一种光伏汇流箱专用防反二极管模块的制作方法

文档序号:7403884阅读:192来源:国知局
一种光伏汇流箱专用防反二极管模块的制作方法
【专利摘要】一种光伏汇流箱专用防反二极管模块,涉及半导体元器件,包括第一电极、第二电极、外壳和散热区,第一电极和第二电极设置在外壳的两端,散热区设置在外壳内部第一电极和第二电极之间,散热区设置3个,包括散热片,散热片内部开有散热孔;防反二极管模块的通态压降为0.76-0.80V;防反二极管模块的最大热阻结至模块底板达到0.5;防反二极管模块的热循环次数达到1万次以上。本实用新型具有压降低、热阻小、热循环能力强的特点,有效解决现有技术压降高、热阻大、热循环能力弱的缺点,提高了光伏汇流箱的工作效率和使用寿命。
【专利说明】一种光伏汇流箱专用防反二极管模块

【技术领域】
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[0001]本发明涉及半导体元器件,具体涉及一种光伏汇流箱专用防反二极管模块。

【背景技术】
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[0002]在太阳能光伏发电系统中,为了减少太阳能光伏电池阵列与逆变器之间的连线,使用到光伏汇流箱。二极管模块是汇流箱的重要组成部分,一般选择防反二极管模块的主要条件,压降低、热阻小、热循环能力强。压降越低,模块的功耗越小,散发的热量相应也减小,汇流箱的温升自然就小,热阻越小,模块底板到芯片的温差越小,模块工作更可靠。热循环次数越多,模块越稳定,使用寿命更长。普通二极管模块,通态压降只能达到0.90-0.95V,最大热阻结至模块底板达到1.30,冷热循环次数只有2000次,甚至更低,这并不能满足光伏汇流箱的使用条件。


【发明内容】

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[0003]本发明所要解决的技术问题在于克服现有的技术缺陷,提供一种光伏汇流箱专用防反二极管模块,具有压降低、热阻小、热循环能力强的特点,有效解决现有技术的缺点。
[0004]本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现:
[0005]一种光伏汇流箱专用防反二极管模块,包括第一电极、第二电极、外壳和散热区,所述第一电极和第二电极设置在外壳的两端,所述散热区设置在外壳内部第一电极和第二电极之间,其特征在于:
[0006]所述散热区至少设置2个,包括散热片,所述散热片内部开有散热孔。
[0007]所述防反二极管模块的通态压降为0.76-0.80V,压降越低,模块的功耗越小,散发的热量相应也减小,汇流箱的温升自然就小。
[0008]所述防反二极管模块的最大热阻结至模块底板达到0.5,热阻越小,模块底板到芯片的温差越小,模块工作更可靠。
[0009]所述防反二极管模块的热循环次数达到I万次以上热循环次数越多,模块越稳定,使用寿命更长。
[0010]本发明的有益效果为,提供一种光伏汇流箱专用防反二极管模块,具有压降低、热阻小、热循环能力强的特点,有效解决现有技术压降高、热阻大、热循环能力弱的缺点,提高了光伏汇流箱的工作效率和使用寿命。

【专利附图】

【附图说明】
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[0011]图1为本发明的结构示意图。
[0012]图示中:1-外壳、2-第一电极、3-第二电极、4-散热区、41-散热片-42-散热孔。【具体实施方式】:
[0013]为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
[0014]如图1所示,一种光伏汇流箱专用防反二极管模块,包括外壳1、第一电极2、第二电极3、散热区4,所述第一电极2和第二电极3设置在外壳I的两端,所述散热区4设置在外壳I内部第一电极2和第二电极3之间,其特征在于:
[0015]所述散热区设置3个,包括散热片,所述散热片内部开有散热孔。
[0016]所述防反二极管模块的通态压降为0.76-0.80V。
[0017]所述防反二极管模块的最大热阻结至模块底板达到0.5。
[0018]所述防反二极管模块的热循环次数达到I万次以上。
[0019]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种光伏汇流箱专用防反二极管模块,包括第一电极、第二电极、外壳和散热区,所述第一电极饿第二电极设置在外壳的两端,所述散热区设置在外壳内部第一电极和第二电极之间,其特征在于: 所述散热区设置3个,包括散热片,所述散热片内部开有散热孔; 所述防反二极管模块的通态压降为0.76-0.80V ; 所述防反二极管模块的最大热阻结至模块底板达到0.5 ; 所述防反二极管模块的热循环次数达到I万次以上。
【文档编号】H02S40/34GK203968056SQ201420281009
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年5月27日 优先权日:2014年5月27日
【发明者】郑欣 申请人:安徽中鑫半导体有限公司
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