一种太阳能彩虹片返工工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明设计太阳能电池生产领域，具体是镀减反射膜工艺段(PECVD)彩虹片返工工艺。
【背景技术】
[0002]电池片的生产需经过一个镀减反射膜工艺段(PECVD)。本工艺是利用辉光放电的物理作用来激活粒子的一种化学气相反应，可在相对较低的温度下发生反应，在硅片表面沉积氮化硅薄膜。氮化硅薄膜具有减反射和钝化作用，提高了电池片开路电压和短路电流，进而提高了电池片转化效率。
[0003]PECVD工艺段生产过程中会产生大量不合格片，约占产线的2%。其中大部分不合格片如色差片等可以经清洗去膜后返工，进而提高了产线的合格率。其中因为破片等原因造成的彩虹片，其比例约占产线的0.15%。现有的清洗工艺很难将彩虹片表面的氮化硅膜去除干净，并且使用高浓度的酸很容易把硅片本身破坏，只能作为不可返工片处理。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是:如何使彩虹片表面的氮化硅膜去除干净，同时不破坏太阳能电池硅片。
[0005]本发明所采用的技术方案是:一种太阳能彩虹片返工工艺，其特征在于:在太阳能硅片生产中，对PECVD工艺段生产过程中会产生的彩虹片进行返工操作，顺序在质量百分比浓度为23-45%碳酸钠浸泡1-3分钟，用高压脉冲电场处理，在质量百分比浓度为8-15%的氢氟酸中浸泡3-5分钟，再进行常规PSG清洗和制绒工艺。
[0006]作为一种优选方式:高压脉冲电场处理的参数为:脉冲强度1000V/cm-1400V/cm，脉冲宽度60 μ s-120 μ s，脉冲个数20个-50个，脉冲间隔500ms-600ms。
[0007]本发明的有益效果是:本发明通过质量百分比浓度为23-45%碳酸钠浸泡1-3分钟在氮化硅膜上形成一个碱性层，再通过高压脉冲电场处理把氮化硅膜从硅片上剥离，然后通过浓度为8-15%的氢氟酸对硅片表面进行清洗，不会对硅片表面造成大的腐蚀同时有效清除了氮化硅膜。
【具体实施方式】
[0008]现有常用返工作业流程是:PSG清洗-清洗制绒-扩散-湿法切边-镀膜-丝网印刷，本发明的改进是在现有工艺的基础上增加前置处理工艺。
[0009]在太阳能硅片生产中，对PECVD工艺段生产过程中会产生的彩虹片进行返工操作，顺序在质量百分比浓度为23-45%碳酸钠浸泡1-3分钟，再用高压脉冲电场处理，高压脉冲电场处理，一方面有利于氮化硅膜和硅片的分离，另一方面在硅片表面形成一个离子膜，放置以后的处理过程中硅表面被腐蚀，高压脉冲电场处理在质量百分比浓度为8-15%的氢氟酸中浸泡3-5分钟，再进行常规PSG清洗和制绒工艺。高压脉冲电场处理的参数为:脉冲强度1000V/cm-1400V/cm，脉冲宽度60 μ s-120 μ s，脉冲个数20个-50个，脉冲间隔500ms-600mso
[0010]通过本发明95%的彩虹片表面SiNx可以得到完全去除，剩余的片子表面局部不能去除，但是在经过返工工艺后可以满足B片标准，实现了回收。
【主权项】
1.一种太阳能彩虹片返工工艺，其特征在于:在太阳能硅片生产中，对PECVD工艺段生产过程中会产生的彩虹片进行返工操作，顺序在质量百分比浓度为23-45%碳酸钠浸泡1-3分钟，用高压脉冲电场处理，在质量百分比浓度为8-15%的氢氟酸中浸泡3-5分钟，再进行常规PSG清洗和制绒工艺。2.根据权利要求1所述的一种太阳能彩虹片返工工艺，其特征在于:高压脉冲电场处理的参数为:脉冲强度1000V/cm-1400V/cm，脉冲宽度60 μ s-120 μ s’脉冲个数20个-50个，脉冲间隔500ms-600ms。
【专利摘要】本发明设计太阳能电池生产领域，具体是镀减反射膜工艺段（PECVD）彩虹片返工工艺。一种太阳能彩虹片返工工艺，在太阳能硅片生产中，对PECVD工艺段生产过程中会产生的彩虹片进行返工操作，顺序在质量百分比浓度为23-45%碳酸钠浸泡1-3分钟，用高压脉冲电场处理，在质量百分比浓度为8-15%的氢氟酸中浸泡3-5分钟，再进行常规PSG清洗和制绒工艺。本发明不会对硅片表面造成大的腐蚀同时有效清除了氮化硅膜。
【IPC分类】H01L31/18, B08B3/10, H01L21/02
【公开号】CN105226132
【申请号】CN201510619515
【发明人】刘进, 周水生, 董建明, 张欣, 张之栋
【申请人】山西潞安太阳能科技有限责任公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年9月25日