军用低噪音本安仪表电缆的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种军用低噪音本安仪表电缆。所述的电缆包括两根绝缘线芯，所述的两根绝缘线芯外绕包屏蔽层，所述的屏蔽层由双面铝箔及双面铝箔外编织的镀锡铜丝网构成，所述的屏蔽层外挤包护套层，所述的两根绝缘线芯之间的空隙设有半导电PP绳填充，所述的绝缘线芯包括若干导体，所述的导体外设有一层半导电膜，所述的半导电膜外挤包低密度聚乙烯绝缘层，所述的绝缘层外挤包半导电层。本实用新型结构紧凑、减少摩擦起电作用、抗干扰能力强、屏蔽效果好、制造方便、生产成本低。
【专利说明】
军用低噪音本安仪表电缆
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种电缆，尤其涉及一种军用低噪音本安仪表电缆。
【背景技术】
[0002]随着工业自动化和人们对工作环境和生活环境改善需要，远距离控制和集中控制已经成为办公自动化的常态。对于化工、燃气生产储存等易燃易爆场区，必须采用本安电气系统。对于连接现场和控制系统的电缆也要采用本安电缆。常规本安电缆已经使用多年，大多数场合使用较为理想，但是在精密控制和有震动场合问题凸显，如与光敏器件连接和测震器件连接的本安电缆传播信号有噪音较大影响控制设备正常运行。对以上问题现场多次研究测试，最后发现噪音主要来自电缆外部感应和电缆自身在震动中产生摩擦起电引起的电压波动，为解决以上问题开发本实用新型军用低噪音本安仪表电缆。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为了解决以上问题提供了一种结构紧凑、减少摩擦起电作用、抗干扰能力强、屏蔽效果好、制造方便、生产成本低的军用低噪音本安仪表电缆。
[0004]本实用新型的技术方案是:所述的电缆包括两根绝缘线芯，所述的两根绝缘线芯外绕包屏蔽层，所述的屏蔽层由双面铝箔及双面铝箔外编织的镀锡铜丝网构成，所述的屏蔽层外挤包护套层，所述的两根绝缘线芯之间的空隙设有半导电PP绳填充，所述的绝缘线芯包括若干导体，所述的导体外设有一层半导电膜，所述的半导电膜外挤包低密度聚乙烯绝缘层，所述的绝缘层外挤包半导电层。
[0005]所述的导体为I或2或5类导体铜丝，铜丝为纯度达到99.99%无氧铜材，绞合后导体圆整，单丝采用冷焊焊接。
[0006]所述的半导电膜在挤包绝缘层时导体过超细碳黑，超细碳黑与低密度聚乙烯绝缘内表面形成半导电膜。
[0007]所述的导体在过超细碳黑之前采用加热器对铜丝加热到80-90度。
[0008]所述的绝缘层和半导电层采用双层共挤，半导电层厚度在0.1mm和0.2mm之间，绝缘层和半导电层紧密粘连。
[0009]所述的屏蔽层内镀锡铜丝网覆盖率不小于85%。
[0010]所述的护套层为阻燃蓝色聚氯乙烯护套。
[0011]本实用新型所要解决的问题是来自电缆外部感应和电缆自身在震动中产生摩擦起电引起的电压波动，为解决外部感应增加屏蔽性能，为解决摩擦起电在电缆结构中元件之间有移动的表面增加半导电材料，减少摩擦起电和把静电荷导出方案解决，与本安仪表电缆相比绝缘内外增加了半导电层，起到减少摩擦起电作用;采用双面铝箔屏蔽，降低来自外部干扰。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的结构示意图。
[0013]图中I是导体，2是半导电膜，3是绝缘层，4是半导电层，5是半导电PP绳填充，6是双面铝箔，7是镀锡铜丝网，8是护套层。
【具体实施方式】
[0014]军用低噪音本安仪表电缆，所述的电缆包括两根绝缘线芯，所述的两根绝缘线芯外绕包屏蔽层，所述的屏蔽层由双面铝箔6及双面铝箔6外编织的镀锡铜丝网7构成，所述的屏蔽层外挤包护套层8，所述的两根绝缘线芯之间的空隙设有半导电PP绳填充5，所述的绝缘线芯包括若干导体I，所述的导体I外设有一层半导电膜2，所述的半导电膜外2挤包低密度聚乙烯绝缘层3，所述的绝缘层3外挤包半导电层4。
[0015]所述的导体I为I或2或5类导体铜丝，铜丝为纯度达到99.99%无氧铜材，绞合后导体圆整，单丝采用冷焊焊接。
[0016]所述的半导电膜2在挤包绝缘层3时导体I过超细碳黑，超细碳黑与低密度聚乙烯绝缘内表面形成半导电膜2。
[0017]所述的导体I在过超细碳黑之前采用加热器对铜丝加热到80-90度。
[0018]所述的绝缘层3和半导电层4采用双层共挤，半导电层4厚度在0.1mm和0.2mm之间，绝缘层3和半导电层4紧密粘连。
[0019]所述的屏蔽层内镀锡铜丝网7覆盖率不小于85%。
[0020]所述的护套层8为阻燃蓝色聚氯乙烯护套。
【主权项】
1.军用低噪音本安仪表电缆，其特征在于:所述的电缆包括两根绝缘线芯，所述的两根绝缘线芯外绕包屏蔽层，所述的屏蔽层由双面铝箔及双面铝箔外编织的镀锡铜丝网构成，所述的屏蔽层外挤包护套层，所述的两根绝缘线芯之间的空隙设有半导电PP绳填充，所述的绝缘线芯包括若干导体，所述的导体外设有一层半导电膜，所述的半导电膜外挤包低密度聚乙烯绝缘层，所述的绝缘层外挤包半导电层。2.根据权利要求1所述的军用低噪音本安仪表电缆，其特征在于:所述的导体为I或2或5类导体铜丝，铜丝为纯度达到99.99%无氧铜材，绞合后导体圆整，单丝采用冷焊焊接。3.根据权利要求1所述的军用低噪音本安仪表电缆，其特征在于:所述的半导电膜在挤包绝缘层时导体过超细碳黑，超细碳黑与低密度聚乙烯绝缘内表面形成半导电膜。4.根据权利要求3所述的军用低噪音本安仪表电缆，其特征在于:所述的导体在过超细碳黑之前采用加热器对铜丝加热到80-90度。5.根据权利要求1所述的军用低噪音本安仪表电缆，其特征在于:所述的绝缘层和半导电层采用双层共挤，半导电层厚度在0.1mm和0.2mm之间，绝缘层和半导电层紧密粘连。6.根据权利要求1所述的军用低噪音本安仪表电缆，其特征在于:所述的屏蔽层内镀锡铜丝网覆盖率不小于85%。7.根据权利要求1所述的军用低噪音本安仪表电缆，其特征在于:所述的护套层为阻燃蓝色聚氯乙烯护套。
【文档编号】H01B7/17GK205487452SQ201620266666
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月1日
【发明人】胡志贞, 乔文玮, 胡灯有, 李星
【申请人】扬州华宇电缆有限公司