本实用新型涉及键合丝技术领域,具体涉及一种镀钯合金键合丝。
背景技术:
键合丝(bondingwire)是连接芯片与外部封装基板(substrate)和/或多层线路板(pcb)的主要连接方式。键合丝发展趋势从应用方向上主要是线径细微化,高车间寿命(floorlife)以及高线轴长度的产品。
目前用于集成电路、半导体分立器件等领域的引线封装键合丝最为广泛采用的是黄金类键合丝。由于黄金属贵重金属,价格昂贵且日益上涨,给用量最大的中低端led、ic封装用户带来沉重的成本压力,并且,传统的键合丝在绕线的过程中键合丝与键合丝之间会产生的较大的摩擦力,使得键合丝表层遭到破坏,影响键合丝的性能。
技术实现要素:
本实用新型所要解决的问题是:提供一种镀钯合金键合丝,成本较底,在绕线时表面不易损伤。
本实用新型为解决上述问题所提供的技术方案为:一种镀钯合金键合丝,包括圆柱形结构的银线基材,所述银线基材的外表面包覆有镀钯层,所述镀钯层的外表面包覆有镀金层,所述镀金层的外表面包覆有硅涂覆层,所述硅涂覆层的外表面设置有润滑层;所述润滑层包括由内至外依次设置的聚酰胺亚胺树脂层和石蜡润滑层。
优选的,所述镀钯层厚度为0.15-0.28μm。
优选的,所述镀金层厚度0.08-0.11μm。
优选的,所述镀钯层为吸附有氢的镀钯层。
优选的,所述聚酰胺亚胺树脂层和石蜡润滑层的厚度比例为1:2。
与现有技术相比,本实用新型的优点是:本实用新型以银为主体材料的镀金钯银键合丝,能够克服铜丝、铝丝表面易氧化、高温稳定性差以及黄金类键合丝生产成本高等不足;镀钯层、镀金层以及硅涂覆层,硅具有化学性质稳定的特性,不易氧化,同时耐高温,并且富韧性,保证本体不易氧化,结合镀金层以及镀钯层能够大大的提升键合丝的抗氧化性能,提升稳定性,同时镀金层于垫镀层具有良好的结合性能,使得镀钯层、镀金层以及硅涂覆层之间结合的更好;通过聚酰胺亚胺树脂层和石蜡润滑层组成的润滑层能够使得键合丝表面的滑动摩擦系数和静摩擦系数下降,有利于键合丝的滑动,防止键合丝的表面在绕线的过程中损伤。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。
图1是本实用新型的整体结构示意图;
图2是本实用新型的润滑层的剖视图;
附图标注:1、银线基材,2、镀钯层,3、镀金层,4、硅涂覆层,5、润滑层,5.1、石蜡润滑层,5.2、聚酰胺亚胺树脂层。
具体实施方式
以下将配合附图及实施例来详细说明本实用新型的实施方式,借此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
一种镀钯合金键合丝,包括圆柱形结构的银线基材1,所述银线基材1的外表面包覆有镀钯层2,所述镀钯层2的外表面包覆有镀金层3,所述镀金层3的外表面包覆有硅涂覆层4,所述硅涂覆层4的外表面设置有润滑层5;所述润滑层5包括由内至外依次设置的聚酰胺亚胺树脂层5.2和石蜡润滑层5.1。
作为本实用新型的另一个实施例,所述镀钯层2厚度为0.15-0.28μm。
作为本实用新型的另一个实施例,所述镀金层3厚度0.08-0.11μm。
作为本实用新型的另一个实施例,所述镀钯层2为吸附有氢的镀钯层2。含氢的镀钯层,增加了产品在n2气氛下的键合的稳定性和可靠性。
作为本实用新型的另一个实施例,所述聚酰胺亚胺树脂层5.2和石蜡润滑层5.1的厚度比例为1:2。
以上仅就本实用新型的最佳实施例作了说明,但不能理解为是对权利要求的限制。本实用新型不仅局限于以上实施例,其具体结构允许有变化。凡在本实用新型独立权利要求的保护范围内所作的各种变化均在本实用新型保护范围内。
1.一种镀钯合金键合丝,其特征在于:包括圆柱形结构的银线基材(1),所述银线基材(1)的外表面包覆有镀钯层(2),所述镀钯层(2)的外表面包覆有镀金层(3),所述镀金层(3)的外表面包覆有硅涂覆层(4),所述硅涂覆层(4)的外表面设置有润滑层(5);所述润滑层(5)包括由内至外依次设置的聚酰胺亚胺树脂层(5.2)和石蜡润滑层(5.1)。
2.根据权利要求1所述的一种镀钯合金键合丝,其特征在于:所述镀钯层(2)厚度为0.15-0.28μm。
3.根据权利要求1所述的一种镀钯合金键合丝,其特征在于:所述镀金层(3)厚度0.08-0.11μm。
4.根据权利要求1所述的一种镀钯合金键合丝,其特征在于:所述镀钯层(2)为吸附有氢的镀钯层(2)。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种镀钯合金键合丝,其特征在于:所述聚酰胺亚胺树脂层(5.2)和润滑层(5.1)的厚度比例为1:2。