电池保护电路的制作方法
【专利摘要】一种电池保护电路，包括一开关部件、一连接一电池的负载模块及一控制模块，所述控制模块包括一晶体管，所述晶体管包括一连接所述电池的正极的导通端、一第一连接端及一接地的第二连接端，所述开关部件包括一连接所述第一连接端的导通引脚、一接地的第一连接引脚及一通过一第一电容接地的第二连接引脚，所述导通引脚用于在所述负载模块发生异常时接收一控制信号而关断所述开关部。所述电池保护电路用于在所述负载模块发生异常时保护电池不受损坏。
【专利说明】电池保护电路
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种电子保护电路，特别是一种电池保护电路。
【背景技术】
[0002]近年来，锂电池作为一种绿色环保电池，因具有能量密度高、工作电压高和使用寿命长等优点在各种产品中得到广泛应用。数码相机、手机、便携式音频设备和蓝牙设备等越来越多的产品采用锂电池作为主要电源。然而，锂离子电池在使用过程中，当受到短路、高热、过充或过放电等时极容易产生不良影响，例如充电时电压过高，会损坏锂电池的结构甚至会有产生爆炸的危险。现有的一种电池保护电路中，包括一锂电池及一保护电路，所述保护电路中包括一连接所述锂电池的MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,金属-氧化层-半导体-场效晶体管)及一连接所述锂电池与所述MOSFET的控制模块，所述控制模块用于侦测所述锂电池的电压并控制在过度充电或放电状态时切换到所述MOSFET来保护所述锂电池。然而在所述电池保护电路中，当发生过电压、过电流或短路电流等电路异常时，所述控制模块关断MOSFET的过程中会产生较高的电压和电流使功率很大而容易导致MOSFET因瞬间过功率而损坏，且由于MOSFET在关断过程中处于饱和区，容易发生各单元间的散热不平衡从而导致MOSFET提前失效。
【发明内容】
[0003]鉴于以上内容，有必要提供一种避免因电路异常而损坏电池的电池保护电路。
[0004]一种电池保护电路，包括一开关部件、一连接一电池的负载模块及一控制模块，所述控制模块包括一晶体管，所述晶体管包括一连接所述电池的正极的导通端、一第一连接端及一接地的第二连接端，所述开关部件包括一连接所述第一连接端的导通引脚、一接地的第一连接引脚及一通过一第一电容接地的第二连接引脚，所述导通引脚用于在所述负载模块发生异常时接收一控制信号而关断所述开关部。
[0005]一实施例中，所述导通端通过一第一电阻连接一第一节点，所述第一节点连接所述电池的正极，所述第一连接端通过一第二电阻连接所述导通端引脚，所述负载模块通过一电感连接所述第一节点，所述负载模块接地。
[0006]一实施例中，所述控制模块还包括一芯片，一第二电容连接所述第二节点，所述第二节点连接所述芯片的高触发端，所述控制信号通过所述第二电容传送至所述芯片，所述芯片的输出端通过一第三电阻连接所述导通端引脚，所述芯片的电源电压端及所述芯片的复位端连接所述第一节点。
[0007]—实施例中，所述第二节点连接所述芯片的放电端。
[0008]一实施例中，所述第二节点通过一第四电阻接地。
[0009]一实施例中，所述第二节点通过一第五电阻连接所述第一节点。
[0010]一实施例中，所述第二节点连接连接所述芯片的触发端。
[0011]一实施例中，所述芯片的电压控制端通过一第三电容接地。
[0012]一实施例中，所述晶体管为一 NPN型晶体管，所述晶体管的导通端为所述晶体管的基极，所述晶体管的第一连接端为所述晶体管的集电极，所述晶体管的第二连接端为所述晶体管的发射极。
[0013]一实施例中，所述开关部件为一 P沟道增强型M0SFET，所述开关部件的导通引脚为所述开关部件的栅极，所述开关部件的第一连接引脚为所述开关部件的源极，所述开关部件的第二连接引脚为所述开关部件的漏极。
[0014]与现有技术相比，所述电池保护电路中，所述晶体管通过延缓所述开关部件的关断速度从而保护所述电池在所述负载模块发生异常时不受损坏。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本发明电池保护电路的一较佳实施方式的原理图。
[0016]图2是本发明电池保护电路的一较佳实施方式的电路连接图。
[0017]主要元件符号说明_
【权利要求】
1.一种电池保护电路，包括一开关部件及一连接一电池的负载模块，其特征在于:所述电池保护电路还包括一控制模块，所述控制模块包括一晶体管，所述晶体管包括一连接所述电池的正极的导通端、一第一连接端及一接地的第二连接端，所述开关部件包括一连接所述第一连接端的导通引脚、一接地的第一连接引脚及一通过一第一电容接地的第二连接引脚，所述导通引脚用于在所述负载模块发生异常时接收一控制信号而关断所述开关部件。
2.如权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于:所述导通端通过一第一电阻连接一第一节点，所述第一节点连接所述电池的正极，所述第一连接端通过一第二电阻连接所述导通端引脚，所述负载模块通过一电感连接所述第一节点，所述负载模块接地。
3.如权利要求2所述的电池保护电路，其特征在于:所述控制模块还包括一芯片，一第二电容连接所述第二节点，所述第二节点连接所述芯片的高触发端，所述控制信号通过所述第二电容传送至所述芯片，所述芯片的输出端通过一第三电阻连接所述导通端引脚，所述芯片的电源电压端及所述芯片的复位端连接所述第一节点。
4.如权利要求3所述的电池保护电路，其特征在于:所述第二节点连接所述芯片的放电端。
5.如权利要求3所述的电池保护电路，其特征在于:所述第二节点通过一第四电阻接地。
6.如权利要求3所述的电池保护电路，其特征在于:所述第二节点通过一第五电阻连接所述第一节点。
7.如权利要求3所述的电池保护电路，其特征在于:所述第二节点连接连接所述芯片的触发端。
8.如权利要求3所述的电池保护电路，其特征在于:所述芯片的电压控制端通过一第三电容接地。
9.如权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于:所述晶体管为一NPN型晶体管，所述晶体管的导通端为所述晶体管的基极，所述晶体管的第一连接端为所述晶体管的集电极，所述晶体管的第二连接端为所述晶体管的发射极。
10.如权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于:所述开关部件为一P沟道增强型MOSFET，所述开关部件的导通引脚为所述开关部件的栅极，所述开关部件的第一连接引脚为所述开关部件的源极，所述开关部件的第二连接引脚为所述开关部件的漏极。
【文档编号】H02H7/18GK104184127SQ201310197274
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2013年5月24日 优先权日:2013年5月24日
【发明者】胡可友 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司