专利名称：超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉电路领域，特别涉及到一种超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构。
背景技术：
在供电系统中，由于电能传输到用户端后，存在线路上的损耗，端电压降低，功率因数降低。为了提高用户端电压，必须提高功率因数来减少线路上的损耗。在配电系统中提高功率因数使用最多的是采用电容器组补偿来提高功率因数。在采用电容器组为补偿方式的线路中，由于电容器自身的特点，即电容器两端的电压不能突变，也就是只能缓慢上升，或者缓慢下降。电容器两端快速突变的电压将会降低电容器组的寿命。综上所述，针对现有技术的缺陷，特别需要一种超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构，以解决以上提到的问题。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构，利用超级电容两端电压突变对超级电容影响不大来解决电容器接入补偿时产生大电流的问题，利用超级电容限制电容器两端电压上升速度，减小电容器补偿瞬间的大电流对电容器的损害。本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构，其特征在于，包括电容器组、消谐电抗器和超级电容，所述电容器组和消谐电抗器串联组成支路，超级电容与所述支路并联。在本实用新型的一个实施例中，所述电路结构包括三相电源，在A相上超级电容与接触器KCX的常开触点接到N线连接，同时A相上接到第一组接触器Kl的常开触点，从接触器触点Kl的另一端连接到补偿电容器C，从补偿电容器C另一端连接到电抗器L的一端，从电抗器L另一端连接到接触器KCX常闭触点的一端，同时连接到B相常闭触点电抗器L的引出端，接触器KCX常闭触点的另一端接到接触器常开触点与超级电容的连接处；在B，C相上的连接方式与A相的相同；三相电抗器L下面的引出端连接在一起。在本实用新型的另一个实施例中，所述电路结构包括一相电源，A相接触器Kl常开触点一端连接，同时与超级电容的一端连接，超级电容另一端与接触器KCl常开触点一端连接，接触器KCl常开触点另一端与N线连接；接触器Kl常开触点另一端与补偿电容Cl连接，补偿电容Cl的另一端与电抗LI连接，电抗LI另一端与接触器KCl常闭触点连接，接触器KCX常闭触点与超级电容和接触器KCl常开连接处连接；第二组补偿电容并联到第一组上，第二组为A相连接到接触器K2常开触点，从常开触点另一端连接到补偿电容C2，补偿电容C2另一端连接到电抗L2上，电抗L2另一端连接到接触器KC2常闭触点连接，接触器KC2常闭触点与超级电容和接触器KCl常开连接处连接；第三组和第二组连接上一样，也与第一组并联；如果有N组，都是与第一组并联，连接方式也与第一组相同。
图I为本实用新型所述电路结构的控制原理图。图2为本实用新型所述的实施例I的电路示意图。图3为本实用新型所述的实施例2的电路示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实现的 技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式
，进一步阐述本实用新型。如图I所示，本实用新型所述的超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构，其特征在于，包括电容器组、消谐电抗器和超级电容，所述电容器组和消谐电抗器串联组成支路，超级电容与所述支路并联。实施例I如图2所示，在本实用新型的一个实施例中，所述电路结构包括三相电源，在A相上超级电容与接触器KCX的常开触点接到N线连接，同时A相上接到第一组接触器Kl的常开触点，从接触器触点Kl的另一端连接到补偿电容器C，从补偿电容器C另一端连接到电抗器L的一端，从电抗器L另一端连接到接触器KCX常闭触点的一端，同时连接到B相常闭触点电抗器L的引出端，接触器KCX常闭触点的另一端接到接触器常开触点与超级电容的连接处；在B，C相上的连接方式与A相的相同；三相电抗器L下面的引出端连接在一起。实施例2如图3所示，在本实用新型的另一个实施例中，所述电路结构包括一相电源，A相接触器Kl常开触点一端连接，同时与超级电容的一端连接，超级电容另一端与接触器KCl常开触点一端连接，接触器KCl常开触点另一端与N线连接；接触器Kl常开触点另一端与补偿电容Cl连接，补偿电容Cl的另一端与电抗LI连接，电抗LI另一端与接触器KCl常闭触点连接，接触器KCX常闭触点与超级电容和接触器KCl常开连接处连接；第二组补偿电容并联到第一组上，第二组为A相连接到接触器K2常开触点，从常开触点另一端连接到补偿电容C2，补偿电容C2另一端连接到电抗L2上，电抗L2另一端连接到接触器KC2常闭触点连接，接触器KC2常闭触点与超级电容和接触器KCl常开连接处连接；第三组和第二组连接上一样，也与第一组并联；如果有N组，都是与第一组并联，连接方式也与第一组相同。在电容补偿线路中利用现在的电容补偿控制器与超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构相结合。现在电容补偿控制器是测量功率因数，如果功率因数低就投入一组电容，直到功率因数满足要求为止。当第一组电容投入前，3个超级电容Y型接入ABC三相中。超级电容都充有一定的电能，投入时接触器(KCl)先闭合，超级电容中的电能释放到N线上降低，经过电容延时后Kl闭合，将第一组电容接入电路起到补偿作用。第二组投入前，超级电容有一定的电能，3个超级电容Y型接入ABC三相中，投入时接触器(KC2)先闭合，超级电容中的电能释放到N线上降低，经过电容延时后K2闭合，将第二组电容接入电路起到补偿作用。每增加一组补偿电容继续上面的动作。以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还 会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求1.超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构，其特征在于，包括电容器组、消谐电抗器和超级电容，所述电容器组和消谐电抗器串联组成支路，超级电容与所述支路并联。
2.根据权利要求I所述的超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构，其特征在于，所述电路结构包括三相电源，在A相上超级电容与接触器KCX的常开触点接到N线连接，同时A相上接到第一组接触器Kl的常开触点，从接触器触点Kl的另一端连接到补偿电容器C，从补偿电容器C另一端连接到电抗器L的一端，从电抗器L另一端连接到接触器KCX常闭触点的一端，同时连接到B相常闭触点电抗器L的引出端，接触器KCX常闭触点的另一端接到接触器常开触点与超级电容的连接处；在8，C相上的连接方式与A相的相同；三相电抗器L下面的引出端连接在一起。
3.根据权利要求I所述的超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构，其特征在于，所述电路结构包括一相电源，A相接触器Kl常开触点一端连接，同时与超级电容的一端连接，超级电容另一端与接触器KCl常开触点一端连接，接触器KCl常开触点另一端与N线连接；接触器Kl常开触点另一端与补偿电容Cl连接，补偿电容Cl的另一端与电抗LI连接，电抗LI另一端与接触器KCl常闭触点连接，接触器KCX常闭触点与超级电容和接触器KCl常开连接处连接；第二组补偿电容并联到第一组上，第二组为A相连接到接触器K2常开触点，从常开触点另一端连接到补偿电容C2，补偿电容C2另一端连接到电抗L2上，电抗L2另一端连接到接触器KC2常闭触点连接，接触器KC2常闭触点与超级电容和接触器KCl常开连接处连接；第三组和第二组连接上一样，也与第一组并联；如果有N组，都是与第一组并联，连接方式也与第一组相同。
专利摘要本实用新型公开了超级电容和消除低次谐波电容补偿电路结构，其特征在于，包括电容器组、消谐电抗器和超级电容，所述电容器组和消谐电抗器串联组成支路，超级电容与所述支路并联。本实用新型利用超级电容两端电压突变对超级电容影响不大来解决电容器接入补偿时产生大电流的问题，利用超级电容限制电容器两端电压上升速度，减小电容器补偿瞬间的大电流对电容器的损害。
文档编号H02J3/18GK202435035SQ201120568449
公开日2012年9月12日 申请日期2011年12月30日 优先权日2011年12月30日
发明者张彧, 张超 申请人:上海纳杰电气成套有限公司