专利名称：超级电容的充电装置的制作方法
技术领域：
本发明属于电器技术领域，特别涉及一种超级电容的充电装置。
背景技术：
超级电容也叫做电化学电容器，具 有性能稳定、使用寿命长等特点，近年来在电动汽车、太阳能发电、重型机械等领域表现出前有未有的发展趋势，很多发达国家都已把关于超级电容的项目作为国家重点科研方向，超级电容在国内市场上也呈现出蓬勃发展的景象。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明提供一种超级电容充电装置。本发明的技术方案是这样实现的该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，直流电源开始对超级电容充电，充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击。本发明的优点该超级电容充电装置结构简单、操作安全、装置稳定性强。
图I为本发明超级电容充电装置结构图。
具体实施例方式本发明的详细结构结合实施例加以说明。该超级电容充电装置结构如图I所示，IGBT型号选取1MBI200L-120、微控制器选取型号为PIC16F877A，限流电阻选择RXG20-F型线绕电阻。该超级电容充电装置由微处理器(PIC16F877A)、直流电源、IGBT(1MBI200L-120)、限流电阻(RXG20-F型线绕电阻)和超级电容组成，微处理器PIC16F877A与IGBT相连接，IGBT1MBI200L-120与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接。装置工作时，微处理器PIC16F877A发出控制信号，IGBT 1MBI200L-120导通，直流电源开始对超级电容充电，充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击。
权利要求
1.一 种超级电容的充电装置，其特征在于该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接。
全文摘要
一种超级电容的充电装置，属于电器技术领域。该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，直流电源开始对超级电容充电，充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击。本发明的优点该超级电容充电装置结构简单、操作安全、装置稳定性强。
文档编号H02J7/00GK102904320SQ20121043915
公开日2013年1月30日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日
发明者李翠, 封仕燕, 王磊 申请人:沈阳创达技术交易市场有限公司