一种用于雷电保护的双碟片超低容结构的制作方法

本实用新型涉及电子元件技术领域，特别涉及一种用于雷电保护的双碟片超低容结构。

背景技术：

目前在通讯交换机设备中的程控交换机，电话机，传真机，配线架，通讯接口，通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域中。特别是在一些需要防雷保护的电子元器件中，需要防护内部的IC 免受遭雷电瞬间突波的冲击和造成破坏，而目前市面上普通的TSS 是一个过压保护器件，具有精确导通，快速响应(响应时间纳米级别)吸收浪涌能力强，双向对称，可靠性高，但普通的单芯工艺电容大，如要用在信号口，干扰大，影响信号接收，所以，需要一个超低容的产品来降低干扰，使接收信号强

技术实现要素：

本实用新型的主要目的在于提供一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，包括壳体和引线，所述壳体的一侧卡接有第一引脚，所述壳体的另一侧卡接有第二引脚，所述壳体的底端固定有垫板，所述壳体的中部卡接有第一TSS 芯片和第二TSS芯片。

进一步地，所述第一引脚通过引线连接于壳体的上部。

进一步地，所述第二引脚通过引线连接于壳体的下部。

进一步地，所述第一TSS芯片与第二TSS芯片为并联电性连接。

进一步地，所述第一TSS芯片与第二TSS芯片为分层叠加结构，所述第一TSS芯片与第二TSS芯片之间相互平行，且大小相等。

进一步地，所述第一引脚和第二引脚的材料均为紫铜。

进一步地，所述壳体为密封结构，且壳体表面覆盖有防水材料。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：本实用新型用具有雷电防护功能，目前主要广泛应用于通讯交换机设备中，而且该种实用新型设计合理，使用方便，非常适合作用于电子元器件的防雷电保护，通过双碟片设计，可以有效实现元器件内部的超低容性能，而且壳体采用密封结构设计，可以有效对壳体内部的元器件进行保护，功能实用，非常适合大范围的推广。

【附图说明】

图1为本实用新型整体结构示意图。

图2为本实用新型的内部结构示意图。

图中：1、第一引脚；2、壳体；3、垫块；4、第二引脚；5、引线；6、第一TSS芯片；7、第二TSS芯片。

【具体实施方式】

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

如图1-2所示，一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，包括壳体2和引线5，所述壳体2的一侧卡接有第一引脚1，所述壳体2 的另一侧卡接有第二引脚4，所述壳体2的底端固定有垫板3，所述壳体2的中部卡接有第一TSS芯片6和第二TSS芯片7，为此可有效实现电子元器件的防雷电保护。

其中，所述第一引脚1通过引线5连接于壳体2的上部。

其中，所述第二引脚4通过引线5连接于壳体2的下部。

其中，所述第一TSS芯片6与第二TSS芯片7为并联电性连接，实现元器件的超低容性能。

其中，所述第一TSS芯片6与第二TSS芯片7为分层叠加结构，所述第一TSS芯片6与第二TSS芯片7之间相互平行，且大小相等。

其中，所述第一引脚1和第二引脚4的材料均为紫铜，提高引脚的导电性能。

其中，所述壳体2为密封结构，且壳体2表面覆盖有防水材料，对壳体2内部的元器件进行隔离保护。

需要说明的是，本实用新型为一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，工作时，由于第一TSS芯片6与第二TSS芯片7之间采用并联结构设计，为此来实现电容的超低容性能，接着采用分层叠加的双碟片设计，可有效提高壳体2的空间利用率，降低壳体2体积，提高产品的抗干扰能力，最后只需将第一引脚1和第二引脚4 接入外接设备即可。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。