一种新型熔断体用熔体结构的制作方法

1.本实用新型涉及熔断体技术领域，特别是涉及一种新型熔断体用熔体结构。


背景技术：

2.电流熔断器，iec127标准将它定义为熔断体(fuse-link)，其主要是起过载保护作用，电路中正确安置保险丝，保险丝就会在电流异常升高到一定的高度的时候，自身熔断切断电流，保护了电路安全运行，目前随着电动汽车和光伏等新能源行业的蓬勃发展，很多场合需要用到高压大电流熔断体(器)，熔断体需要承载几百万的电流用来分断几万安培乃至几十万安培的异常电流。
3.纵观行业内高压大电流熔断体的熔体基本采用变截面片状熔体设计，变截面片状熔体常采用在银带上冲切成型，工作时熔断点在狭径处，其它较宽部位仅帮助散热，整条熔体均为银材质，成本较高，基于以上弊端，有必要对现有的技术予以改进，设计出一种新型熔断体用熔体结构。


技术实现要素：

4.本实用新型主要解决的技术问题是提供一种新型熔断体用熔体结构，结构稳定且加工过程中不容易断裂，同时在保证主要性能不变的情况下，大幅度降低了材料成本。
5.为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种新型熔断体用熔体结构，该种新型熔断体用熔体结构包括熔体，所述熔体包括导电散热部、熔断区域和灭弧区域，两导电散热部之间阵列设置有依次相间熔断区域和灭弧区域，所述导电散热部和灭弧区域采用铜材质，所述熔断区域采用银材质，所述熔体由铜和银拼接而成，然后冲切成型，所述灭弧区域处点有防止持续电弧生产的灭弧胶。
6.优选的是，所述铜和银的拼接采用电焊或激光焊。
7.优选的是，所述熔断区域处冲切圆形通孔，圆形通孔上下两侧冲切半圆形通孔，圆形通孔和半圆形通孔之间为微连接。
8.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
9.结结构稳定且加工过程中不容易断裂，同时在保证主要性能不变的情况下，大幅度降低了材料成本。
附图说明
10.图1为一种新型熔断体用熔体结构的结构示意图。
11.图2为一种新型熔断体用熔体结构的熔断区域结构示意图。
12.图3为一种新型熔断体用熔体结构的冲切原材示意图。
具体实施方式
13.下面结合附图对本实用新型较佳实施例进行详细阐述，以使实用新型的优点和特
征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
14.请参阅图1至图3，本实用新型实施例包括：
15.一种新型熔断体用熔体结构，该种新型熔断体用熔体结构包括熔体1，所述熔体1包括导电散热部11、熔断区域12和灭弧区域13，两导电散热部11之间阵列设置有依次相间熔断区域12和灭弧区域13，所述导电散热部11和灭弧区域13采用铜材质，所述熔断区域12采用银材质，所述熔体1由铜和银拼接而成，然后冲切成型，所述灭弧区域13处点有防止持续电弧生产的灭弧胶30。
16.所述铜和银的拼接采用电焊或激光焊。
17.所述熔断区域12处冲切圆形通孔121，圆形通孔121上下两侧冲切半圆形通孔122，圆形通孔121和半圆形通孔122之间为微连接123，两个微连接123 能够提高熔断机率，一个微连接断开,阻值就会变大，热量就更多，其它的就更容易断开。
18.单个狭径(微连接)横截面过大会对分断能力不利，所以分成两个或多个，且分成多个后避免热量积聚，利于散热延长使用寿命。
19.本实用新型一种新型熔断体用熔体结构，结构稳定且加工过程中不容易断裂，同时在保证主要性能不变的情况下，大幅度降低了材料成本。
20.以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。


技术特征：
1.一种新型熔断体用熔体结构，其特征在于：该种新型熔断体用熔体结构包括熔体，所述熔体包括导电散热部、熔断区域和灭弧区域，两导电散热部之间阵列设置有依次相间熔断区域和灭弧区域，所述导电散热部和灭弧区域采用铜材质，所述熔断区域采用银材质，所述熔体由铜和银拼接而成，然后冲切成型，所述灭弧区域处点有防止持续电弧生产的灭弧胶。2.根据权利要求1所述的一种新型熔断体用熔体结构，其特征在于：所述铜和银的拼接采用电焊或激光焊。3.根据权利要求1所述的一种新型熔断体用熔体结构，其特征在于：所述熔断区域处冲切圆形通孔，圆形通孔上下两侧冲切半圆形通孔，圆形通孔和半圆形通孔之间为微连接。

技术总结
本实用新型公开了一种新型熔断体用熔体结构，包括熔体，所述熔体包括导电散热部、熔断区域和灭弧区域，两导电散热部之间阵列设置有依次相间熔断区域和灭弧区域，所述导电散热部和灭弧区域采用铜材质，所述熔断区域采用银材质，所述熔体由铜和银拼接而成，然后冲切成型，所述灭弧区域处点有防止持续电弧生产的灭弧胶。通过上述方式，本实用新型结构稳定且加工过程中不容易断裂，同时在保证主要性能不变的情况下，大幅度降低了材料成本。大幅度降低了材料成本。大幅度降低了材料成本。


技术研发人员：颜睿志
受保护的技术使用者：苏州华德电子有限公司
技术研发日：2021.12.20
技术公布日：2022/7/12