)固定。
2.根据权利要求1所述的一种具有双环3dB电桥的同频合路器，其特征在于:所述第一率禹合部(Ila)和第二稱合部(21a)的内环直径均为25_。
3.根据权利要求1所述的一种具有双环3dB电桥的同频合路器，其特征在于:每个绝缘支柱(3a)上均设有两道卡槽，并且每个绝缘柱体的两道卡槽距离相等。
4.根据权利要求1所述的一种具有双环3dB电桥的同频合路器，其特征在于:第一耦合部(I Ia)与第二耦合部(21a)重之间距离为5mm。
5.根据权利要求1所述的一种具有双环3dB电桥的同频合路器，其特征在于:第一耦合部(Ila)的一侧斜向下延伸出有第五分离杆(16a);所述第三耦合部(Ilb)相对于第五分离杆(16a)的一侧斜向上延伸出有第六分离杆(16b)。
6.根据权利要求1所述的一种具有双环3dB电桥的同频合路器，其特征在于:第二耦合部(21a)的一侧斜向下延伸出有第七分离杆(26a);所述第四耦合部(21b)相对于第七分离杆(26a)的一侧斜向上延伸出有第八分离杆(26b)。
【文档编号】H01P5/16GK103915670SQ201410137589
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2014年4月8日 优先权日:2014年4月8日
【发明者】吴俊伟 申请人:吴俊伟