一种二极管腐蚀清洗工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种0PENJUCT10N 二极管腐蚀清洗机，特别涉及一种能够有效降低0PENJUCT10N 二极管反向漏电流及提升IPENJUCT10N 二极管产品可靠性的二极管腐蚀清洗机。
【背景技术】
[0002]传统0PENJUCT10N 二极管腐蚀清洗机工艺流程:腐蚀工位；钝化工位；钝化表面杂质清洗工位；超声清洗工位。该工艺存在以下不足之处:资源如纯水消耗量大、产品反向漏流值高，稳定性差、
工艺管控范围窄，对员工技能及责任性要求高，易产生波动，而且芯片表面沾污而导致的产品漏电流，产品的良率及可靠性降低。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种能够有效降低二极管反向漏电流及提升二极管产品可靠性的二极管腐蚀清洗机。
[0004]为解决上述技术问题，本发明为一种二极管腐蚀清洗工艺，其创新点在于:腐蚀清洗工艺依次为腐蚀、钝化、钝化杂质清洗、热水冲洗浸泡以及超声清洗，其中腐蚀为通过化学腐蚀方式去除芯片侧面因切割而产生的损伤层，钝化为通过化学反应方式钝化芯片侧面，使芯片侧面形成钝化保护层，钝化表面杂质清洗为通过化学反应方式去有机杂质，金属离子，颗粒沾污；热水冲水浸泡工艺使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解，超声清洗工位为利用超声空化原理，对钝化表面杂质进行二次清洗。具体步骤如下:
第一步，腐蚀:选取以下材料的混合液作为腐蚀液，具体HN03:HF: CH3C00H: H2S04 =9: 9: 12: 4，然后在温度为25°C ±5°C腐蚀浸泡一次；
第二步，钝化:钝化时，钝化工艺所用原材料及配比为:
H3P04: !1202:!120=1:1:3，然后在温度651€ ±10°C钝化一次；
第三步，钝化杂质清洗:清洗液为NH40H: H202: H20 =1:1: 5，在温度为25°C ±3°C清洗一次；
第四步，热水冲洗浸泡:在温度为55-70°C，冲洗浸泡30S ;
第五步，超声清洗:在常温下，按以下标准清洗一次即可:高纯水流量为3吨/小时，超声频率控制在50-150赫兹；清洗时间为240-600秒。
[0005]进一步地，所述腐蚀液中，HN03的浓度为68.5%±2%:HF的浓度为49%±0.5%:CH3C00H的浓度为大于等于99.5% ；H2S04的浓度为97%±1%。
[0006]进一步地，所述钝化原材料中，H3P04的浓度大于等于85%，H202的浓度大于等于35%。
[0007]进一步地，所述清洗液中NH40H的浓度17%土 1%: H202的浓度大于等于35%。
[0008]本发明的优点在于:在超声清洗工序之前，添加热水冲水浸泡工艺，使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解，提升后续超声清洗效果，从而降低因芯片表面沾污而导致的产品漏电流，提升产品的良率及可靠性。
【具体实施方式】
[0009]本发明公开了一种二极管腐蚀清洗工艺，清洗工艺依次为腐蚀、钝化、钝化杂质清洗、热水冲洗浸泡以及超声清洗，其中腐蚀为通过化学腐蚀方式去除芯片侧面因切割而产生的损伤层，钝化为通过化学反应方式钝化芯片侧面，使芯片侧面形成钝化保护层，钝化表面杂质清洗为通过化学反应方式去有机杂质，金属离子，颗粒沾污；热水冲水浸泡工艺使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解，超声清洗工位为利用超声空化原理，对钝化表面杂质进行二次清洗。
[0010]
[0011]下面结合具体实施例子进行说明:
实施例一
一种二极管腐蚀清洗工艺，方法步骤具体如下:
第一步，腐蚀:选取以下材料的混合液作为腐蚀液，具体HN03:HF: CH3C00H: H2S04 =9: 9: 12: 4，然后在温度为24.5°C腐蚀浸泡一次；
第二步，钝化:钝化时，钝化工艺所用原材料及配比为:
H3P04: Η202:Η20=1:1:3，然后在温度 55°C钝化一次；
第三步，钝化杂质清洗:清洗液为NH40H: H202: H20 =1:1: 5，在温度为22°C清洗一次；
第四步，热水冲洗浸泡:在温度55°C，冲洗浸泡30S ;
第五步，超声清洗:在常温下，按以下标准清洗一次即可:高纯水流量为3吨/小时，超声频率控制在50赫兹；清洗时间为240秒。
[0012]其中腐蚀液HN03的浓度为68.5%±2%: HF的浓度为49%± 0.5%:CH3C00H的浓度为大于等于99.5% ；H2S04的浓度为97%±1% ;所述第二步钝化原材料中H3P04的浓度大于等于85%，H202的浓度大于等于35% ;所述第三步钝化杂质清洗液中NH40H的浓度17%±1%，H202的浓度大于等于35%。
[0013]实施例二
一种二极管腐蚀清洗工艺，方法具体步骤如下:
第一步，腐蚀:选取以下材料的混合液作为腐蚀液，具体HN03:HF: CH3C00H: H2S04 =9: 9: 12: 4，然后在温度为25°C腐蚀浸泡一次；
第二步，钝化:钝化时，钝化工艺所用原材料及配比为:
H3P04: !1202:!120=1:1:3，然后在温度65°(:钝化一次；
第三步，钝化杂质清洗:清洗液为NH40H: H202: H20 =1:1: 5，在温度为25°C清洗一次；
第四步，热水冲洗浸泡:在温度为65°C，冲洗浸泡30S ;
第五步，超声清洗:在常温下，按以下标准清洗一次即可:高纯水流量为3吨/小时，超声频率控制在100赫兹；清洗时间为420秒。
[0014]其中腐蚀液HN03的浓度为68.5%±2%: HF的浓度为49%± 0.5%:CH3C00H的浓度为大于等于99.5% ；H2S04的浓度为97%±1% ;所述第二步钝化原材料中H3P04的浓度大于等于85%，H202的浓度大于等于35% ;所述第三步钝化杂质清洗液中NH40H的浓度17%±1%，H202的浓度大于等于35%。
[0015]实施例三
一种二极管腐蚀清洗工艺，方法步骤为:第一步，腐蚀:选取以下材料的混合液作为腐蚀液，具体HN03:HF: CH3C00H: H2S04 = 9: 9: 12: 4，然后在温度为30°C腐蚀浸泡一次;
第二步，钝化:钝化时，钝化工艺所用原材料及配比为:
H3P04: Η202:Η20=1:1:3，然后在温度 75°C钝化一次；
第三步，钝化杂质清洗:清洗液为NH40H: H202: H20 =1:1: 5，在温度为28°C清洗一次；
第四步，热水冲洗浸泡:在温度为70°C，冲洗浸泡30S ;
第五步，超声清洗:在常温下，按以下标准清洗一次即可:高纯水流量为3吨/小时，超声频率控制在150赫兹；清洗时间为600秒。
[0016]其中腐蚀液HN03的浓度为68.5%±2%: HF的浓度为49%± 0.5%:CH3C00H的浓度为大于等于99.5% ；H2S04的浓度为97%±1% ;所述第二步钝化原材料中H3P04的浓度大于等于85%，H202的浓度大于等于35% ;所述第三步钝化杂质清洗液中NH40H的浓度17%±1%，H202的浓度大于等于35%。
【主权项】
1.一种二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于:所述清洗工艺依次为腐蚀、钝化、钝化杂质清洗、热水冲洗浸泡以及超声清洗，其中腐蚀为通过化学腐蚀方式去除芯片侧面因切割而产生的损伤层，钝化为通过化学反应方式钝化芯片侧面，使芯片侧面形成钝化保护层，钝化表面杂质清洗为通过化学反应方式去有机杂质，金属离子，颗粒沾污；热水冲水浸泡工艺使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解，超声清洗工位为利用超声空化原理，对钝化表面杂质进行二次清洗。2.根据权利要求1所述的二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于:所述方法的具体步骤如下: 第一步，腐蚀:选取以下材料的混合液作为腐蚀液，具体HN03:HF: CH3C00H: H2S04 =9: 9: 12: 4，然后在温度为25°C ±5°C腐蚀浸泡一次； 第二步，钝化:钝化时，钝化工艺所用原材料及配比为: H3P04: !1202:!120=1:1:3，然后在温度651€ ±10°C钝化一次； 第三步，钝化杂质清洗:清洗液为NH40H: H202: H20 =1:1: 5，在温度为25°C ±3°C清洗一次； 第四步，热水冲洗浸泡:在温度为55-70°C，冲洗浸泡30S ; 第五步，超声清洗:在常温下，按以下标准清洗一次即可:高纯水流量为3吨/小时，超声频率控制在50-150赫兹；清洗时间为240-600秒。3.根据权利要求2所述的二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于:所述第一步腐蚀液中，HN03的浓度为68.5%土 2%: HF的浓度为49%土 0.5%: CH3COOH的浓度为大于等于99.5% ;H2S04的浓度为97%±1%。4.根据权利要求2所述的二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于:所述第二步钝化原材料中H3P04的浓度大于等于85%，H202的浓度大于等于35%。5.根据权利要求2所述的二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于:所述第三步钝化杂质清洗液中NH40H的浓度17%±1%，H202的浓度大于等于35%。
【专利摘要】本发明涉及一种二极管腐蚀清洗工艺，所述清洗工艺依次为腐蚀、钝化、钝化杂质清洗、热水冲洗浸泡以及超声清洗,其中腐蚀为通过化学腐蚀方式去除芯片侧面因切割而产生的损伤层,钝化为通过化学反应方式钝化芯片侧面，使芯片侧面形成钝化保护层，钝化表面杂质清洗为通过化学反应方式去有机杂质，金属离子，颗粒沾污。本发明的优点在于：在超声清洗工序之前，添加热水冲水浸泡工艺，使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解，提升后续超声清洗效果，从而降低因芯片表面沾污而导致的产品漏电流，提升产品的良率及可靠性。
【IPC分类】H01L29/66, H01L21/02
【公开号】CN105070750
【申请号】CN201510384665
【发明人】徐柏林, 江玉华, 翁平, 李小娟
【申请人】南通康比电子有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年6月30日