微间距图案的布线结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型是有关于一种微间距图案的布线结构，包含连接部、第一导线部及第二导线部，该第一导线部具有第一线段及第二线段，该第一线段连接该连接部，该第二线段连接该第一线段，该第二导线部具有第三线段及第四线段，该第三线段连接该连接部，该第四线段连接该第三线段，且该连接部、该第三线段及该第一线段形成一三面封闭的蚀刻空间，其中该第三线段至该第一线段之间具有第一间距，该第四线段至该第二线段之间具有第二间距，该一间距大于该第二间距，以使该蚀刻空间中的金属层可完全移除而避免金属层残留。
【专利说明】微间距图案的布线结构
【技术领域】
[0001]本实用新型是关于一种布线结构，特别是关于一种微间距图案的布线结构。
【背景技术】
[0002]由于半导体工艺的演进，在半导体基板上的装置(device)及线路(trace)分布越趋紧密，特别是在微间距(fine-pitch)图案化工艺中，半导体基板上的线路宽度仅有ΙΟμπι左右，而线路与线路之间的空间也仅约10 μ m，因此，一般微间距(fine-pitch)图案化工艺选自于湿式蚀刻或干式蚀刻进行线路层的蚀刻及图案化，其中干式蚀刻是利用气体离子(电浆)将不需要的金属层移除，但由于干式蚀刻的制作成本过高，一般工业上仍以湿式蚀刻进行线路层的图案化较为常见。
[0003]湿式蚀刻乃利用蚀刻液与金属层进行置换反应，进而移除不需要的金属层，湿式蚀刻的工艺可简述如下，首先将半导体基板上镀上金属层，接着在该金属层上覆盖光阻层，接着借由光罩将该光阻层曝光及显影，以图案化该光阻层，接着在显露的该金属层上镀上线路层，再以蚀刻工艺将光阻层及线路间的金属层移除，而形成该半导体基板的线路。但由于在微间距图案化的工艺中，线路的宽度较小外，线路及线路之间的空间亦相当狭小，因此常造成蚀刻液在线路及线路间的三面封闭的空间中置换性较差，导致该空间中会残留有金属层而无法将其彻底移除。
[0004]有鉴于上述现有的微间距图案化工艺存在的问题，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的微间距图案的布线结构，能够解决现有的微间距图案化工艺存在的问题，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本实用新型。
【发明内容】
[0005]本实用新型的主要目的在于借由第一导线部的第一线段至第二导线部的第三线段之间的第一间距大于第一导线部的第二线段至第二导线部的第四线段之间的第二间距，使得连接部、第三线段及第一线段之间形成的三面封闭的蚀刻空间可进行彻底的蚀刻，而避免金属层的残留。
[0006]本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本实用新型的一种微间距图案的布线结构包含连接部、第一导线部及第二导线部，该第二导线部经由该连接部电性连接该第一导线部，且该连接部、该第一导线部及该第二导线部为同一层的金属层，该第一导线部具有第一线段及第二线段，该第一线段连接该连接部，该第二线段连接该第一线段，且该第二线段经由该第一线段电性连接该连接部，该第二导线部具有第三线段及第四线段，该第三线段连接该连接部，且该连接部、该第三线段及该第一线段形成一三面封闭的蚀刻空间，该第四线段连接该第三线段，该第四线段经由该第三线段电性连接该连接部，该第三线段至该第一线段之间具有第一间距，该第四线段至该第二线段之间具有第二间距，该一间距大于该第二间距。
[0007]本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
[0008]前述的微间距图案的布线结构，其中该第二导线部的该第三线段具有直线部及弯折部，该直线部连接该连接部，该弯折部连接该直线部及该第四线段，该直线部具有第一侧面，该弯折部具有第二侧面，该第一侧面及该第二侧面朝向该蚀刻空间，该第一侧面至该第二侧面之间具有第一夹角，该第一夹角小于180度。
[0009]前述的微间距图案的布线结构，其中该第一夹角介于90至180度之间。
[0010]前述的微间距图案的布线结构，其中该弯折部具有第一端及第二端，该第一端连接该直线部，该第二端连接第四线段，且该弯折部的该第二侧面及该第一线段之间具有第三间距，该第三间距由该第一端朝向该第二端渐缩。
[0011]前述的微间距图案的布线结构，其中该第二导线部具有宽度，该宽度与该第一间距的比例介于1:2至1:3之间。
[0012]前述的微间距图案的布线结构，其中该第二导线部具有高度，该宽度与该高度的比例介于1:0.8至1: 1.2之间。
[0013]前述的微间距图案的布线结构，其另包含有第三导线部，该第二导线部位于该第一导线部及该第三导线部之间，该第三导线部至该第二导线部之间具有第四间距，该第四间距不小于该第二间距。
[0014]前述的微间距图案的布线结构，其另包含有第三导线部，该第二导线部位于该第一导线部及该第三导线部之间，该第三导线部具有让位线段，其中该弯折部具有第三侧面，该第三侧面朝向该第三导线部，该让位线段具有第四侧面，该第四侧面至该第三侧面之间具有第二夹角，该第二夹角小于I度。
[0015]本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本实用新型微间距图案的布线结构至少具有下列优点及有益效果:本实用新型借由该第三线段至该第一线段之间的该第一间距大于该第四线段至该第二线段之间的该第二间距，使得该连接部、该第三线段及该第一线段形成的该三面封闭的蚀刻空间可保持良好的蚀刻液置换性，而可在蚀刻工艺中将该蚀刻空间内的金属层完全移除，以避免金属层的残留。
[0016]上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1:依据本实用新型的第一实施例，一种微间距图案的布线结构的局部俯视图。
[0018]图2:依据本实用新型的第一实施例，该微间距图案的布线结构的局部立体图。
[0019]图3:依据本实用新型的第二实施例，一种微间距图案的布线结构的局部俯视图。
[0020]图4:依据本实用新型的第二实施例，该微间距图案的布线结构的局部立体图。
[0021]图5:依据本实用新型的第三实施例，一种微间距图案的布线结构的局部俯视图。
[0022]图6:依据本实用新型的第三实施例，该微间距图案的布线结构的局部立体图。
[0023]图7:依据本实用新型的第四实施例，一种微间距图案的布线结构的局部俯视图。
[0024]图8:依据本实用新型的第四实施例，该微间距图案的布线结构的局部立体图。
[0025]【主要元件符号说明】
[0026]100:微间距图案的布线结构110:连接部
[0027]120:第一导线部121:第一线段
[0028]122:第二线段130:第二导线部
[0029]131:第三线段131a:直线部
[0030]131b:弯折部131c:第一侧面
[0031]131d:第二侧面131e:第三侧面
[0032]132:第四线段140:第三导线部
[0033]141:让位线段141a:第四侧面
[0034]200:基板IS:蚀刻空间
[0035]ID:第一间距2D:第二间距
[0036]3D:第三间距4D:第四间距
[0037]IE:第一端2E:第二端
[0038]IA:第一夹角2A:第二夹角
[0039]Iff:宽度1H:高度
【具体实施方式】
[0040]为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的微间距图案的布线结构其【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。
[0041]请参阅图1及图2，为本实用新型的一较佳实施例，一种微间距图案的布线结构100，其以蚀刻工艺形成于基板200上，该微间距图案的布线结构100包含连接部110、第一导线部120及第二导线部130，该连接部110、该第一导线部120及该第二导线部130为同一层的金属层，是以同一个工艺形成于该基板200，因此，该第二导线部130经由该连接部110电性连接该第一导线部120。
[0042]请参阅图1及图2，该第一导线部120具有第一线段121及第二线段122，该第一线段121连接该连接部110，该第二线段122连接该第一线段121，且该第二线段122经由该第一线段121电性连接该连接部110，以进行电性信号的传输。
[0043]请参阅图1及图2，该第二导线部130具有第三线段131及第四线段132，该第三线段131连接该连接部110，且该连接部110、该第三线段131及该第一线段121形成一三面封闭的蚀刻空间1S，该第四线段132连接该第三线段131，该第四线段132经由该第三线段131电性连接该连接部110，以进行电性信号的传输，在本实施例中，该第二导线部130的宽度IW为10 μ m，该第二导线部130的高度IH为10 μ m，且该连接部110及该第一导线部120的宽度及高度与该第二导线部130相同，但本实用新型并不在此限。
[0044]请参阅图1，该第三线段131至该第一线段121之间具有第一间距1D，该第四线段132至该第二线段122之间具有第二间距2D，该第一间距ID大于该第二间距2D，借由该第一间距ID大于该第二间距2D可使该蚀刻空间IS中保持着较佳的蚀刻液置换性，以避免蚀刻后金属层的残留。
[0045]请参阅图1及图2，在微间距图案中，该些导线部的宽度、高度及该蚀刻空间IS的大小皆会影响蚀刻液的置换性，因此，在本实施例中，该第二导线部130的该宽度IW与该第一间距ID之间及该第二导线部130的该宽度IW与该高度IH之间皆具有较佳的比例，以避免该蚀刻空间IS蚀刻后产生金属层的残留，较佳的，该第二导线部130的该宽度IW与该第一间距ID的比例介于1:2至1:3之间，该第二导线部130的该宽度IW与该高度IH的比例介于1:0.8至1: 1.2之间可使该蚀刻空间IS的金属层在蚀刻工艺中完整移除。
[0046]请参阅图1及图2，该第二导线部130的该第三线段131具有直线部131a及弯折部131b，该直线部131a连接该连接部110，该弯折部131b连接该直线部131a及该第四线段132，该直线部131a具有第一侧面131c，该弯折部131b具有第二侧面131d，该第一侧面131c及该第二侧面131d朝向该蚀刻空间1S，该第一侧面131c至该第二侧面131d之间具有第一夹角1A，该第一夹角IA小于180度，在本实施例中，由于该第一夹角IA若小于90度时亦会导致该直线部131a及该弯折部131b之间夹角处有蚀刻后的金属残留，因此，较佳的，该第一夹角IA介于90至180度之间，可使该直线部131a及该弯折部131b之间夹角处的金属层完整移除。
[0047]请参阅图1及图2，该弯折部131b具有第一端IE及第二端2E，该第一端IE连接该直线部131a，该第二端2E连接第四线段132，且该弯折部131b的该第二侧面131d至该第一线段121之间具有第三间距3D，在本实施例中，为争取较大的布线面积或装置的设置面积，较佳的，该第三间距3D由该第一端IE朝向该第二端2E渐缩。
[0048]请参阅图3及图4，其为本实用新型的第二实施例，其与第一实施例的差异在于该微间距图案的布线结构100另包含有第三导线部140，该第二导线部130位于该第一导线部120及该第三导线部140之间，该第三导线部140至该第二导线部130之间具有第四间距4D，该第四间距4D不小于该第二间距2D，以避免该第二导线部130及该第三导线部140之间的间距小于该第二间距2D而导致金属层的蚀刻不完全。
[0049]请参阅图3及图4，该第三导线部140具有让位线段141，其中该弯折部131b具有第三侧面131e，该第三侧面131e朝向该第三导线部140，该让位线段141具有第四侧面141a，该第四侧面141a至该第三侧面131e之间具有第二夹角2A，该第二夹角2A小于I度，该第二导线部130的该弯折部131b与该第三导线部140的该让位线段141以平行的方式排列可避免该弯折部131b及该让位线段141之间的间距过小。
[0050]请参阅图5及图6、图7及图8，其分别为本实用新型的第三实施例及第四实施例，相同地，第三实施例及第四实施例借由该第三线段131至该第一线段121之间的该第一间距ID大于该第四线段132至该第二线段122之间的该第二间距2D，避免该蚀刻空间IS的金属层蚀刻不完全的情况发生。
[0051]本实用新型借由该第三线段131至该第一线段121之间的该第一间距ID大于该第四线段132至该第二线段122之间的该第二间距2D，使得该连接部110、该第三线段131及该第一线段121形成之该三面封闭的蚀刻空间IS可保持良好的蚀刻液置换性，而可在蚀刻工艺中将该蚀刻空间IS内的金属层完全移除，以避免金属层的残留。
[0052]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种微间距图案的布线结构，其特征在于其包含: 连接部； 第一导线部，具有第一线段及第二线段，该第一线段连接该连接部，该第二线段连接该第一线段，且该第二线段经由该第一线段电性连接该连接部；以及 第二导线部，经由该连接部电性连接该第一导线部，且该连接部、该第一导线部及该第二导线部为同一层的金属层，该第二导线部具有第三线段及第四线段，该第三线段连接该连接部，且该连接部、该第三线段及该第一线段形成一三面封闭的蚀刻空间，该第四线段连接该第三线段，该第四线段经由该第三线段电性连接该连接部，该第三线段至该第一线段之间具有第一间距，该第四线段至该第二线段之间具有第二间距，该一间距大于该第二间距。
2.如权利要求1所述的微间距图案的布线结构，其特征在于其中该第二导线部的该第三线段具有直线部及弯折部，该直线部连接该连接部，该弯折部连接该直线部及该第四线段，该直线部具有第一侧面，该弯折部具有第二侧面，该第一侧面及该第二侧面朝向该蚀刻空间，该第一侧面至该第二侧面之间具有第一夹角，该第一夹角小于180度。
3.如权利要求2所述的微间距图案的布线结构，其特征在于其中该第一夹角介于90至180度之间。
4.如权利要求2所述的微间距图案的布线结构，其特征在于其中该弯折部具有第一端及第二端，该第一端连接该直线部，该第二端连接第四线段，且该弯折部的该第二侧面及该第一线段之间具有第三间距，该第三间距由该第一端朝向该第二端渐缩。
5.如权利要求1所述的微间距图案的布线结构，其特征在于其中该第二导线部具有宽度，该宽度与该第一间距的比例介于1:2至1:3之间。
6.如权利要求5所述的微间距图案的布线结构，其特征在于其中该第二导线部具有高度，该宽度与该高度的比例介于1:0.8至1: 1.2之间。
7.如权利要求1所述的微间距图案的布线结构，其特征在于其另包含有第三导线部，该第二导线部位于该第一导线部及该第三导线部之间，该第三导线部至该第二导线部之间具有第四间距，该第四间距不小于该第二间距。
8.如权利要求2所述的微间距图案的布线结构，其特征在于其另包含有第三导线部，该第二导线部位于该第一导线部及该第三导线部之间，该第三导线部具有让位线段，其中该弯折部具有第三侧面，该第三侧面朝向该第三导线部，该让位线段具有第四侧面，该第四侧面至该第三侧面之间具有第二夹角，该第二夹角小于I度。
【文档编号】H01L27/02GK204067357SQ201420487274
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年8月27日 优先权日:2014年7月15日
【发明者】谢永伟, 施政宏, 王凯亿, 黄贺昌, 陈柏豪 申请人:颀邦科技股份有限公司