一种半导体激光泵浦的量子光源装置的制作方法

本发明涉及激光泵浦技术领域，尤其涉及一种半导体激光泵浦的量子光源装置。

背景技术：

半导体激光器自1962年问世以来，发展极为迅速。特别是进入20世纪80年代，借用微电子学制作技术(称为外延技术)，现已大量生产半导体激光器。

高品质量子光源已成为量子通信与精密測量中必不可少的组成部分。例如，利用低频压缩态进行引力波探測可以极大程度地提高测量的灵敏度。随着量子光学实验与技术的不断发展，便携式量子光源装置未来将具有极广泛的应用前景。近年来，利用光腔中的光学參量振荡和光学參量放大过程已成为制备量子压缩态最常用的方法。利用光学參量振荡过程人们已经制备了_11.5db的压缩态。

现有技术中光腔易受外界环境干，且光效不好，测量精确度不高。

技术实现要素：

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种半导体激光泵浦的量子光源装置。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种半导体激光泵浦的量子光源装置，包括有壳体，所述壳体的底部固定连接有支撑板，所述支撑板远离壳体的一端固定连接有后壳，所述壳体的内部设有聚光罩，所述聚光罩的内壁依次固定连接有透镜a、透镜b、透镜c和透镜d，所述后壳的内部固定连接有储蓄电池，所述储蓄电池远离后壳的一端固定连接有激光器，所述激光器的基面上固定连接有激光灯，所述后壳的侧壁固定连接有底座，所述后壳的底部固定设置有接线柱，所述接线柱远离后壳的一端线性连接有控制导线，所述控制导线远离接线柱的一端线性连接有控制器。

优选的，所述聚光罩的底部端口固定连接于支撑板。

优选的，所述透镜a位于聚光罩的上部端口。

优选的，所述透镜d位于聚光罩的底部端口。

优选的，所述激光灯位于支撑板的内部。

优选的，所述后壳的底部线性连接有导线，所述导线远离后壳的一端线性连接有插头。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、通过聚光罩的内壁依次固定连接有透镜a、透镜b、透镜c和透镜d，该光学系统可以实现大于0.76的均匀度和89％的出射光效，光效好，便于半导体激光泵浦的量子光学研究，极大程度地提高测量的精确度。

2、通过后壳的底部固定设置有接线柱，接线柱远离后壳的一端线性连接有控制导线，控制导线远离接线柱的一端线性连接有控制器，便于调节激光强度，操作简单，使用方便。

3、通过后壳的底部线性连接有导线，所述导线远离后壳的一端线性连接有插头，也可接入交流电以方便使用。

本发明中，该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本发明便于半导体激光泵浦的量子光学研究，极大程度地提高测量的精确度。

附图说明

图1为本发明提出的一种半导体激光泵浦的量子光源装置的整体的结构示意图；

图2为本发明提出的一种半导体激光泵浦的量子光源装置的部分的结构示意图。

图中：1壳体、2支撑板、3后壳、4聚光罩、5透镜a、6透镜b、7透镜c、8透镜d、9储蓄电池、10激光器、11激光灯、12导线、13插头、14底座、15接线柱、16控制导线、17控制器。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

请参照图1-2，一种半导体激光泵浦的量子光源装置，包括有壳体1，所述壳体1的底部固定连接有支撑板2，所述支撑板2远离壳体1的一端固定连接有后壳3，所述壳体1的内部设有聚光罩4，所述聚光罩4的内壁依次固定连接有透镜a5、透镜b6、透镜c7和透镜d8，所述后壳3的内部固定连接有储蓄电池9，所述储蓄电池9远离后壳3的一端固定连接有激光器10，所述激光器10的基面上固定连接有激光灯11，所述后壳3的侧壁固定连接有底座14，所述后壳3的底部固定设置有接线柱15，所述接线柱15远离后壳3的一端线性连接有控制导线16，所述控制导线16远离接线柱15的一端线性连接有控制器17。

所述聚光罩4的底部端口固定连接于支撑板2。

所述透镜a5位于聚光罩4的上部端口。

所述透镜d8位于聚光罩4的底部端口。

所述激光灯11位于支撑板2的内部。

所述后壳3的底部线性连接有导线12，所述导线12远离后壳3的一端线性连接有插头13，也可接入交流电以方便使用。

本发明的工作过程为：在实际工作过程中通过聚光罩4的内壁依次固定连接有透镜a5、透镜b6、透镜c7和透镜d8，该光学系统可以实现大于0.76的均匀度和89％的出射光效，光效好，便于半导体激光泵浦的量子光学研究，极大程度地提高测量的精确度；通过后壳3的底部线性连接有导线12，所述导线12远离后壳3的一端线性连接有插头13，也可接入交流电以方便使用；通过后壳3的底部固定设置有接线柱15，接线柱15远离后壳3的一端线性连接有控制导线16，控制导线16远离接线柱15的一端线性连接有控制器17，便于调节激光强度，操作简单，使用方便。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

1.一种半导体激光泵浦的量子光源装置，包括有壳体(1)，其特征在于，所述壳体(1)的底部固定连接有支撑板(2)，所述支撑板(2)远离壳体(1)的一端固定连接有后壳(3)，所述壳体(1)的内部设有聚光罩(4)，所述聚光罩(4)的内壁依次固定连接有透镜a(5)、透镜b(6)、透镜c(7)和透镜d(8)，所述后壳(3)的内部固定连接有储蓄电池(9)，所述储蓄电池(9)远离后壳(3)的一端固定连接有激光器(10)，所述激光器(10)的基面上固定连接有激光灯(11)，所述后壳(3)的侧壁固定连接有底座(14)，所述后壳(3)的底部固定设置有接线柱(15)，所述接线柱(15)远离后壳(3)的一端线性连接有控制导线(16)，所述控制导线(16)远离接线柱(15)的一端线性连接有控制器(17)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光泵浦的量子光源装置，其特征在于，所述聚光罩(4)的底部端口固定连接于支撑板(2)。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光泵浦的量子光源装置，其特征在于，所述透镜a(5)位于聚光罩(4)的上部端口。

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光泵浦的量子光源装置，其特征在于，所述透镜d(8)位于聚光罩(4)的底部端口。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光泵浦的量子光源装置，其特征在于，所述激光灯(11)位于支撑板(2)的内部。

6.根据权利要求1所述的一种半导体激光泵浦的量子光源装置，其特征在于，所述后壳(3)的底部线性连接有导线(12)，所述导线(12)远离后壳(3)的一端线性连接有插头(13)。

技术总结
本发明涉及激光泵浦技术领域，尤其为一种半导体激光泵浦的量子光源装置，包括有壳体，壳体的内部设有聚光罩，聚光罩的内壁依次固定连接有透镜A、透镜B、透镜C和透镜D，后壳的内部固定连接有储蓄电池，储蓄电池远离后壳的一端固定连接有激光器，激光器的基面上固定连接有激光灯，后壳的侧壁固定连接有底座，后壳的底部固定设置有接线柱，接线柱远离后壳的一端线性连接有控制导线，控制导线远离接线柱的一端线性连接有控制器。本发明通过聚光罩的内壁依次固定连接有透镜A、透镜B、透镜C和透镜D，该光学系统光效好，便于半导体激光泵浦的量子光学研究，极大程度地提高测量的精确度。

技术研发人员：陈立峰
受保护的技术使用者：嘉兴君宏光学股份有限公司
技术研发日：2019.11.20
技术公布日：2020.05.08