一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法与流程

pillar)或者锡球(solder ball)。
12.在本发明的一个优选实施例中，所述铜柱(cu pillar)或者金柱(gold pillar)的高度范围为10
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100um。
13.在本发明的一个优选实施例中，所述锡球(solder ball)的直径范围为50
‑
400um。
14.在本发明的一个优选实施例中，所述塑封层的树脂的厚度为10
‑
500um；所述塑封层的树脂在研磨之后的厚度为10
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400um。
15.在本发明的一个优选实施例中，所述背面制程包括常规的晶圆减薄、离子注入、激光退火、背面金属化。
16.由于采用了如上的技术方案，本发明不需要临时键合，消除了临时键合剥离造成晶圆的破裂等问题；同时由于塑封层一直在晶圆的正面，这就使得晶圆在背面加工的过程当中一直是厚片，可以减少破片等问题。
附图说明
17.图1为现有taiko制程的流程示意图。
18.图2为现有临时键合制程的流程示意图。
19.图3为本发明完成igbt晶圆正面制程后的结构示意图。
20.图4为本发明在晶圆正面的集电极、栅极的压焊点上制作凸块后的结构示意图。
21.图5为本发明在晶圆的正面做晶圆级塑封形成塑封层的结构示意图。
22.图6为本发明研磨塑封层将凸块露出来的结构示意图。
23.图7为本发明完成背面制程后的晶圆结构示意图。
24.图8为本发明的igbt的结构示意图。
具体实施方式
25.以下结合附图和具体实施方式来进一步描述本发明。
26.参见图3至图8，本发明绝缘栅双极型晶体管的制备方法，在完成igbt晶圆正面制程后，在晶圆10正面的集电极11、栅极12的压焊点上制作凸块20(参见图3和图4)；凸块20是铜柱(cu pillar)、金柱(gold pillar)或者锡球(solder ball)。如果是铜柱(cu pillar)或者金柱(gold pillar)，则铜柱(cu pillar)或者金柱(gold pillar)的高度范围为10
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100um。如果是锡球(solder ball)，则锡球的直径范围为50
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400um。
27.参见图5，然后再在晶,10的正面做晶圆级塑封形成塑封层30，塑封层30的树脂的厚度为10
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500um。
28.参见图6，接着研磨塑封层30将之前制作的凸块20露出来；塑封层30的树脂在研磨之后的厚度为10
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400um。
29.参见图7，最后进行背面制程,如晶圆减薄
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离子注入
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激光退火
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背面金属化等，还包括黄光制程、刻蚀或激光钻孔，在晶圆10的背面形成p型注入层40和背面金属层50。
30.参见图8，最后对晶圆10进行切割，做成一个个igbt。
31.或者先进行背面制程，再研磨塑封层30将之前制作的凸块20露出来。


技术特征：
1.绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：在完成igbt晶圆正面制程后，在晶圆正面的集电极、栅极的压焊点上制作凸块；然后再在晶圆的正面做晶圆级塑封形成塑封层；接着研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来；最后进行背面制程；或者先进行背面制程，再研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来。2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：所述凸块是铜柱、金柱或者锡球。3.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：所述铜柱或者金柱的高度范围为10
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100um。4.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：所述锡球的直径范围为50
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400um。5.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：所述塑封层的树脂的厚度为10
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500um；所述塑封层的树脂在研磨之后的厚度为10
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400um。6.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：所述背面制程包括常规的晶圆减薄、离子注入、激光退火、背面金属化。

技术总结
本发明公开的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：在完成IGBT晶圆正面制程后，在晶圆正面的集电极、栅极的压焊点上制作凸块；然后再在晶圆的正面做晶圆级塑封形成塑封层；接着研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来；最后进行背面制程；或者先进行背面制程，再研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来。本发明不需要临时键合，消除了临时键合剥离造成晶圆的破裂等问题；同时由于塑封层一直在晶圆的正面，这就使得晶圆在背面加工的过程当中一直是厚片，可以减少破片等问题。可以减少破片等问题。可以减少破片等问题。


技术研发人员：黄平 鲍利华 顾海颖
受保护的技术使用者：上海朕芯微电子科技有限公司
技术研发日：2021.05.20
技术公布日：2021/10/14