一种防止第二焊点点断的qfn框架的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种防止第二焊点点断的QFN框架，属于半导体封装技术领域。
【背景技术】
[0002]QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以它能提供卓越的电性能。此外，它还通过外露的引线框架焊盘提供了出色的散热性能，该焊盘具有直接散热通道，用于释放封装内的热量。
[0003]传统的QFN引脚于切割成型时，由于引脚都是实体金属材质的，很容易耗损切割道具寿命，为解决这个问题，业界都会对QFN框架的中筋部分进行半蚀刻，这样中筋部份的金属厚度减薄，在封装体切割时，可有效的降低刀具的磨损，提高了切割效率。
[0004]然而，中筋半蚀刻的框架在打线接合(Wire bonding)时，当金属焊线在管脚上打第二焊点(Second bond)的时候，在平行于管脚和垂直于管脚方向会有劈刀给予管脚的两个方向的力，会导致管脚产生震动，但由于中筋部分金属厚度较薄，管脚的震动无处传动，从而导致第二焊点震断。
【发明内容】
[0005]本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种防止第二焊点点断的QFN框架，它可以有效减少管脚震动，降低第二焊点点断的概率，同时在切割时又不会增加切割刀具磨损。
[0006]本实用新型的目的是这样实现的:一种防止第二焊点点断的QFN框架，它包括若干个呈矩阵排布的承载单元以及位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋，所述承载单元包括芯片座和设置于芯片座周围的引脚阵列，所述中筋连接于相邻两个承载单元的引脚阵列之间，所述中筋上通过半蚀刻形成多个均匀布置的实体凸点，每个实体凸点设置于引脚阵列的相邻两个引脚之间。
[0007]所述实体凸点的形状为圆形或多边形。
[0008]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果:
[0009]本实用新型一种防止第二焊点点断的QFN框架，它在打线接合(Wire bonding)时可以有效减少管脚震动，降低第二焊点点断的概率，同时在切割时又不会增加切割刀具磨损。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型一种防止第二焊点点断的QFN框架的结构示意图。
[0011]图2为本实用新型一种防止第二焊点点断的QFN框架的局部立体示意图。
[0012]其中:
[0013]芯片座I
[0014]引脚阵列2
[0015]中筋3
[0016]实体凸点4。
【具体实施方式】
[0017]参见图1、图2，本实用新型一种防止第二焊点点断的QFN框架，它包括若干个呈矩阵排布的承载单元以及位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋3，所述承载单元包括芯片座I和设置于芯片座I周围的引脚阵列2，所述中筋3连接于相邻两个承载单元的引脚阵列2之间，所述中筋3上通过半蚀刻形成多个均匀布置的实体凸点4，每个实体凸点4设置于引脚阵列2的相邻两个引脚之间，在打线接合(Wire bonding)时引脚大部分的震动可以传送到左右两个实体凸点处，可以有效降低第二焊点点断的概率。
[0018]所述实体凸点4的形状不限，可以是圆形，也可以是多边形，其大小只要求不能覆盖到引脚部分。
【主权项】
1.一种防止第二焊点点断的QFN框架，其特征在于:它包括若干个呈矩阵排布的承载单元以及位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋(3)，所述承载单元包括芯片座(I)和设置于芯片座(I)周围的引脚阵列(2)，所述中筋(3)连接于相邻两个承载单元的引脚阵列(2)之间，所述中筋(3)上通过半蚀刻形成多个均匀布置的实体凸点(4)，每个实体凸点(4)设置于引脚阵列(2)的相邻两个引脚之间。2.根据权利要求1所述的一种防止第二焊点点断的QFN框架，其特征在于:所述实体凸点(4)的形状为圆形或多边形。
【专利摘要】本实用新型涉及一种防止第二焊点点断的QFN框架，属于半导体封装技术领域。它包括若干个呈矩阵排布的承载单元以及位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋（3），所述承载单元包括芯片座（1）和设置于芯片座（1）周围的引脚阵列（2），所述中筋（3）连接于相邻两个承载单元的引脚阵列（2）之间，所述中筋（3）上通过半蚀刻形成多个均匀布置的实体凸点（4），每个实体凸点（4）设置于引脚阵列（2）的相邻两个引脚之间。本实用新型一种防止第二焊点点断的QFN框架，它在打线接合(Wire bonding)时可以有效减少管脚震动，降低第二焊点点断的概率，同时在切割时又不会增加切割刀具磨损。
【IPC分类】H01L23/495
【公开号】CN204720443
【申请号】CN201520326967
【发明人】王强, 刘怡, 龚臻, 薛海冰
【申请人】江苏长电科技股份有限公司
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2015年5月20日