空间光高能量密度半导体激光器的制作方法

本实用新型属于激光器领域，具体涉及一种空间光高能量密度半导体激光器。

背景技术：

半导体激光器已经广泛应用于国民经济的各个领域，目前市场上的半导体激光器功率密度低，穿透性弱，无法满足一些特定场合的要求，或者即使满足了要求，却为了提高性能导致整个激光器结构比较复杂、体积大，使用受限。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种空间光高能量密度半导体激光器。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种空间光高能量密度半导体激光器，以实现减小体积，提高功率密度。

为了实现上述目的，本实用新型一实施例提供的技术方案如下：

一种空间光高能量密度半导体激光器，所述激光器包括热沉、安装于热沉内的电路板、多个安装于热沉内的光源模块，光源模块包括基板以及安装于基板上的多个发光单元，发光单元与电路板电连接，光源模块呈阵列分布设置，发光单元呈并排设置，发光单元的发光面朝向同一方向，各发光单元用于输出在远场方向相互重叠的光束。

一实施例中，所述热沉上开设有用于安装电路板和光源模块的第一槽体，所述基板安装于第一槽体的侧壁上。

一实施例中，所述第一槽体沿竖直方向的投影呈正方形。

一实施例中，所述电路板位于光源模块的下方。

一实施例中，所述基板和电路板之间安装有用于电连接电路板和发光单元的导电块。

一实施例中，所述发光单元之间的间距为2～3mm。

一实施例中，所述光源模块设置有四个。

一实施例中，所述发光单元为mini-bar。

一实施例中，所述热沉上涂敷有导热层。

一实施例中，所述热沉上安装有用于密封第一槽体的窗口片。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本实用新型中的空间光高能量密度半导体激光器体积小，功率密度高，发光效率高，穿透性极强。

附图说明

为了更清楚地说明

本技术：
实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一实施例中空间光高能量密度半导体激光器的爆炸图；

图2为本实用新型一实施例中空间光高能量密度半导体激光器的发光单元的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细描述。但该等实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据该等实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。

本实用新型公开了一种空间光高能量密度半导体激光器，包括热沉、安装于热沉内的电路板、多个安装于热沉内的光源模块，光源模块包括基板以及安装于基板上的多个发光单元，发光单元与电路板电连接，光源模块呈阵列分布设置，发光单元呈并排设置，发光单元的发光面朝向同一方向，各发光单元用于输出在远场方向相互重叠的光束。

以下结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。

参图1所示，一种空间光高能量密度半导体激光器，包括热沉1、安装于热沉1内的电路板2、多个安装于热沉1内的光源模块3，热沉1相当于壳体，电路板2位于光源模块3的下方，光源模块3呈阵列分布设置，优选的，光源模块3设置有四个。

参图2所示，光源模块3包括基板31以及安装于基板31上的多个发光单元32，基板31的材料为氮化铝，发光单元32之间的间距为2～3mm，发光单元32与电路板2电连接，发光单元32呈并排设置，发光单元32的发光面朝向同一方向，各发光单元32用于输出在远场方向相互重叠的光束。

参图1所示，热沉1上开设有用于安装电路板2和光源模块3的第一槽体11，第一槽体11沿竖直方向的投影呈正方形，电路板2通过焊料焊接安装于第一槽体11的底部，基板31安装于第一槽体11的侧壁上，基板31通过焊料焊接在第一槽体11的侧壁上，热沉1底部开设有与第一槽体11连通的通孔12，导线从热沉1底部穿过通孔12与电路板2焊接连接，导线为软硅胶线。

本实施例中，四个光源模块3在第一槽体11内沿四个方向整齐、均匀排列。

另外，多个发光单元32的输出光束均匀分布，每个发光单元32的输出光束均为轴对称分布，最终形成基本对称的远场光斑分布，大大提高了功率密度。

进一步的，基板31和电路板2之间安装有用于电连接电路板2和发光单元32的导电块4，导电块4通过焊料焊接在电路板2和基板31之间的直角处。

本实施例中，发光单元16个mini-bar。

本实施例中，热沉1上涂敷有导热层，提高散热热沉1的散热能力，导热层的材料为金。

本实施例中，热沉1上安装有用于密封第一槽体11的窗口片5，窗口片5的材料为光学玻璃，窗口片5上镀有适应波长的增透膜，位于第一槽体11上方的热沉1侧壁上开设有第二槽体13，窗口片5密封安装于第二槽体13内从而密封第一槽体11，通过窗口片5避免环境中的灰尘、湿气等对器件性能的影响，增强环境适应性。

由以上技术方案可以看出，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型中的空间光高能量密度半导体激光器体积小，功率密度高，发光效率高，穿透性极强。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施例加以描述，但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

技术特征：

1.一种空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括热沉、安装于热沉内的电路板、多个安装于热沉内的光源模块，光源模块包括基板以及安装于基板上的多个发光单元，发光单元与电路板电连接，光源模块呈阵列分布设置，发光单元呈并排设置，发光单元的发光面朝向同一方向，各发光单元用于输出在远场方向相互重叠的光束。

2.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述热沉上开设有用于安装电路板和光源模块的第一槽体，所述基板安装于第一槽体的侧壁上。

3.根据权利要求2所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述第一槽体沿竖直方向的投影呈正方形。

4.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述电路板位于光源模块的下方。

5.根据权利要求4所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述基板和电路板之间安装有用于电连接电路板和发光单元的导电块。

6.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述发光单元之间的间距为2～3mm。

7.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述光源模块设置有四个。

8.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述发光单元为mini-bar。

9.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述热沉上涂敷有导热层。

10.根据权利要求2所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述热沉上安装有用于密封第一槽体的窗口片。

技术总结
本实用新型揭示了一种空间光高能量密度半导体激光器，包括热沉、安装于热沉内的电路板、多个安装于热沉内的光源模块，光源模块包括基板以及安装于基板上的多个发光单元，发光单元与电路板电连接，光源模块呈阵列分布设置，发光单元呈并排设置，发光单元的发光面朝向同一方向，各发光单元用于输出在远场方向相互重叠的光束。本实用新型中的空间光高能量密度半导体激光器体积小，功率密度高，发光效率高，穿透性极强。

技术研发人员：芮建保;刘彬;潘昊;韦春雷
受保护的技术使用者：无锡亮源激光技术有限公司
技术研发日：2020.12.30
技术公布日：2021.07.23