技术特征：
技术总结
本发明公开了一种双层永磁复合磁路记忆电机，包括混合永磁转子、定子、电枢绕组和转轴，混合永磁转子包括转子铁心，转子铁心的周向均布有若干双层永磁区，双层永磁区包括U型混合永磁结构和V型永磁结构，U型混合永磁结构包括第二高矫顽力和低矫顽力永磁体；V型永磁结构包括第一高矫顽力永磁体，其设置于U型混合永磁结构的开口内，U型混合永磁结构和V型永磁结构的开口朝向定子，低矫顽力永磁体与第二高矫顽力永磁体呈并联磁路，与第一高矫顽力永磁体呈串联磁路。本发明结合了并联磁路型与串联磁路型记忆电机两方面的优势，可实现电机转矩密度的提高，避免了低矫顽力永磁负载退磁的问题，并进一步拓宽电机的调速范围和高效率运行区间。
技术研发人员：阳辉;林鹤云
受保护的技术使用者：东南大学
技术研发日：2018.09.21
技术公布日：2019.01.11