一种低废品率的轴向二极管的制作方法

1.本实用新型涉及轴向二极管技术领域，具体为一种低废品率的轴向二极管。


背景技术：

2.二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通，当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止，因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。
3.目前，现有的二极管的第一铜电极和第二铜电极时暴露在外部的，没有保护装置，在不使用的时候放置在一旁很容易将二极管损坏，因此需要对该二极管进行改进。


技术实现要素：

4.针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种低废品率的轴向二极管，具备对二极管电极进行保护和低废品率的优点，解决了现有的二极管的第一铜电极和第二铜电极时暴露在外部的，没有保护装置，在不使用的时候放置在一旁很容易将二极管损坏，因此需要对该二极管进行改进的问题。
5.本实用新型提供如下技术方案：一种低废品率的轴向二极管，包括外壳，所述外壳内部后方设置有第一铜电极，且所述第一铜电极与所述外壳相连接，所述第一铜电极外侧壁靠近所述外壳后方设置有第一保护管，且所述第一保护管与所述第一铜电极相连接，所述第一铜电极前方设置有第一粘结层，且所述第一粘结层与所述第一铜电极相连接，所述外壳内部前方设置有第二铜电极，且所述外壳与所述第二铜电极相连接，所述第二铜电极外侧靠近所述外壳前方设置有第二保护管，且所述第二保护管与所述第二铜电极相连接，所述第二铜电极后方设置有第二粘结层，且所述第二粘结层与所述第二铜电极相连接，所述第二粘结层和所述第一粘结层内侧设置有二极管芯片，且所述二极管芯片与所述第二粘结层相连接，所述外壳前方底端设置有第二支撑杆，且所述第二支撑杆与所述外壳相连接，所述第二铜电极外侧靠近所述第二支撑杆顶端设置有第二套环，且所述第二套环与所述第二支撑杆相连接，所述外壳后方底端设置有第一支撑杆，且所述第一支撑杆与所述外壳相连接，所述第一铜电极外侧靠近所述第一支撑杆顶端设置有第一套环，且所述第一套环与所述第一支撑杆相连接。
6.优选的，所述第一保护管的直径大于所述第一铜电极的直径，所述第二保护管的直径大于所述第二铜电极的直径。
7.优选的，所述第一保护管和所述第二保护管对称分布，所述第一保护管和所述第二保护管均具有可收缩性能。
8.优选的，所述第二铜电极和所述第一铜电极通过所述第一粘结层和所述第二粘结层相连接。
9.优选的，所述第一套环的直径大于所述第一铜电极的直径，所述第二套环的直径大于所述第二铜电极的直径。
10.优选的，所述外壳的前端两端开设卡槽，所述第一支撑杆和所述外壳、所述第二支撑杆和所述外壳通过所述卡槽相连接。
11.与现有技术对比，本实用新型具备以下有益效果：
12.1、该一种低废品率的轴向二极管，通过设置第一保护管和第二保护管，第二保护管和第二保护管是可以进行收缩的，第一保护管和第二保护管分别固定在外壳的上下两端，在第一铜电极和第二铜电极不使用的时候，将第一保护管和第二保护管分别拉长至第一铜电极和第二铜电极的尾端，将第一铜电极和第二铜电极收纳至第一保护管和第二保护管的内部，进而度第一铜电极和第二铜电极进行保护，因此增加了该轴向二极管的实用性。
13.2、该一种低废品率的轴向二极管，通过设置第一支撑杆第二支撑杆，第一支撑杆和第二支撑杆分别通过第一套环和第二套环对第一铜电极和第二铜电极进行支撑，避免第一铜电极和第二铜电极与外壳之间出现断裂，因此增加了该轴向二极管的实用性。
附图说明
14.图1为本实用新型结构示意图；
15.图2为本实用新型的内部结构示意图；
16.图3为本实用新型中的第一支撑杆结构示意图。
17.图中：1、第一保护管；2、外壳；3、第二保护管；4、第二铜电极；5、第一铜电极；6、第一粘结层；7、二极管芯片；8、第二粘结层；9、第一套环；10、第一支撑杆；11、第二支撑杆；12、第二套环。
具体实施方式
18.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
19.请参阅图1
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3，一种低废品率的轴向二极管，包括外壳2，外壳2内部后方设置有第一铜电极5，且第一铜电极5与外壳2相连接，第一铜电极5外侧壁靠近外壳2后方设置有第一保护管1，且第一保护管1与第一铜电极5相连接，第一铜电极5前方设置有第一粘结层6，且第一粘结层6与第一铜电极5相连接，外壳2内部前方设置有第二铜电极4，且外壳2与第二铜电极4相连接，第二铜电极4外侧靠近外壳2前方设置有第二保护管3，且第二保护管3与第二铜电极4相连接，第二铜电极4后方设置有第二粘结层8，且第二粘结层8与第二铜电极4相连接，第二粘结层8和第一粘结层6内侧设置有二极管芯片7，且二极管芯片7与第二粘结层8相连接，外壳2前方底端设置有第二支撑杆11，且第二支撑杆11与外壳2相连接，第二铜电极4外侧靠近第二支撑杆11顶端设置有第二套环12，且第二套环12与第二支撑杆11相连接，外壳2后方底端设置有第一支撑杆10，且第一支撑杆10与外壳2相连接，第一铜电极5外侧靠近第一支撑杆10顶端设置有第一套环9，且第一套环9与第一支撑杆10相连接。
20.具体的，第一保护管1的直径大于第一铜电极5的直径，第二保护管3的直径大于第二铜电极4的直径。
21.具体的，第一保护管1和第二保护管3对称分布，第一保护管1和第二保护管3均具
有可收缩性能。
22.具体的，第二铜电极4和第一铜电极5通过第一粘结层6和第二粘结层8相连接。
23.具体的，第一套环9的直径大于第一铜电极5的直径，第二套环12的直径大于第二铜电极4的直径。
24.具体的，外壳2的前端两端开设卡槽，第一支撑杆10和外壳2、第二支撑杆11和外壳2通过卡槽相连接。
25.工作时，在第一铜电极5和第二铜电极4不使用的时候，将第一保护管1和第二保护管3分别拉长至第一铜电极5和第二铜电极4的尾端，将第一铜电极5和第二铜电极4收纳至第一保护管1和第二保护管3的内部，进而度第一铜电极5和第二铜电极4进行保护。
26.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。


技术特征：
1.一种低废品率的轴向二极管，包括外壳(2)，其特征在于：所述外壳(2)内部后方设置有第一铜电极(5)，且所述第一铜电极(5)与所述外壳(2)相连接，所述第一铜电极(5)外侧壁靠近所述外壳(2)后方设置有第一保护管(1)，且所述第一保护管(1)与所述第一铜电极(5)相连接，所述第一铜电极(5)前方设置有第一粘结层(6)，且所述第一粘结层(6)与所述第一铜电极(5)相连接，所述外壳(2)内部前方设置有第二铜电极(4)，且所述外壳(2)与所述第二铜电极(4)相连接，所述第二铜电极(4)外侧靠近所述外壳(2)前方设置有第二保护管(3)，且所述第二保护管(3)与所述第二铜电极(4)相连接，所述第二铜电极(4)后方设置有第二粘结层(8)，且所述第二粘结层(8)与所述第二铜电极(4)相连接，所述第二粘结层(8)和所述第一粘结层(6)内侧设置有二极管芯片(7)，且所述二极管芯片(7)与所述第二粘结层(8)相连接，所述外壳(2)前方底端设置有第二支撑杆(11)，且所述第二支撑杆(11)与所述外壳(2)相连接，所述第二铜电极(4)外侧靠近所述第二支撑杆(11)顶端设置有第二套环(12)，且所述第二套环(12)与所述第二支撑杆(11)相连接，所述外壳(2)后方底端设置有第一支撑杆(10)，且所述第一支撑杆(10)与所述外壳(2)相连接，所述第一铜电极(5)外侧靠近所述第一支撑杆(10)顶端设置有第一套环(9)，且所述第一套环(9)与所述第一支撑杆(10)相连接。2.根据权利要求1所述的一种低废品率的轴向二极管，其特征在于：所述第一保护管(1)的直径大于所述第一铜电极(5)的直径，所述第二保护管(3)的直径大于所述第二铜电极(4)的直径。3.根据权利要求1所述的一种低废品率的轴向二极管，其特征在于：所述第一保护管(1)和所述第二保护管(3)对称分布，所述第一保护管(1)和所述第二保护管(3)均具有可收缩性能。4.根据权利要求1所述的一种低废品率的轴向二极管，其特征在于：所述第二铜电极(4)和所述第一铜电极(5)通过所述第一粘结层(6)和所述第二粘结层(8)相连接。5.根据权利要求1所述的一种低废品率的轴向二极管，其特征在于：所述第一套环(9)的直径大于所述第一铜电极(5)的直径，所述第二套环(12)的直径大于所述第二铜电极(4)的直径。6.根据权利要求1所述的一种低废品率的轴向二极管，其特征在于：所述外壳(2)的前端两端开设卡槽，所述第一支撑杆(10)和所述外壳(2)、所述第二支撑杆(11)和所述外壳(2)通过所述卡槽相连接。

技术总结
本实用新型涉及轴向二极管技术领域，且公开了一种低废品率的轴向二极管，包括外壳，所述外壳内部后方设置有第一铜电极，且所述第一铜电极与所述外壳相连接，所述第一铜电极外侧壁靠近所述外壳后方设置有第一保护管，且所述第一保护管与所述第一铜电极相连接。该一种低废品率的轴向二极管，通过设置第一保护管和第二保护管，第二保护管和第二保护管是可以进行收缩的，第一保护管和第二保护管分别固定在外壳的上下两端，在第一铜电极和第二铜电极不使用的时候，将第一保护管和第二保护管分别拉长至第一铜电极和第二铜电极的尾端，将第一铜电极和第二铜电极收纳至第一保护管和第二保护管的内部，进而度第一铜电极和第二铜电极进行保护。保护。保护。


技术研发人员：王志敏 黄丽凤
受保护的技术使用者：如皋市大昌电子有限公司
技术研发日：2021.04.20
技术公布日：2021/12/21