专利名称：电源过流保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电源过流保护电路，特别涉及一种不会间歇性的重新启动的电源过流保护电路。
背景技术：
在电源系统中，往往会出现电源负载异常的情况，比如电流突然变得过大，负载功率增加很多等。对于大部分额定功率的电源来讲，如果过流的时候没有进行适当的保护，就有可能损坏电源，同时可能引起负载温度过高，进而引起火灾等。目前的过流保护电路基本上都是对电流进行限制；或者暂时关闭电源，电源处于间歇性的启动状态，不但消耗功率， 而且影响电源寿命。
实用新型内容针对现有过流保护电路的上述缺点，申请人经过研究改进，提供另一种电源过流保护电路。当负载电流超出要求保护的电流大小时，电源立即关断输出，只有将引起过流的条件去除时电源才重新开通工作，其间电源不会间歇性的启动。本实用新型的技术方案如下一种电源过流保护电路，包括一个PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的漏极连接第一信号输入端，所述PMOS晶体管的源极串联第五电阻后连接第一信号输出端，所述PMOS晶体管的栅极串联第三电阻后连接运算放大器的输出端；第一电阻的两端分别与PMOS晶体管的漏极及源极连接；第二电阻的两端分别与PMOS晶体管的漏极及栅极连接；第四电阻的一端连接运算放大器的同相端，另一端连接第一信号输出端；第七电阻的一端连接运算放大器的反相端，另一端连接第一信号输出端；第六电阻的一端连接运算放大器的同相端，另一端连接第二信号输入端以及第二信号输出端；第八电阻的一端连接运算放大器的反相端， 另一端连接第二信号输入端以及第二信号输出端；过流监测电阻的两端分别与第一信号输出端以及第二信号输出端连接。其进一步的技术方案为所述第六电阻的阻值小于所述第八电阻的阻值。本实用新型的有益技术效果是本实用新型电源过流保护电路可以很准确地设定过流点；输出过流后，电源立即切断输出，不会间歇性的重新启动；过流保护后，电源功率消耗很小，不会引起其他元件发热。
图1是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
做进一步说明。[0011]如图1所示，本实用新型主要包含一个P沟道的MOSFET Q1，一个运算放大器Al， 一个过流监测电阻R-LOAD以及若干起辅助作用的电阻元件。具体的电路结构为PM0S晶体管Ql的漏极连接信号输入端Vin+，源极串联电阻 R5后连接信号输出端Vout+，栅极串联电阻R3后连接运算放大器Al的输出端。电阻Rl的两端分别与PMOS晶体管Ql的漏极及源极连接。电阻R2的两端分别与PMOS晶体管Ql的漏极及栅极连接。电阻R4的一端连接运算放大器Al的同相端，另一端连接信号输出端Vout+。 电阻R7的一端连接运算放大器Al的反相端，另一端连接信号输出端Vout+。电阻R6的一端连接运算放大器Al的同相端，另一端连接信号输入端Vin-以及信号输出端Vout-。电阻R8 的一端连接运算放大器Al的反相端，另一端连接信号输入端Vin-以及信号输出端Vout-。 过流监测电阻R-LOAD的两端分别与信号输出端Vout+以及信号输出端Vout-连接。本实用新型在PMOS晶体管Ql上并联了一个电阻R1，起锁定作用。在参数设置上必须要求电阻R6的阻值要小于电阻R8的阻值。当输出没有电流(过流监测电阻R-LOAD阻值为无穷大)时，电阻R5上的电压为零，很明显，V+小于V-，此时运算放大器Al的输出为低电平，PMOS晶体管Ql开通，电源输出正常；当输出电流逐渐加大(过流监测电阻R-LOAD阻值逐渐减小)时，电阻R5上的电压增加，V-电压逐渐降低。当输出电流增加到一定值时，电压V+开始大于V-，运算放大器Al输出高电平，PMOS晶体管Ql关断，电源实现过流保护。 此后，由于有微小电流流过电阻R1、电阻R5、过流监测电阻R-L0AD，适当调整各电阻阻值， 可以使运算放大器Al的输出继续维持高电平，PMOS晶体管Ql始终处于关断状态，除非过流监测电阻R-LOAD的阻值增加(输出电流降低)到设定值，PMOS晶体管Ql才重新开通。以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本实用新型的基本构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种电源过流保护电路，其特征在于包括一个PMOS晶体管(Q1)，所述PMOS晶体管(Ql)的漏极连接第一信号输入端(Vin+)，所述PMOS晶体管(Ql)的源极串联第五电阻(R5)后连接第一信号输出端(Vout+)，所述PMOS晶体管(Ql)的栅极串联第三电阻(R3)后连接运算放大器(Al)的输出端；第一电阻(Rl)的两端分别与PMOS晶体管(Ql)的漏极及源极连接；第二电阻(R2)的两端分别与PMOS晶体管(Ql)的漏极及栅极连接；第四电阻(R4)的一端连接运算放大器(Al)的同相端，另一端连接第一信号输出端(Vout+)；第七电阻(R7)的一端连接运算放大器(Al)的反相端，另一端连接第一信号输出端(Vout+)；第六电阻(R6)的一端连接运算放大器(Al)的同相端，另一端连接第二信号输入端(Vin-)以及第二信号输出端(Vout-)；第八电阻(R8)的一端连接运算放大器(Al)的反相端，另一端连接第二信号输入端(Vin-)以及第二信号输出端(Vout-);过流监测电阻(R-LOAD)的两端分别与第一信号输出端(Vout+)以及第二信号输出端(Vout-)连接。
2.根据权利要求1所述电源过流保护电路，其特征在于所述第六电阻(R6)的阻值小于所述第八电阻(R8)的阻值。
专利摘要本实用新型公开一种电源过流保护电路，包括一个PMOS晶体管，一个运算放大器，一个过流监测电阻以及多个辅助电阻元件，所述PMOS晶体管的漏极连接第一信号输入端，源极串联电阻后连接信号输出端，栅极串联电阻后连接运算放大器的输出端。本实用新型电源过流保护电路可以准确地设定过流点；输出过流后，电源立即切断输出，不会间歇性的重新启动；过流保护后，电源功率消耗很小，不会引起其他元件发热。
文档编号H02H3/08GK202333740SQ201120504758
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月7日 优先权日2011年12月7日
发明者曹加勇 申请人:无锡市金赛德电子有限公司