专利名称：一种限流保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种保护电路，特别涉及一种限流保护电路。
背景技术：
鉴于电源电路存在一些不稳定因素，而设计用来防止此类不稳定因素影响电路效果的回路称作保护电路。比如有过流保护、过压保护、过热保护、空载保护、短路保护等。目前，限流保护电路被广泛应用于开关电源中，通常都是使用将光耦直接接到PWM芯片反馈脚，电源限流保护时减小占空比的电路来保护电源；该电路造成限流保护时电源输入功率较大。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构简单、使用方便、具有电流限制、栅极保护以及低压降的一种限流保护电路。为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下:一种限流保护电路，包括功率MOSFET管、反馈电路以及保护电路；所述功率MOSFET管的源级与电源输入端连接，功率MOSFET管的漏极与输出负载连接，功率MOSFET管的栅极与反馈电路的输出端连接；所述反馈电路的一端与电源输入端连接，另一端与输出负载连接；保护电路的一端与功率MOSFET管连接，另一端与输出负载连接。在本实用新型的一个实施例中，所述保护电路为电流保护电路。通过上述技术方案，本实用新型的有益效果是:本实用新型功率MOSFET管工作在线性区，利用电压反馈控制电流，其具有电流限制、栅极保护、低压降等优点。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型原理图。图中数字和字母所表示的相应部件名称:10、功率MOSFET管20、反馈电路30、保护电路。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。参见图1所示，本实用新型一种限流保护电路包括功率MOSFET管10、反馈电路20以及保护电路30 ;功率MOSFET管10的源级与电源输入端连接，功率MOSFET管10的漏极与输出负载连接，功率MOSFET管10的栅极与反馈电路的输出端连接；反馈电路20的一端与电源输入端连接，另一端与输出负载连接；保护电路30的一端与功率MOSFET管10连接，另一端与输出负载连接。本实用新型保护电路为电流保护电路。本实用新型功率MOSFET管工作在线性区，其利用电压反馈控制电流。本实用新型反馈电路与功率MOSFET管的栅极连接，保护负载在开机瞬间或其它原因出现短时高压尖峰脉冲通过反馈电路对功率MOSFET管栅极的冲击。本实用新型在使用时，当电流增加时，反馈电压增加，流过功率MOSFET管的电流下降，最后会平衡在某个电流值，当负载电流超过这个值时，功率MOSFET管关断；整个电路供给负载电流工作时，由电路本身造成的电压下降很小。本实用新型具有电流限制、低压降、栅极保护功能。以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求1.一种限流保护电路，其特征在于:包括功率MOSFET管、反馈电路以及保护电路；所述功率MOSFET管的源级与电源输入端连接，功率MOSFET管的漏极与输出负载连接，功率MOSFET管的栅极与反馈电路的输出端连接；所述反馈电路的一端与电源输入端连接，另一端与输出负载连接；保护电路的一端与功率MOSFET管连接，另一端与输出负载连接。
2.根据权利要求1所述的一种限流保护电路，其特征在于:所述保护电路为电流保护电路。
专利摘要本实用新型公开了一种限流保护电路，包括功率MOSFET管、反馈电路以及保护电路；所述功率MOSFET管的源级与电源输入端连接，功率MOSFET管的漏极与输出负载连接，功率MOSFET管的栅极与反馈电路的输出端连接；所述反馈电路的一端与电源输入端连接，另一端与输出负载连接；保护电路的一端与功率MOSFET管连接，另一端与输出负载连接。本实用新型结构简单、使用方便、具有电流限制、栅极保护、低压降的优点。
文档编号H02H7/12GK203039353SQ20122074807
公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月29日 优先权日2012年12月29日
发明者顾康, 张亿宾 申请人:上海澳华光电内窥镜有限公司