一种电容快速放电电路的制作方法

本实用新型涉及电容放电技术领域，尤其涉及一种电容快速放电电路。

背景技术：

电容在电子产品中是被广泛使用的普通器件，尤其以直流输出的LED电源电路中，都用电容作为过滤交流成分来得到更平滑的直流电源。在某些情况下，当关断输入电源时，需要对电容进行快速的放电，如1秒内放完，使输出端迅速无电压输出，来满足后接控制设备的要求。

目前的做法是在电容的两端并联一个电阻来放电，然而，这种做法存在以下缺陷：

1)电阻值难以权衡，取值过大，则放电太慢；取值过小，则功耗大；

2)增大了空载功耗，如果放电时间越短，空载功耗就越大；

3)正常工作时会消耗功率，降低了电路的整体效率。

技术实现要素：

本实用新型提供一种电容快速放电电路，解决了通过在滤波电容两端并联电容放电调节电路以在不增加功耗的情况下控制电容在0.5s内快速放电的技术问题。

为解决以上技术问题，本实用新型提供一种电容快速放电电路，设有供电电路、LED和与所述LED并联的第一电容，所述LED与第一电容均正向连接于供电电路的电压输出正极端与地之间；还设有并联于所述电压输出正极端和电压输出负极端的电容放电调节电路。

进一步地，所述电容放电调节电路设有MOS管、第一二极管、第二二极管、第二电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述MOS管为P沟MOS管或N沟MOS管；当所述MOS管为P沟MOS管时，所述第一二极管的正极端和第二二极管的正极端连接所述供电电路的电压输出正极端，所述第一二极管的负极端所述第一电容正极端，所述第二二极管的负极端连接所述第一电阻和第二电容的一端，所述第一电阻另一端连接所述P沟MOS管的栅极，所述第二电容的另一端接地，所述P沟MOS管的源极连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端连接所述第一二极管的负极端，所述P沟MOS管的漏极接地，所述第三电阻连接在所述P沟MOS管的栅极与地之间；当所述MOS管为N沟MOS管时，所述第一二极管的负极端和第二二极管的负极端连接所述供电电路的电压输出负极端，所述第一二极管的正极端接地，所述第二二极管的正极端连接所述第一电阻和第二电容的一端，所述第一电阻的另一端连接所述N沟MOS管的栅极，所述第二电容的另一端连接所述供电电路的电压输出正极端，所述P沟MOS管的漏极连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端连接所述供电电路的电压输出正极端，所述P沟MOS管的源极接地，所述第三电阻一端连接所述P沟MOS管的栅极，另一端连接所述供电电路的电压输出正极端。

进一步地，所述第一电容、第二电阻、MOS管构成放电回路。

进一步地，所述供电电路设有变压器，变压器的变换电压输出正极端和变换电压输出负极端即为供电电路的电压输出正极端和电压输出负极端。

本实用新型提供的一种电容快速放电电路，在LED电源电路的滤波电容即第一电容两端并联了设有MOS管和电阻的电容放电调节电路，以构成第一电容-第二电阻-MOS管的放电回路，控制第一电容在0.5s内快速放电，并通过调节第一电阻、第二电阻和第三电阻的阻值来控制放电时间，既不增加功耗还大大减小了放电时间。

附图说明

图1是本实用新型实施例1提供的电路原理图；

图2是本实用新型实施例2提供的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。以下元器件的取值大小仅为较佳实施例，不构成对本实用新型保护范围的限制。

实施例1

参见图1，是本实用新型实施例1提供的电路原理图。本实施例提供的一种电容快速放电电路设有供电电路10、LED和与所述LED并联的第一电容C1，所述LED与第一电容C1均正向连接于供电电路10的电压输出正极端V+与地之间，所述一种电容快速放电电路还设有并联于所述电压输出正极端V+和电压输出负极端V-的电容放电调节电路20。

在本实施例中，所述电容放电调节电路20设有P沟MOS管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2、第二电容C2、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3；所述第一二极管D1的正极端和第二二极管D2的正极端连接所述供电电路10的电压输出正极端V+，所述第一二极管D1的负极端所述第一电容C1正极端，所述第二二极管D2的负极端连接所述第一电阻R1和第二电容C2的一端，所述第一电阻R1另一端连接所述P沟MOS管Q1的栅极G，所述第二电容C2的另一端接地，所述P沟MOS管Q1的源极S连接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端连接所述第一二极管D1的负极端，所述P沟MOS管Q1的漏极D接地，所述第三电阻R3连接在所述P沟MOS管Q1的栅极G与地之间。

在本实施例中，所述供电电路10设有变压器transformer，所述变压器transformer的变换电压输出正极端和变换电压输出负极端即为供电电路10的电压输出正极端V+和电压输出负极端V-。当transformer在工作时，第二二极管D2对第二电容C2充电，同时电压通过第一电阻R1输送到P沟MOS管Q1，此时P沟MOS管Q1的栅极G和源极S都处于高电位，而漏极D为低电位，所述P沟MOS管Q1截止；当transformer不工作，即供电电路10断开没有电压输出时，第二二极管D2失去供电，由于第三电阻R3是下拉负偏，此时P沟MOS管Q1的栅极G处于低电位，P沟MOS管Q1导通，此时第一电容C1上储存的能量流过第二电阻R2经P沟MOS管Q1短路到达，形成C1-R2-Q1放电回路，从而实现快速放电，并且通过调节第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3的阻值可完美的将放电时间控制在0.5s之内。

实施例2

参见图2，是本实用新型实施例2提供的电路原理图。本实施例提供的一种电容快速放电电路设有供电电路10、LED和与所述LED并联的第一电容C1，且所述LED与第一电容C1均正向连接于供电电路10的电压输出正极端V+与地之间，所述一种电容快速放电电路还设有并联于所述电压输出正极端V+和电压输出负极端V-的电容放电调节电路20。

在本实施例中，所述电容放电调节电路20设有N沟MOS管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2、第二电容C2、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3；所述第一二极管D1的负极端和第二二极管D2的负极端连接所述供电电路10的电压输出负极端V-，所述第一二极管D1的正极端接地，所述第二二极管D2的正极端连接所述第一电阻R1和第二电容C2的一端，所述第一电阻R1的另一端连接所述N沟MOS管Q1的栅极G，所述第二电容C2的另一端连接所述供电电路10的电压输出正极端V+，所述P沟MOS管Q1的漏极D连接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端连接所述供电电路10的电压输出正极端V+，所述P沟MOS管Q1的源极S接地，所述第三电阻R3一端连接所述P沟MOS管Q1的栅极G，另一端连接所述供电电路10的电压输出正极端V+。

在本实施例中，所述供电电路10设有变压器transformer，所述变压器transformer的变换电压输出正极端和变换电压输出负极端即为供电电路10的电压输出正极端V+和电压输出负极端V-。当transformer在工作时，第二二极管D2对第二电容负向充电，同时电压通过第一电阻R1输送到N沟MOS管Q1，此时N沟MOS管Q1的栅极G和源极S都处于低电位，而漏极D为高电位，所述N沟MOS管Q1截止；当transformer不工作，即供电电路10断开没有电压输出时，第二二极管D2供电回路，由于第三电阻R3是上拉正偏，此时N沟MOS管Q1的栅极G处于高电位，N沟MOS管Q1导通，此时第一电容C1上储存的能量流过第二电阻R2经N沟MOS管Q1短路到达电压输出负极端V-，形成C1-R2-Q1放电回路，从而实现快速放电，并且通过调节第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3的阻值可完美的将放电时间控制在0.5s之内。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。