1.一种新型IGBT布局方法，其特征在于，由设在长方形散热器上的12个逆变功率器件、1只斩波功率器件和1只续流二极管组成；所述斩波功率器件和续流二极管构成斩波功率单元；12个逆变功率器件以 3个组成一组逆变功率单元，一共形成四组逆变功率单元；每组逆变功率单元中的三个逆变功率器件均顺次排列成与散热器的短边平行的形式；所述续流二极管和斩波功率器件也排列成与散热器短边平行的方式；斩波功率单元紧靠散热器的一条短边布局，四组逆变功率单元则相互平行的排列在斩波功率单元到散热器另一条短边的区域。
2.如权利要求1所述的一种新型IGBT布局方法，其特征在于，逆变功率器件采用双管封装的3300V/400A的IGBT，斩波功率器件采用单管3300V/1500A的IGBT，续流二极管为3300V/1000A双管封装。
3.如权利要求1或2所述的一种新型IGBT布局方法，其特征在于，所述散热器的长度为980mm，宽度为485mm；相邻逆变功率单元之间的间距为50mm，斩波功率单元和与其邻近的逆变功率单元之间的间距为70mm；最靠近散热器另一条短边的逆变功率单元与该短边的间距为30mm；每组逆变功率单元的上端与最邻近的散热器长边的间距为40mm；每个逆变功率器件的长度为140mm，宽度为130mm；同组逆变功率单元相邻的两个逆变功率器件之间的间距为15mm。
4.如权利要求1或2所述的一种新型IGBT布局方法，其特征在于，散热器采用风冷散热器；散热器采用模压成型，采用表面贴装方式安装功率器件；除器件安装面，其余表面采用阳极氧化发黑处理。